1999：論文、期刊、書籍

1.Desorption Kinetics of Ar Implanted into Si

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

2.Effects of Halogen Ions on the X-Ray Characteristics of Gd₂O₂S:Pr Ceramic Scintillators

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

3.Process integration induced thermodesorption from SiO₂/SiLK resin dielectric based interconnects

• M.R.Baklanov*, M.Muroyama**, M.Judelewicz*, E.Kondoh*, H.Li*, J.Waeterloos***, S.Vanhaelemeersch* and K.Maex
• IMEC*, Sony Corporation**, The Dow Chemical Company***
• J.Vac.Sci.Technol.B,17,2136(1999)

1999：會議摘要

1.利用二維相關光譜法分析升溫脫附分析數據

• 杉田記男，阿部英次，宮林延良*
• 豐橋技術科學大學，*電子科学
• 第22屆資訊化學研討會論文摘要集（1999年秋季）：JP12

2.關於採用升溫脫離法研究烷硫醇SAM膜吸附狀態的研究

• 荒木暢*，盧載根*，原正彦*,**，W. Knoll*
• *理研前沿，**東京工業大學綜合理工學院
• 第60屆應用物理學會學術研討會論文集（1999年秋季）：2p-Q-8

3.Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki, M.Hara, H.Sazabe, W.Knoll
• FRP RIKEN（理研前沿）
• 第60屆應用物理學會學術研討會論文集（1999年秋季）：2p-Q-9

4.利用感應耦合等離子體化學氣相沉積法製備之SiO₂薄膜的升溫脫附氣體分析

• 服部哲也，瀬村滋，福田智恵，赤坂伸宏
• 住友電工股份有限公司
• 第60屆應用物理學會學術研討會論文集（1999年秋季）：3p-H-1

5.SiN/SiO₂薄膜中氫的熱行為

• 川島義也，劉紫園，川野英夫，平田剛*
• NEC 裝置評估技術研究所，*NEC 半導體生產技術本部
• 第60屆應用物理學會學術研討會論文集（1999年秋季）：3p-ZT-16

6.無機CVD-TiN薄膜中Cl導致鋁導線腐蝕的機制

• 平沢賢斎，中村吉孝，田丸剛，関口敏宏，福田琢也
• 日立製作所股份有限公司 裝置開發中心
• 第60屆應用物理學會學術研討會論文集（1999年秋季）：3a-ZN-2

7.Co/a-Si:H/c-Si中的矽化過程

• 草村一文，土屋正彦，吉田陽子，曽江久美，本橋光也，本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第60屆應用物理學會學術研討會論文集（1999年秋季）：3a-ZN-6

8.利用 APIMS-TDS 分析矽晶圓表面吸附水分（IV）

• 森本敏弘，上村賢一
• 新日本製鐵股份有限公司尖端技術研究所
• 第60屆應用物理學會學術研討會論文集（1999年秋季）：3a-ZQ-9

9.真空環境下S端處理GaAs(001)表面升溫脫離過程的分析

• 塚本史郎，杉山宗弘*，下田正彦，前山智*，渡辺義夫*，大野隆央，小口信行
• 金材技研，*NTT基礎研究所
• 第60屆應用物理學會學術研討會論文集（1999年秋季）：4a-ZK-3

10.高通量準分子雷射照射下非晶矽薄膜的脫氫行為

• 高橋道子，斎藤雅和，鈴木堅吉
• 日立製作所顯示器事業群
• 第60屆應用物理學會學術研討會論文集（1999年秋季）：4a-ZS-4

11.PDP用MgO薄膜蒸鍍時的氧分壓與氣體吸附特性

• 沢田隆夫，渡部勁二，福山敬二，大平卓也，衣川勝
• 三菱電機 尖端總研
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：28p-M-4

12.升溫脫離光譜中樣品末端低溫區域的校正

• 尾高憲二
• 日立製作所股份有限公司 機械研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30p-R-7

13.使用二氟對二甲苯製備的有機低介電常數薄膜之特性

• 室山雅和，森山一郎
• 索尼股份有限公司 S.C.製程開發部
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30p-ZQ-14

14.氟化非晶碳膜的層間絕緣膜適配製程

• 小関勝成，有賀美智雄
• 應用材料日本股份有限公司
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30p-ZQ-19

15.氟化非晶碳膜應用於層間膜之評估

• 松井孝幸，岸本光司，松原義久，井口学，堀内忠彦，遠藤和彦*,辰巳徹*,五味英樹
• 日本電氣株式會社 ULSI 裝置開發研究所、*矽系統研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30p-ZQ-20

16.SiO₂/Si 中氫的行為分析

• 劉紫園，川島義也，川野英男，浜田耕治*，浜嶋智宏*
• NEC 開發評估研究所，NEC UL 開發研究所*
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：29p-ZS-14

17.關於利用升溫脫離法研究非對稱二烷基二硫化物自組裝單分子膜的吸附狀態

• 荒木暢*，亀井宏二**，藤田克彦*，原正彦*,**，W. Knoll*
• 理研前沿研究所*，東京工業大學綜合理工學院**
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30p-X-17

18.關於利用非對稱二烷基二硫化物生長自組裝單分子膜之研究

• 亀井宏二*，藤田克彦**，荒木暢**，原正彦*,**，雀部博之**，W. Knoll**
• 東京工業大學綜合理工學院*，理研前沿科學研究所**
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30p-X-18

19.Destructive Adsorption and Phase Separation of Asymmetric Disulfide SAMs on AU(111) Studied by Scanning Tunneling Microscopy

• J.NOH，M.HARA，H.SASABE and W.KNOLL
• FRP, RIKEN
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30p-X-19

20.關於氫離子注入基板剝離法中晶圓直接接合製程之研究

• 山内庄一，松井正樹，大島久純
• 電裝基礎研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：31a-ZP-2

21.氫終端矽表面在濕式處理過程中的終端氫化學反應行為

• 永田陽一，藤原新也，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
• 廣島大學・工學部
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：28a-ZT-4

22.Si(100)表面上P的升溫脫附光譜測量

• 広瀬文彦，坂本仁志
• 三菱重工基礎研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：28p-ZT-11

23.採用ECR等離子體CVD法製備之硬質碳膜的熱分解行為

• 丸山一則，曽谷朋子，佐藤英樹
• 長岡技術科學大學 工
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：29a-M-2

24.真空表面上的氫氣行為　序論

• 塚原園子
• 日本真空技術 筑波超材料研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：29a-ZH-1

25.鋼中氫的存在狀態與晶格缺陷

• 南雲道彦
• 早稻田大學 理工學部 物質開發工學系
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：29a-ZH-2

26.氫在鑽石表面的行為

• 川原田洋
• 早稻田大學 理工學部，CREST
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：29a-ZH-6

27.利用 APIMS-TDS 分析矽晶圓表面的吸附水分(III)

• 森本俊弘，上村賢一
• 新日本製鐵股份有限公司 尖端技術研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：29a-ZT-4

28.利用 8 吋晶圓用升溫脫離測定裝置對 SiO₂ 薄膜進行評估

• 稲吉さかえ，塚原園子，斎藤一也，星野洋一*,原康博*
• 日本真空技術株式會社 筑波超材研，*日本真空技術株式會社 超高（事）
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：29a-ZT-5

29.鑽石C(111)面上的NO雷射光刺激脫附

• 山田太郎*,関元**,荘東榮***
• *早稻田大學材料研究所，**IBM阿爾馬登研究所，***台灣中央研究院原子與分子科學研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30a-L-3

