在以一定速度提升固體表面溫度之同時，透過測量因脫離化學物種所產生的壓力變化，以及脫離化學物種的量變化，藉此辨識固體表面的吸附化學物種，並獲取有關吸附量、吸附狀態及表面脫離過程等相關資訊的方法。

在控制升溫速度的同時進行測量，因此亦稱為TPD（temperature programed desorption）。

此技術不僅用於研究固體粉末樣品（如負載金屬催化劑）的表面吸附狀態，更是探究單晶表面吸附狀態的重要研究方法。

脫離化學種的鑑定及脫離量的測定，多採用四極桿質譜儀進行。

獲得了隨溫度變化而脫離的分子種序列，此即稱為升溫脫離光譜（thermal desorption spectrum）。
升溫速率為10²～10³K/s的瞬間脫附（flash desorption）至常規的10～10^-2涵蓋K/s以上的廣闊範圍。

透過分析升溫脫附光譜的形狀，以及改變升溫速率時光譜形狀的變化，可獲得關於吸附狀態的諸多見解。

※引用自岩波書店股份有限公司《理化學辭典》第5版第643頁第799項「升溫脫離法」。
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