1991：論文･雜誌･著作

1. 熱脫附光譜法研究氫終止矽表面的氧化過程

• Norikuni Yabumoto, Kazuyuki Saito, Mizuho Morita* and Tadahiro Ohmi*
• NTT LSI Laboratories, *東北大學工學部
• Jpn.J.Appl.Phys.,30,L419(1991)

2.新型升溫脫附氣體分析裝置之開發及其於VLSI材料與製程評估之應用

• 平下紀夫, 味岡恒夫, 日永康*
• 沖電気工業(株) 超LSI開發中心, *電子科學(株)
• 真空,34,813(1991)

～1991：學會摘要

1.清洗矽表面的物性及其解析

• 藪本周邦, 齋藤和之, 森田瑞穗*, 大見忠弘*
• NTT LSI研究所, *東北大學 工學部
• 1991 電子情報通信學會春季全國大會摘要集,5-331,(1991)：SC-9-1

發表年份不明：論文･期刊･書籍

1.APIMS昇溫脫離氣體分析法

• 溝上員章, 中野和男, 小池譲治, 小川哲也
• 日立東エレ 電子裝置事業部
• 日立東エレ TECHNICAL REPORT,11,10(????)

2.昇溫脫離氣體分析法(TDS)之應用

• 東麗研究中心
• 東麗研究中心
• 技術資訊

3.透過矽化表面控制法(SCS)提升互連良率

• K.Yano, M.Yamanaka, Y.Terai, T.Sugiyama, M.Kubota, M.Endo and N.Nomura
• 松下電器產業株式會社半導體研究中心
• 1993年超大規模積體電路技術研討會

4.電界銅箔極薄錫鍍層之擴散行為

• 山下勝, 大熊秀雄*
• (株)艾泰斯 可靠性・材料技術部, 日本IBM(株) 野洲事業所 液晶技術部
• 出處不明

5.利用硫磺沉積實現各向異性蝕刻

• 門村新吾, 辰巳哲也, 長山哲治, 佐藤淳一
• 索尼股份有限公司
• 《半導體世界》第12期：1993年01月

6.利用升溫熱脫附分析裝置評估矽晶圓表面有機物

• 岡田千鶴子, 龍田次郎, 新行內隆行
• 三菱材料(株) 中央研究所
• 出處不明

7.介電薄膜生長之模型研究：以TEOS為原料之SiO2化學氣相沉積法

• J.E.Crowell, H-C.Cho, F.M.Cascarano, L.L.Tedder 與 M.A.Logan*
• 加州大學聖地牙哥分校化學系、*Lam Research Corporation 先進研究中心
• 出處不明

8.矽晶圓上吸附分子的評估

• Norikuni YABUMOTO
• NTT 跨領域研究實驗室
• 出處不明

9.運用TDS探討O2+H2O下流式腐蝕抑制機制

• 小尻英博, 松尾二郎*, 渡邊孝二, 中村守孝
• 富士通, *富士通研究所
• 電子情報通信學會技術研究報告. SDM, 矽材料・裝置 94(11), 39-46, 1994-04-21

10.矽晶圓表面吸附成分－升溫脫附法分析

• 藪本周邦
• NTT LSI研究所
• 出處不明

發表年份不明：學會摘要

1.著色氫氧基磷灰石之特性分析

• 石川剛
• 旭光學工業(株) 新陶瓷事業部
• 羥基磷灰石研究會

2.運用ZrO2載體FeOOH催化劑從油棕廢料回收有用碳氫化合物

• 增田隆夫、近藤由美、三輪正弘、向井真、橋本健司及*高野幹雄
• 京都大學工學研究科化學工程學系暨*京都大學化學研究所
• 第16屆國際化學反應工程研討會摘要集

3.SiO2孔隙內之蝕刻表面反應

• 平下紀夫、池上尚克
• 沖電氣工業株式會社 超LSI研究開發中心
• 第44屆半導體專業講習會預稿集,139