30.鈦金屬平滑加工對表面氧化層與氣體釋放特性的影響

• 石川一政，水野善之，岡田隆弘，本間禎一
• 千葉工業大學
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30p-R-2

31.具有希拉贊鍵結的低介電常數SOG薄膜特性

• 田代裕治，櫻井貴昭，清水泰雄
• 東燃股份有限公司
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30p-ZQ-6

32.含乙烯基的二氧化矽薄膜之XeF₂退火處理

• 佐野泰之*,菅原聡，宇佐美浩一，服部健雄*,松村正清
• 東京工業大學 工學部，*武藏工業大學 工學部
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：30p-ZQ-7

33.Ni/a-Si:H 堆疊膜中的界面反應與矽化過程（II）

• 吉田陽子，曽江久美，本橋光也，本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）：31a-ZQ-6

34.利用 SIMS 及 TDS 評估 a-Si:H 中氫濃度

• 三上朗，鈴木崇之
• 三洋電機股份有限公司新材料研究所
• Journal of Surface Analysis, Vol6(No3), A-20(1999)

35.DRY ETCHING OF PZT FILMS WITH CF 4 /Ar HIGH DENSITY PLASMA

• Chanro Park, Jun Hee Cho, Chang Ju Choi, Yeo Song Seol, and II Hyun Choi
• Semiconductor Advanced Research Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
• Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.541, p113, 1999 Materials Research Society

1998：論文、期刊、書籍

1.利用TG-MS解析陶瓷薄膜及粉末的形成過程

• 澤田豊, 西出利一*, 松下純一**
• 東京工藝大學工學部、*日本大學工學部、**東海大學工學部
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,289(1998)

2.在材料研究中TPD-MS(Temperature Programmed Desorption or Decomposition Mass-Spectrumetry)的應用

• 朝比奈均, 谷口金二
• 三菱化學株式會社筑波研究所
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,357(1998)

3.Structure-Dependent Change of Desorption Species from n-alkanethiol Monolayers Adsorbed on Au(111): Desorption of Thiolate Radicals from Low-Density Structures

• H.Kondoh, C.Kodama, and H.Nozoye
• J.Phys.Chem.B,102,2310(1998)

4.Kinetic Analysis of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films by In Situ Observation

• H.Tanaka, N.Hirashita, and R.Sinclair
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,37,4284(1998)

5.Controlling the Amount of Si-OH Bonds for the Formation of High-Quality Low-Temperature Gate Oxides for Poly-Si TFTs

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, Kenji Sera*, and fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation and *Electronic Component Development Division, NEC Corporation
• Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,508,167(1998)

6.利用升溫脫離法評估經冷拉加工之純鐵及共析鋼的氫氣吸附特性

• 高井健一*1, 山内五郎*1, 中村真理子*2, 南雲道彦*2
• *1)日本電信電話株式會社技術協力中心 *2)早稻田大學理工學部
• 日本金屬學會誌, 62, 3, 267-275(1998)

1998：會議摘要

1.銅離子在介孔鋁矽酸鹽中的交換及其特性

• 寺岡靖剛, 高橋基信, 瀬戸口由加子, 朝長成之*, 安武昭典*, 泉順*, 森口勇, 鹿川修一
• 長崎大工, *三菱重工
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）113(1998.3)：2P55

2.一氧化氮在二氧化鈦粉末表面的吸附與升溫脫附

• Wang Yang, 柳沢保徳
• 奈良教育大學
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）115(1998.3)：2P57

3.NH3-TPD光譜所得吸附焓與脫附活化能分布之比較

• 増田隆夫, 藤方恒博, 橋本健治
• 京都大學工學研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）24(1998.3)：1P24

4.二氧化矽上光催化烯烴轉位反應的活性物種

• 田中庸裕, 松尾繁展, 竹中壮, 吉田寿雄*, 船引卓三, 吉田郷弘
• 京都大學工學研究所、名古屋大學工學研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）34(1998.3)：1P34

5.鍶鈦酸鹽系鈣鈦礦型氧化物的NO直接分解活性

• 横井泰治, 内田洋
• 東京瓦斯基礎研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）40(1998.3)：1P40

6.Pt/HZSM-5 催化下的噻吩氫化脫硫反應

• 黒坂忠弘, 杉岡正敏
• 室蘭工業大學
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）51(1998.3)：1P51

7.利用鈦酸鹽載體沸石催化劑還原NOx

• 岩戸弘, 古南博, 橋本圭司*, 計良善也
• 近畿大學理工學院、*大阪市工業研究所
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1999年春季）53(1998.3)：1P53

8.銅離子交換沸石上NOx型吸附物的分解機制

• 小野博信, 奥村耕平, 下川部雅英, 竹澤暢恒
• 北海道大學工學研究所
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,131(1998.9)：3D425

9.CH4-SCR中活性鈀沸石內鈀種的探討

• 小倉賢, 鹿毛晋, 菊地英一
• 早稻田大學理工學院
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,132(1998.9)：3D426

10.鈦處理對銀-氧化鋁催化劑上NOx選擇性還原反應之影響

• 後藤一郎, 山口真, 王正明, 熊谷幹郎
• (財)產業創造研究所
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,134(1998.9)：3D428

11.採用脈衝法於載體Ph催化劑上進行的N2O分解反應

• 青柳健司, 湯崎浩一, 上塚洋, 伊藤伸一, 国森公夫
• 筑波大學物資工程系
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,147(1998.9)：4D414

12.固溶體Co-MgO催化劑上N₂O分解反應中的O₂脫離機制

• 押原健三, 秋鹿研一*
• 山口東京理科大學基礎工學系，*東京工業大學綜合理工學院
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,148(1998.9)：4D415

13.一氧化氮及一氧化碳在鍶鈦酸鹽粉末上的吸附與升溫脫附

• 江戸暢子, 稲生加奈子, 徳留志穂, 柳澤保徳
• 奈良教育大學
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,2(1998.9)：1P202

14.吸附於 Ni(110) 表面的羧酸之分解反應

• 山片啓, 久保田純, 野村淳子, 広瀬千秋, 堂面一成, 若林文高*
• 東京工業大學資源研究所、*國立科學博物館
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,207(1998.9)：3D601

15.金雲母催化劑在醇類脫氫反應中的應用

• 橋本圭司, 東海直治
• 阪市工研
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,21(1998.9)：1P222

16.以添加鋁、鋅、鎘鹽的FSM-16為催化劑進行氣相貝克曼轉位——催化劑的酸鹼性、活性及產物選擇性－

• 正路大輔, 中島剛
• 信州木匠
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,22(1998.9)：1P223

17.各種金屬氧化物上鎢氧化物單分子層催化劑的表面結構與酸性質

• 内藤宣博, 片田直伸, 丹羽幹
• 鳥取木匠
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,233(1998.9)：4D603

18.利用Co2(CO)8進行Co/Al2O3固定化催化劑表面的複合設計及其催化特性之研究

• 高村公啓, 紫藤貴文, 朝倉清高, 岩澤康裕
• 東京大學理學研究所
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,237(1998.9)：4D607

19.Ga-MCM-41的結構與酸性質

• 奥村和, 西垣亨一, 丹羽幹
• 鳥取木匠
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,254(1998.9)：3D702

20.不同填充量鋁氧化物交聯雲母的調製及其酸性質

• 北林茂明, 鎌田有希子, 進藤隆世志, 小沢泉太郎
• 秋田的工資
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,262(1998.9)：3D710

21.SO4(2-)-ZrO2 catalysts for isomerization of n-butane. Study of deactivation process and characterization of coke deposits

• C.R.Vera, C.L.Pieck*, K.Shimizu, C.A.Querini*, J.M.Parera*
• National Institute for Resources and Environment (Japan), *INCAPE (Argentina)
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,273(1998.9)：3D721

22.利用水蒸氣處理-氨昇溫脫附法測定矽鐵酸鹽的酸性性質

• 宮本哲夫, 片田直伸, 丹羽幹, 松本明彦*, 堤和男*
• 鳥取大學工學院, *豐橋技術科學大學
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,298(1998.9)：4D721

23.鈣鈦礦型氧化物催化劑的NO直接分解活性與電子態之間的關聯

• 横井泰治, 安田勇, 内田洋, *岡田治, **中村泰久, ***川崎春次
• 東京瓦斯、*大阪瓦斯、**東邦瓦斯、***西部瓦斯
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,323(1998.9)：3D824

24.氧化鋯載體硫酸根單分子層固體超強酸催化劑對弗里德爾-克拉夫茨反應的活性

• 安信直子, 遠藤純一, 片田直伸, 丹羽幹
• 鳥取木匠
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,343(1998.9)：4D819

25.CFC分解用磷酸鋁系催化劑的開發(5)

• 二宮麻衣子, 若松広憲, 西口宏泰, 石原達己, 滝田祐作
• 大分木匠
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,35(1998.9)：2P205

26.V,W取代型12-鉬磷酸催化劑的還原

• 森田トヨ子, 上田渉*, 秋鹿研一
• 東京工業大學綜合理工學院，*山口東理大學基礎工學系
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,5(1998.9)：1P205

27.吸附在金屬氧化物上的丙烯部分氧化反應

• 上田厚, 小林哲彦
• 大工研
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,71(1998.9)：3D317

28.利用Pd複合蒸鍍薄膜研究甲醇分解反應

• 佐々木基, 伊藤建彦, 浜田秀昭
• 工技院物資研究所
• 第82屆催化劑研討會 A 演講摘要集,9(1998.9)：1P209

29.固定化Co(II)/Al₂O₃催化劑上NO-CO反應的新機制

• 山口有朋, 紫藤貴文, 朝倉清高, 岩澤康裕
• 東京大學理學系研究所
• 第82屆催化劑研討會 B場次演講摘要集,360(1998.9)：1D105

30.氧化錫載體氧化鉬薄層上生成的固態酸點在甲醇氧化反應中的催化作用

• 丹羽幹, 五十嵐淳也, 片田直伸
• 鳥取大學工學部
• 第82屆催化劑研討會 B場次演講摘要集,442(1998.9)：1D206

31.二氧化碳與甲烷反應生成乙烷與乙烯

• 王野, 高橋喜元, 大塚康夫
• 東北大學反應化學研究所
• 第82屆催化劑研討會 B場次演講摘要集,458(1998.9)：1D211

32.利用單一氧化物載體鉑催化劑進行的低溫甲烷燃燒

• Widjaja Hardiyanto, 関澤好史, 江口浩一
• 九州大學研究生院綜合理工學研究科
• 第82屆催化劑研討會 B場次演講摘要集,466(1998.9)：1D213

33.FSM-16 作為固態酸的催化特性

• 山本孝, 田中庸裕, 船引卓三, 吉田郷弘
• 京都大學工學研究科
• 第82屆催化劑研討會 B場次演講摘要集,494(1998.9)：2D207

34.微結晶矽中晶界缺陷的各向異性

• 近藤道雄, 府川真, 郭里輝, 松田彰久
• 電力總研・薄膜矽系太陽能電池超級實驗室
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：15a-ZC-10

35.CH₂F₂在氧化膜蝕刻中的添加效果

• 新村忠, 大宮可容子, 金田直也*, 松下貴哉*
• 東芝株式會社 生產技術研究所, *東芝株式會社 半導體生產技術推進中心
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：15a-C-5

36.大氣中及真空環境下加熱對螢光膜吸附氣體特性的影響

• 山根未有希, 平沢重実*, 小関悦弘**
• 日立製作所株式會社 機械研究所, *日立製作所株式會社 家電・資訊媒體事業本部, **日立裝置工程株式會社
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：15p-M-5

37.Ni/a-Si:H 堆疊膜中的界面反應與矽化過程(I)

• 吉田陽子, 茂木梓, 曽江久美, 本橋光也, 本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：15p-ZL-16

38.三-n-丁基膦在金剛石C(001)表面的表面反應基本過程

• 西森年彦, 坂本仁志, 高桑雄二*,**
• 三菱重工業・基礎研究部，*東北大學・科研，**科技團「先鋒」計畫
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：16p-N-6

39.經氫處理之鍺摻雜二氧化矽玻璃中氫氣釋放的溫度依賴性

• 笠原敏明, 藤巻真, 大木義路, 加藤真基重*, 森下裕一*
• 早稻田大學, *昭和電線
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：16p-P13-7

40.針對半導體層間膜製程開發之吸濕特性評估方法之開發

• 大嶽敦, 小林金也, 伊藤文俊*, 高松朗*
• 日立製作所株式會社 日立研究所, *日立製作所株式會社 半導體事業部
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：17a-ZG-1

41.低誘電率・低吸湿性有機SOG膜の作成

• 山田紀子, 高橋徹
• 新日鐵株式會社 尖端技術研究所
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：17p-ZG-3

42.低介電常數多孔質SOG膜的特性

• 荒尾弘樹, 藤内篤, 江上美紀, 村口良, 井上一昭, 中島昭, 小松通郎
• 觸媒化成工業股份有限公司
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：17p-ZG-4

43.高濃度苯基含矽膜的評估

• 佐野泰之*, 宇佐美浩一, 菅原聡, 服部建雄*, 松村正清
• 東京工業大學 工學部, *武藏工業大學 工學部
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：17p-ZG-9

44.氬離子注入矽的升溫脫附訊號與非晶矽內氬分布變化之間的關係

• 中田穣治, 薮本周邦*
• NTT 基礎研究所, *NTT-AT
• 第59屆應用物理學會學術研討會論文集（1998年秋季）：18a-ZL-4

45.極微細孔內的表面反應

• 金森順, 池上尚克, 平下紀夫
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI研發中心
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：29a-ZR-2

46.全芳香族聚醚系高分子層間絕緣膜

• 北孝平
• 旭化成工業 基礎研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：30p-M-4

47.矽晶圓表面有機物的吸附與脫附行為

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼株式會社 半導體公司 超LSi研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：28p-PB-6

48.利用 APIMS-TDS 分析晶圓表面吸附水分

• 森本敏弘, 上村賢一
• 新日本製鐵股份有限公司 尖端技術研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：28p-PB-7

49.晶圓表面吸附有機物的吸附與脫附行為

• 白水好美, 田中傑, 北島洋, 名取巌*
• 日本電氣株式會社、日立東京電子
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：28p-PB-8

50.退火對 MOCVD-BST 的影響

• 上田路人, 大塚隆, 森田清之
• 松下電器產業株式會社 中央研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：28p-ZF-9

51.乙炔吸附於Si(100)表面之氫離去

• 中澤日出樹, 末光眞希
• 東北大學 電信研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：29a-YG-11

52.Si表面上Si氫化物的吸附與氫離解過程

• 末光眞希
• 東北大學 電信研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：29a-ZR-5

53.精密化學研磨在超高真空材料表面處理中的應用

• 稲吉さかえ, 斉藤一也, 佐藤幸恵, 塚原園子, 石澤克修*, 野村健*, 嶋田晃久*, 金澤実**
• 日本真空技術股份有限公司, *三愛石油股份有限公司, **三愛プラント工業股份有限公司
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：29p-X-10

54.不鏽鋼表面之水升溫脫附特性

• 田中智成, 竹内協子, 辻泰
• 阿爾巴克股份有限公司 企業中心
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：29p-X-5

55.Si薄膜鍍層不鏽鋼的低氣體釋放特性

• 稲吉さかえ, 佐藤幸恵, 塚原園子, 金原粲*
• 日本真空技術股份有限公司，*金澤工業大學
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：29p-X-7

56.LPD低介電常數有機二氧化矽薄膜（II）－含各種有機基團的耐熱性－

• 小林光男*, 住村和仁, 菅原聡, 服部健雄*, 松村正清
• 東京工業大學 工學部、*武藏工大 工學部
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：30a-M-10

57.CO/a-Si：H 中的矽化物形成(Ｉ)

• 古林治, 土屋正彦, 曽江久美, 本橋光也, 本間和明
• 東京電機大學 工學部
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：30a-N-5

58.N₂及NH₃中CO矽化物的形成過程——殘留氧氣的影響－

• 堤紀久子, 杉山龍男*, 江藤竜二*, 神前隆**, 小川真一*
• 松下電子工業株式會社 微控制器事業部、*松下電子工業株式會社 專業開發中心、**松下科技研究株式會社
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：30a-N-6

59.關於利用 H₂O 等離子體抑制 HSQ 薄膜劣化之灰化處理之研究

• 玉岡英二, 青井信雄, 上田哲也, 山本明広, 真弓周一
• 松下電器產業股份有限公司 製程開發中心
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：30p-M-10

60.低介電常數有機層間絕緣膜的高溫特性

• 高相純, 富沢友博, 猪留健, 原徹
• 法政大學 工學部
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：30p-M-7

61.低介電常數離子注入有機SOG薄膜的熱脫附特性

• 松原直輝, 水原秀樹, 渡辺裕之, 実沢佳居, 井上恭典, 花房寛, 吉年慶一
• 三洋電機股份有限公司 微電子研究所
• 第45屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1998年春季）：30p-M-9

1997：論文、期刊、書籍

1.Roles of Surface Functional Groups on TiN and SiN Substrates in Resist Pattern Deformations

• Ryoko Yamanaka, Toshiyuki Mine, Toshihiko Tanaka and Tsuneo Terasawa
• Central Research Laboratory, HItachi Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,7620(1997)

2.Formation and Exchange Processes of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111) Studied by Thermal Desorption Spectroscopy and Scanning Tunneling Microscopy

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,2379(1997)

3.Evidence that carbide precipitation produces hydrogen traps in Ni17Cr8Fe alloys

• G.A. Young and J.R. Scully
• Center for Electrochemical Science & Engineering, Department of Materials Science and Engineering, The University of Virginia
• Scripta Meterialia,No6,713(1997)

4.Improvement of structural and electrical properties in low-temperature gate oxides for poly-Si TFTs by controlling O2/SiH4 ratios

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, and Fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation
• Digest of Technical Papers AMLCD '97, (1997)pp.87-90

5.A method for calculation the activation energy distribution for desorption of ammonia using a TPD spectrum obtained under desorption control conditions

• Takao Masuda, Yoshihiro Fujikata, Hideo Ikeda, Shun-ichi Matsushita, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,162,29(1997)

6.A method of calculating adsorption enthalpy distribution using ammonia temperature-programmed desorption spectrum under adsorption equilibrium conditions

• Takao Matsuda, Yoshihiro Fujikawa, Shin R. Mukai, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,165,57(1997)

7.電路板表面污染物分析法：升溫脫附分析

• 薮本周邦
• NTT Advanced Technology
• 半導體製程環境中的化學污染及其對策，Realize公司,p291

1997：會議摘要

1.利用TDS與FT-IR評估Si氧化膜的膜質

• 寺田久美, 梅村園子, 寺本章伸*, 小林清輝*, 黒川博志, 馬場文明
• 三菱電機株式會社 尖端總研、*UL研
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：2a-D-10

2.降低 PECVD-SiO₂ 閘極絕緣層中的結構水含量

• 湯田克久, 田辺浩, 世良賢二, 奥村藤男
• NEC 功能電子研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：3p-K-3

3.氦氣與氫氣兩段注入矽晶圓上的氣泡形成行為

• 中嶋健, 高田涼子, 須藤充, 貝沼光浩*, 中井哲弥, 冨澤憲治
• 三菱材料矽業股份有限公司 技術本部 開發中心，*三菱材料股份有限公司 綜合研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：3p-PB-2

4.透過 TDS 直接觀察 Smart-Cut 的運作行為(２)

• 高田涼子, 高石和成, 冨澤憲治
• 三菱材料矽業股份有限公司 技術本部 開發中心
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：3p-PB-3

5.利用TDS對C49/C54 TiSi₂相變進行原位觀測

• 田中宏幸, 平下紀夫, 北明夫
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI研發中心
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：4a-D-10

6.ECR-CVD SiOF 薄膜中氟離子脫離的影響

• 宇佐見達矢, 五味秀樹
• NEC ULSI 裝置開發研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：4a-K-5

7.關於透過氟改性降低氫化硅氧烷介電常數之研究

• 中田義弘, 福山俊一, 片山倫子, 山口城
• 富士通研究所股份有限公司
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：4p-K-15

8.甲基硅烷-H₂O₂系自平坦化CVD製程

• 松浦正純, 井内敬彰*, 増田員拓*, 益子洋治
• 三菱電機株式會社 ULSI開發研究所、*菱電半導體株式會社
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：4p-K-2

9.無機多孔膜SOG材料（HPS）的物理性質評估

• 村口良, 中島昭, 小松通郎, 大倉嘉之*, 宮嶋基守*, 原田秀樹**, 福山俊一**
• 觸媒化成工業股份有限公司 精密研究所、*富士通股份有限公司、**富士通研究所股份有限公司
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：4p-K-7

10.螢光體粉末與水玻璃的氣體釋放特性

• 山根美有希, 高橋主人*, 平沢重実**, 小関悦弘***
• 日立製作所株式會社 機械研究所、*笠戶工廠、**電子元件事業部、***日立元件工程株式會社
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：4p-ZT-8

11.對離子注入矽晶圓表面有機物吸附的評估

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼株式會社 半導體公司 超LSI研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：3p-D-2

12.晶圓盒儲存時，抗氧化劑（BHT）在矽晶圓上的吸附形態

• 今井利彦, 水野亨彦, 波多野徹
• 信越半導體股份有限公司 半導體白河研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：3p-D-4

13.各種清洗後，無塵室對矽表面的有機物污染及其透過再次清洗予以去除

• 中森雅治, 青砥なほみ
• NEC ULSI 裝置開發研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：3p-D-5

14.利用 APIMS-TDS 分析矽晶圓表面吸附的異丙醇

• 森本敏弘, 上村賢一
• 新日本製鐵股份有限公司 尖端技術研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：3p-D-7

15.透過H+注入製備的空隙切割SOI(４)

• 柿崎恵男, 原徹, 井上森雄*, 梶山健二*
• 法政大學 工學部, *離子工程研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：3p-PB-4

16.利用 1 MeV H+ 滲透形成單晶矽薄膜

• 中田穣治, 西岡孝*
• NTT 基礎研究所、*NTT 光電子研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：3p-ZK-12

17.低介電常數氟碳膜的高溫特性

• 高相純, 富沢友博, 猪留健, 原徹, Yang*, D.Evans*, 柿崎恵三**
• 法政大學 工學部, *SMT, **夏普ULSI研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：4a-K-8

18.利用苯研究α-C：H膜的特性

• 鄭 他
• 三星電子股份有限公司 半導體研究所
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：4p-YA-3

19.利用純電解陽極水沖洗微細孔內殘留的硫酸成分

• 山崎進也, 青木秀充, 青砥なほみ, 二ツ木高志*, 山下幸福*, 山中弘次*
• NEC ULSI 裝置開發研究所、*Organo 股份有限公司
• 第58屆應用物理學會學術研討會論文集（1997年秋季）：5a-D-8

20.多金屬佈線（VIII）——WNX薄膜中氮的脫離過程～

• 中嶋一明, 赤坂泰志, 宮野清孝, 高橋護*, 末廣信太郎*, 須黒恭一
• 東芝股份有限公司 微電子技術研究所、*東芝股份有限公司 環境技術研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：28a-PB-14

21.SiH4-H2O2系CVD氧化膜製程中NMOS熱載流子可靠性評估

• 久保誠, 八尋和之, 冨田健一
• 東芝股份有限公司 半導體生產技術推進中心
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：28p-F-18

22.利用三乙氧基硅烷（TRIES）製備的二氧化矽薄膜（II）

• 服部覚, 原田勝可
• 東亞合成股份有限公司 新材料研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：29p-F-13

23.透過 TDS 直接觀察 Smart-Cut 的運作行為

• 高田涼子, 高石和成, 冨沢憲治
• 三菱材料矽業股份有限公司 技術本部 開發中心
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：29p-G-11

24.對乾燥後晶圓表面殘留吸附性IPA的評估

• 嵯峨幸一郎, 岡本彰, 国安仁, 服部毅
• 索尼株式會社 半導體公司 超LSI研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：30p-D-11

25.甲基硅烷-H₂O₂系自平坦化CVD製程(１)

• 松浦正純, 増田員拓*, 井内敬彰*, 益子洋治
• 三菱電機株式會社 ULSI開發研究所、*菱電半導體株式會社
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：30p-F-14

26.SiH4/H2O2 CVD氧化膜的成膜特性

• 吉江徹, 下川公明, 吉丸正樹
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI研發中心
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：30p-F-15

27.利用氫自由基形成高可靠性的 SiOF 薄膜

• 福田琢也, 佐々木英二*, 細川隆, 小林伸好
• 日立製作所株式會社 半導體技術開發中心、*日立超LSI工程
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：30p-F-20

28.半導體層間絕緣膜中水分子受熱脫離的光譜分析

• 大嶽敦, 小林金也, 加藤聖隆*, 福田琢也*
• 日立製作所株式會社 日立研究所, *日立製作所株式會社 半導體事業部
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：30p-F-21

29.非E.B.聚硅氮烷SOG的成膜特性

• 斎藤政良, 平沢賢斎, 坂井健志, 堀田勝彦*, 加藤聖隆, 高松朗, 小林伸好
• 日立製作所株式會社 半導體事業部, *日立微控制器
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：30p-F-5

30.低介電常數 HSQ 薄膜特性的結構依賴性

• 後藤欣哉, 北沢良幸*, 松浦正純, 益子洋治
• 三菱電機株式會社 ULSI開發研究所、*三菱電機株式會社 尖端技術綜合研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：30p-F-8

31.透過氫離子注入形成矽薄膜層

• 柿崎恵男, 木花岳郎, 大島創太郎, 原徹, 井上森雄*, 梶山健二*
• 法政大學工學部、*離子工程研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：29p-G-12

32.PH₃在 Si(100) 表面的室溫吸附過程

• 築舘厳和, 末光眞希
• 東北大學 電信研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：29p-ZN-10

33.SiH₄ 及 Si₂H₆ 在 P 覆層 Si(100) 表面的室溫吸附

• 築舘厳和, 末光眞希
• 東北大學 電信研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：29p-ZN-11

34.Si(100)表面上的碲吸附結構

• 田宮健一, 大谷卓也, 武田康, 浦野俊夫, 福原隆宏, 金子秀一, 本郷昭三
• 神戶大學 工學部
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：29p-ZN-2

35.利用MDS與TDS研究Cs與D在Si(100)表面上的共吸附結構

• 長谷部弘之, 清水将之, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神戶大學 工學部
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：29p-ZN-4

36.Li, D 透過 MDS 與 TDS 觀測共吸附於 Si(100) 表面的現象

• 福原隆宏, 金子秀一, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神戶大學 工學部
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：29p-ZN-5

37.從共吸附了Ba、D的Si(100)表面脫離氘的機制

• 小嶋薫, 藤内重良, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神戶大學 工學部
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：29p-ZN-6

38.微細孔洞內的殘留硫酸成分

• 山崎進也, 青木秀充, 西山岩男*, 青砥なほみ
• NEC ULSI 裝置開發研究所、*NEC 微電子研究所
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：30p-D-8

39.SiOF膜中水分對介電常數的影響

• 上田聡, 菅原岳, 上田哲也, 玉岡英二, 真弓周一
• 松下電器產業股份有限公司 半導體研究中心
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：30p-F-18

40.利用電子束照射改善氫化硅二氧烷無機SOG的膜質

• 楊京俊, 崔東圭, 王時慶, L. Forster, 中野正
• Allied Signal AMM
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：30p-F-2

41.利用 TOF-ESD 與 FTIR 原位觀測研究金屬表面的 CO 吸附

• 上田一之, 伊達正和, 芳村雅満, 白輪地菊雄*, 西沢誠治*
• 豐田工業大學（研究所），日本分光
• 第44屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1997年春季）：31a-ZN-7

42.New Low Dielectric Constant Siloxane Polymers

• Nigel P. Hacker
• Allied Signal Inc., Advanced Microelectronic Materials
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

43.HSQ膜特性的結構依賴性

• 松浦正純
• 三菱電機股份有限公司 ULSI 開發研究所
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

1996：論文、期刊、書籍

1.Dimerization Process in Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,L799(1997)

2.Thermal Desorption Spectroscopy of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,5866(1997)

3.平下紀夫的學位論文

• 平下紀夫
• 沖電氣工業株式會社 超LSI開發中心
• 電氣通信大學(1996)

4.Si基板表面吸附物的熱脫附行為

• 神保智子, 石川勝彦*, 伊藤雅樹*, 津金賢, 田辺義和, 斎藤由雄, 富岡秀起
• 日立製作所 裝置開發中心, *日立製作所 半導體事業部
• IEICE技術報告　TECHNICAL REPORT OF IEICE., ED96-11, SDM96-11, 75(1996)

5.Extreme Trace Analysis for Clean Process of LSI Fabrication

• Norikuni Yabumoto
• NTT Advanced Technology Corporation
• NTT REVIEW,8,70(1996)

6.Thermal Desorption Spectroscopy of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition

• Mikio Yamamuka, Takaaki Kawahara, Tetsuro Makita, Akimasa Yuuki and Kouichi Ono
• Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp. 729-735

1996：會議摘要

1.Evidence for Asymmetrical Hydrogen Profile in Thin D2O Oxidized SiO2 by SIMS and Modified TDS

• Kouichi MURAOKA, Shin-ichi TAKAGI and Akira TORIUMI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.500-502

2.Significant Effect of OH inside Silicon Chemical Oxides on AHF(Anhydrous Hydrofluoric Acid) Etching

• Kouichi MURAOKA, Iwao KUNISHIMA, Nobuo HAYASAKA and Shin-ichi TAKAGI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.521-523

3.利用 TDS 升溫脫離分析評估熱氧化膜中的氫含量

• 寺田久美, 黒川博志, 小林清輝*, 川崎洋司*
• 三菱電機株式會社 尖端總研、*UL研
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：7a-H-3

4.殘留氟加速有機物在晶圓表面的吸附

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼株式會社 半導體公司 超LSI研究所
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：8a-L-7

5.晶圓表面吸附物對接合界面的影響

• 高田涼子, 大嶋昇, 高石一成, 冨沢憲治, 新行内隆之*
• 三菱材料矽業股份有限公司 技術本部 開發中心, *三菱材料矽業股份有限公司 技術本部 製程技術部
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：8p-L-6

6.LPCVD-SiN薄膜中由氫引起的熱載流子壽命劣化現象(２)

• 内田英次, 時藤俊一, 渋沢勝彦*, 村上則夫*, 中村隆治*, 青木浩*, 山本祐広*, 平下紀夫
• 沖電氣工業株式會社 超LSI研發中心、*沖電氣工業株式會社 製程技術中心
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：8p-R-18

7.利用分子軌道法分析SiOF薄膜成膜用氣體的分子解離反應

• 大嶽敦, 小林金也, 田子一農, 福田琢也*, 細川隆*, 加藤聖隆*
• 日立製作所株式會社 日立研究所, *日立製作所株式會社 半導體事業部
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：9a-H-1

8.碳含量變化對有機SOG平整化特性的影響

• 平沢賢斎, 斎藤政良, 加藤聖隆
• 日立製作所股份有限公司 半導體事業部
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：9a-H-20

9.利用(C2H5O)3SiF／(C2H5O)3SiH進行PECVD法製備SiOF薄膜的成膜特性

• 鬼頭英至, 室山雅和, 佐々木正義
• 索尼株式會社 半導體公司 第1 LSI 部門
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：9a-H-5

10.氟添加SiO膜吸濕機制的探討

• 室山雅和, 芳賀豊, 佐々木正義
• 索尼股份有限公司 S.C. 第1 LSI 部門
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：9a-H-9

11.Si晶圓表面附著有機物的觀察

• 松尾千鶴子, 高石一成, 冨沢憲治, 新行内隆之*
• 三菱材料矽業股份有限公司 技術本部 開發中心, *三菱材料矽業股份有限公司 技術本部 製程技術部
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：9a-L-8

12.Pd/a-Si：H/c-Si 堆疊膜中的矽化過程(１)

• 安藤伸一, 古林治, 安達久美, 本橋光也, 本間和明
• 東京電機大學 工學部
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：7p-N-18

13.Si(100)表面上的高階氫離子脫離過程

• 中澤日出樹, 末光眞希, 宮本信雄*
• 東北大學 電信研究所，*東北學院大學 工學部
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：8p-W-12

14.利用MDS觀測Cs與D共吸附於Si(100)表面的現象

• 長谷部弘之, 福原隆宏, 小嶋薫, 清水将之, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神戶大學 工學部
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：8p-W-13

15.利用HREELS研究塔沙丁基膦在Si(001)表面上的分解過程

• 金田源太, 眞田則明, 福田安生
• 靜岡大學 電子研究所
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：8p-W-17

16.經電子束固化處理之有機SOG薄膜的特性分析

• 崔東圭, J. Kennedy, L. Forster, 中野正
• Allied Signal AMM
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：9p-H-17

17.利用 TD-APIMS 觀察離子注入缺陷中的氫捕獲

• 薮本周邦, 佐藤芳之*, 斎藤和之**
• NTT 邊界研究所, *NTT LSI研究所, **會津大學
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：9p-L-1

18.透過H+注入製備的空隙切割SOI(２)

• 柿崎恵男, 木花岳郎, 大島創太郎, 北村平, 原徹
• 法政大學 工學部
• 第57屆應用物理學會學術研討會論文集（1996年秋季）：9p-P-2

19.利用 SiH4/CF4 氣體製備的偏壓 ECR-CVD SiOF 薄膜特性

• 宇佐美達矢, 石川拓, 本間哲哉
• NEC ULSI 裝置開發研究所
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：26a-N-10

20.低介電常數PTFE薄膜的評估

• 長谷川利昭, 松澤伸行*, 門村新吾, 青山純一
• 索尼株式會社 超LSI研究所、*中央研究所
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：26a-N-2

21.Hydrogen Silsesquioxane(HSQ)介電常數評估

• 宮永隆史, 佐々木直人, 亀岡克也, 森山一郎, 佐々木正義
• 索尼株式會社 半導體公司 第一LSI部門
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：26a-N-6

22.利用離子注入法改質有機SOG薄膜(V)

• 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行, 豆野和延
• 三洋電機股份有限公司 微電子研究所
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：26a-N-7

23.LPCVD-SiN薄膜中由氫引起的熱載流子壽命劣化現象

• 時藤俊一, 渋沢勝彦, 村上則夫*, 内田英次, 中村隆治*, 青木浩*, 山本祐広*, 平下紀夫
• 沖電氣工業株式會社 超LSI研發中心、製程技術中心
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：27p-E-4

24.塑膠盒釋放出的有機添加劑吸附於晶圓表面的機制

• 嵯峨幸一郎, 古谷田作夫, 服部毅
• 索尼株式會社 半導體公司 超LSI研究所
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：27p-F-12

25.無水氫氟酸氣體對原位自然氧化膜的蝕刻機制

• 村岡浩一, 國島巌, 早坂伸夫, 高木信一, 鳥海明
• 東芝股份有限公司 ULSI研究所
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：28a-K-3

26.Bias ECR CVD SiO膜の放出ガスのW Plug對流程的影響

• 芳賀豊, 室山雅和, 佐々木正義
• 索尼株式會社 半導體公司 第一LSI部門
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：29p-N-8

27.透過四甲基四烷／氧自由基反應形成低介電常數絕緣膜

• 奈良明子, 伊藤仁
• 東芝股份有限公司 ULSI研究所
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：26a-N-1

28.吸附於石墨表面的氧氣在升溫時脫離

• 吉田巌, 杉田利男*, 野口峰男*
• 東京理科大學 基礎工學系, *工學部
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：26a-PA-12

29.透過a-Si：H薄膜結構的微結晶化過程進行評估(III)

• 中島郷子, 大嶋孝文, 本橋光也, 本間和明
• 東京電機大學 工學部
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：26a-TC-10

30.SiOF膜吸濕性的研究

• 篠原理華, 工藤寛, 武石俊作, 山田雅雄
• 富士通股份有限公司 製程開發部
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：26p-N-12

31.氧離子注入矽基板上SiO的脫離

• 石川由加里, 柴田典義
• 精密陶瓷中心
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：27p-P-9

32.利用升溫脫離法評估純鈦的真空特性

• 穐谷修二, 本間禎一
• 千葉工業大學
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1996年春季）：28p-ZL-3

1995：論文、期刊、書籍

1.The distribution of activation energy for hydrogen desorption over silica-supported nickel catalysts determined from temperature-programmed desorption spectra

• Masahiko Arai, Yoshiyuki Nishiyama, ＊Takao Masuda, ＊Kenji Hashimoto
• Institute for Chemical Reaction Science, Tohoku University, ＊Depertment of Chemical Engineering, Kyoto University
• Appl.Surf.Sci.,89,11(1995)

2.升溫脫離分析在矽表面評估中的應用

• 薮本周邦
• NTT Advanced Technology
• 表面技術,46,47(1995)

3.X-Ray Photoelectron Spectroscopic Studies on Pyrolysis of Plasma-Polymerized Fluorocarbon Films on Si

• Ken FUJITA, Yasuhiro MIYAKAWA and Norio HIRASHITA
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,304(1995)

4.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya*, N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd., *Process Technology Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,1021(1995)

5.Reaction Studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• N.Hirashita, Y.Miyakawa, K.Fujita and J.Kanamori
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,2137(1995)

6.Direct analysis of contamination in submicron contact holes by thermal desorption spectroscopy

• Hidemitsu Aoki, Yuden Teraoka*, Eiji Ikawa, Takamaro Kikkawa and Iwao Nishiyama*
• ULSI Device Development Labs. NEC Corporation, *Microelectronics Research Labs. NEC Corporation
• J.Vac.Sci.Technol.A,13,42(1995)

7.矽晶圓表面分析評估技術：晶圓上吸附分子的分析評估技術

• 薮本周邦
• NTT Advanced Technology
• 矽晶圓表面潔淨化技術　別冊，Realize社，第101頁

1995年：會議摘要

1.利用螺旋波等離子體化學氣相沉積法製備的SiOF薄膜品質評估

• 芳賀豊, 室山雅和, 佐々木正義
• 索尼株式會社 半導體公司 第一LSI部門
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：26a-ZB-3

2.吸濕對低介電常數表面保護膜的影響

• 足立悦志, 足達廣士, 武藤浩隆, 藤井治久
• 三菱電機股份有限公司 中央研究所
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：26a-ZB-6

3.關於等離子體氧化膜抑制水分滲透機制的探討

• 内田博章, 時藤俊一*, 酒谷義広, 平下紀夫*
• 沖電氣工業株式會社 製程技術中心、*超LSI研發中心
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：26a-ZB-9

4.電極界面附近CVD-BST薄膜的特性

• 山向幹雄, 川原孝昭, 中畑匠, 結城昭正, 斧高一
• 三菱電機股份有限公司 半導體基礎研究所
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：26a-ZG-7

5.高介電常數材料(Ba, Sr)TiO₃薄膜的形成與界面控制

• 結城昭正
• 三菱電機股份有限公司 半導體基礎研究所
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：26p-W-6

6.使用 TiCl₄ 製備的 CVD TiN 薄膜之氯含量與薄膜品質

• 川島淳志, 宮本孝章, 門村新吾, 青山純一
• 索尼株式會社 半導體公司 超LSI研究所
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：27a-PB-8

7.高溫成膜 O3-TEOS NSG 薄膜的評估

• 味沢治彦, 斉藤正樹, 森山一郎, 佐々木正義
• 索尼株式會社 半導體公司 第一LSI部門
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：28a-PC-11

8.氫化硅二氧烷（SOG）作為層間絕緣膜的特性

• 小柳賢一, 岸本光司, 本間哲哉
• 日本電氣股份有限公司 ULSI 裝置開發研究所
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：28a-PC-2

9.利用離子注入法改質有機SOG薄膜(IV)

• 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行
• 三洋電機股份有限公司 微電子研究所
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：28a-PC-4

10.採用H₂O添加濺鍍法製備之非晶態ITO薄膜經熱處理後的結構變化

• 西村悦子, 安藤正彦, 鬼沢賢一, 峯村哲郎, 高畠勝*
• 日立製作所株式會社 日立研究所，*電子裝置事業部
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：28a-ZH-8

11.透過密度控制降低 SiOF 薄膜的吸濕性

• 工藤寛, 淡路直樹*, 篠原理華, 武石俊作, 星野雅孝, 山田雅雄
• 富士通股份有限公司 製程開發部、*ULSI研究部
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：26a-ZB-10

12.高介電常數電極材料的TDS評估

• 芦田裕, 中林正明, 記村隆章, 森治久
• 富士通股份有限公司
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：26a-ZG-1

13.利用TDS法分析氫（註）離子注入缺陷

• 斉藤和之, 佐藤芳之*, 本間芳和**, 薮本周邦**
• 會津大學, *NTT LSI研究所, **NTT 邊界研究所
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：26p-ZP-9

14.鈍化膜中氫氣對矽懸空鍵的影響

• 寺田久美, 黒川博志, 小林淳二, 河野博明*, 小林和雄**, 子蒲哲夫
• 三菱電機株式會社 材料研究所、*北伊丹製作所、**熊本製作所
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：26p-ZV-15

15.由表面氫脫離誘發的矽基上鋁選擇性化學氣相沉積反應

• 勝田義彦, 小永田忍, 坂上弘之, 新宮原正三, 高萩隆行
• 廣島大學 工學部
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：26p-ZV-8

16.利用TDS及SIMS對SiO₂薄膜中氬氣的定量分析

• 塚本和芳, 松永利之, 渡辺啓一, 森田弘洋, 山西斉*, 吉岡芳明
• (株式會社)松下科技研究 技術部 半導體分析組, *松下電器產業(株式會社)生產技術本部 薄膜加工研究所
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：27a-C-3

17.採用Ar+－IBARD法製備之TiOX薄膜的氬氣升溫脫附特性

• 笹瀬雅人, 山木孝博*, 三宅潔**, 鷹野一朗, 磯部昭二
• 工學院大學 工學部，*日立製作所 日立研究所，**日立製作所 電子開發本部
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：27p-ZH-9

18.氫終端Si(100)2×1表面上鈉離子的吸附、脫附與電子態(I)

• 藤本訓弘, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神戶大學 工學部
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：27p-ZL-2

19.酒精添加對TEOS/O₃常壓CVD反應之影響（IV）－添加至四甲氧基矽烷原料中－

• 池田浩一, 前田正彦
• NTT LSI研究所
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：28a-PC-9

20.氧自由基退火對降低 Ta₂O₅ 薄膜漏電流之效果

• 松井裕一, 鳥居和功, 糸賀敏彦, 飯島晋平*, 大路譲*
• 日立中研、*日立半事
• 第56屆應用物理學會學術研討會論文集（1995年秋季）：28p-PC-3

21.利用TDS評估貼合晶圓——來自晶圓背面的影響－

• 高田涼子, 岡田千鶴子, 近藤英之, 龍田次郎, 降屋久, 新行内隆之
• 三菱材料矽業股份有限公司 中央研究所
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：28a-X-2

22.利用TDS評估貼合晶圓 II －來自貼合界面的影響－

• 岡田千鶴子, 高田涼子, 近藤英之, 龍田次郎, 降屋久, 新行内隆之
• 三菱材料矽業股份有限公司 中央研究所
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：28a-X-3

23.DCS-WSiX膜中氟、氯含量與TDS分析

• 山崎治, 大南信之, 谷川真, 井口勝次, 崎山恵三
• 夏普股份有限公司 超LSI開發研究所
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：29a-K-8

24.利用離子注入法改質有機SOG薄膜(II)

• 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行
• 三洋電機股份有限公司 微電子研究所
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：30a-C-1

25.TEOS-O3沉積膜的應力及其結構與組成的熱變化

• 梅澤華織, 土屋憲彦, 矢吹宗, 藤井修*, 大森廣文*, 松本明治*
• 東芝株式會社 半導體事業本部、*東芝株式會社 研究開發中心
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：30a-C-10

26.利用 SiH₄-H₂O₂ 系 CVD 氧化膜的層間絕緣層形成製程(２)

• 松浦正純, 西村恒幸*, 林出吉生, 平山誠, 井内敬彰*
• 三菱電機株式會社 ULSI開發研究所、*菱電半導體株式會社
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：30a-C-4

27.使用聚碳硅烷進行平坦化

• 小林倫子, 福山俊一, 中田義弘
• 富士通研究所股份有限公司
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：30a-C-6

28.酚類化合物對過氫硅氮烷氧化作用的促進

• 中田義弘, 福山俊一, 小林倫子, 原田秀樹*, 大倉嘉之*
• 富士通研究所股份有限公司, *富士通股份有限公司
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：30a-C-7

29.利用TDS分析氫注入矽基板中的氫脫離行為

• 奥村治樹, 長谷川剛啓, 添田房美
• 東麗研究中心
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：30a-H-1

30.等離子體CVD-SiO薄膜特性的射頻頻率依賴性

• 河野浩幸, 岩崎賢也
• 宮崎沖電氣股份有限公司
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：30p-C-13

31.利用TDS檢測離子注入雜質（B、P、As）

• 薮本周邦, 本間芳和, 佐藤芳之*, 斎藤和之**
• NTT 邊界研究所, *NTT LSI研究所, **會津大學
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：28a-X-1

32.利用升溫脫離法評估玻璃基板上有機分子的行為

• 高橋善和, 稲吉さかえ, 斎藤一也, 塚原園子, 飯島正行
• 日本真空技術股份有限公司 筑波超材料研究所
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：28a-ZS-4

33.Si晶圓表面有機污染物之化學組成

• 高萩隆行, 小島章弘, 坂上弘之, 新宮原正三, 八嶋博*
• 廣島大學 工學部、東麗研究
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：29a-PA-14

34.磷酸處理後GaAs表面的評估

• 林栄治, 永井直人, 中川善嗣, 中山陽一, 添田房美
• 東麗研究中心
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：29a-ZN-2

35.CVD-TiN薄膜之氯氣脫氣特性評估

• 鈴木寿哉, 坂井拓哉*, 大場隆之, 八木春良
• 富士通股份有限公司、*富士通VLSI股份有限公司
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：29p-K-3

36.IPA在經高頻處理之矽表面上的吸附 II

• 宮田典幸, 小尻英博*, 山下良美, 岡村茂, 久継徳重
• 富士通研究所股份有限公司, *富士通股份有限公司
• 第42屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1995年春季）：29p-PA-20

1994：論文、期刊、書籍

1.Thermal Desorption Spectroscopy and X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of CFx Layer Deposited on Si and SiO₂

• Yasuhiro Miyakawa, Ken Fujita, Norio Hirashita, Naokatsu Ikegami, Jun Hashimoto, Takayuki Matsui and Jun Kanamori
• VLSI R&D Center, Oki Electric Industry CO., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,65,7047(1994)

2.In situ infrared study of chemical state of Si surface in etching solution

• Michio Niwano, Yasuo Kimura and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• Appl.Phys.Lett.,65(13),1692(1994)

3.利用升溫脫附氣體分析法對半導體積體電路材料所釋放氣體進行定量分析

• 平下紀夫, 内山泰三*
• 沖電氣工業株式會社 超LSI研究開發中心、*電子科学(株)
• 分析化學,43,757(1994)

4.Reaction studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• Norio HIRASHITA, Yasuhiro MIYAKAWA, Ken FUJITA and Jun KANAMORI
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• DRY PROCESSS SYMPOSIUM,181(1994)

5.The impact of intermetal dielectric layer and high temperature bake test on the reliability of nonvolatile memory devices

• E.Sakagami, N.Arai*, H.Tsunoda**, H.Egawa**, Y.Yamaguchi, E.Kamiya, M.Takebuchi***, K.Yamada***, K.Yoshikawa and S.Mori
• Semiconductor Device Engineering Laborattory, TOSHIBA Corp., *TOSHIBA Microelectronics Corp., **Integrated Circuit Advanced Prosess Department, TOSHIBA Corp., ***Logic Device Engineering Department, TOSHIBA Corp.
• IEEE/IRPS(1994)

6.Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air

• Michio Niwano, Jun-ichi Kageyama, Kazunari Kurita, Koji Kinashi, Isao Takahashi and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Appl.Phys.,76,2157(1994)

7.Ultraviolet-Induced Deposition of SiO₂ Film from Tetraethoxysilane Spin-Coated on Si

• Michio Niwano, Koji Kinashi, Kazuhiko Saito and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Electrochem.Soc.,141,1556(1994)

8.有機物造成的表面污染

• 高萩隆行
• 東麗研究中心股份有限公司
• Journal of Japan Air Cleaning Association,7,32(1994)

9.Fine Contact Hole Etching in Magneto-Microwave Plasma

• Y.Miyakawa, J.Hashimoto, N.Ikegami, T.Matsui and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,33,2145(1994)

10.Determination of Hydrogen Concentration in Austenitic Stainless Steels by Thermal Desorption Spectroscopy

• Masako Mizuno, Hideya Anzai, Takashi Aoyama and Takaya Suzuki
• Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
• Materials Transactions JIM,35,703(1994)

11.利用 TDS 進行脫附氣體分析——以電子材料為核心－

• 奥村治樹, 高萩隆行
• 東麗研究中心股份有限公司 表面科學研究部
• THE TRC NEWS,30,49(1994)

1994：會議摘要

1.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno*, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya* and N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, *Process Technology Center
• Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1994, pp.925-927

2.利用TDS法製備CVD薄膜（Ba, St）TiO₃之特性評估

• 山向幹雄, 川原孝昭, 蒔田哲郎, 結城昭正, 斧高一, 上原康*
• 三菱電機株式會社 半導體基礎研究所、*材料與元件研究所
• 第55屆應用物理學會學術研討會論文集（1994年秋季）：19p-M-5

3.PECVD SiOF 薄膜的吸濕特性(II)

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI研發中心
• 第55屆應用物理學會學術研討會論文集（1994年秋季）：20p-ZC-14

4.過氫硅氮烷的成膜機制II

• 大倉嘉之, 原田秀樹, 清水敦男, 渡部潔, 福山俊一*, 中島昭**, 高橋美紀**, 小松通郎**
• 富士通股份有限公司 製程開發部、*富士通研究所股份有限公司、**觸媒化成工業股份有限公司 精密研究所
• 第55屆應用物理學會學術研討會論文集（1994年秋季）：20p-ZC-7

5.利用升溫脫離光譜法（TDS）分析光阻的熱反應行為

• 佐久間徹夫, 池田章彦, 吉信達夫*, 岩崎裕*
• 旭化成工業股份有限公司、*大阪大學 產業科學研究所
• 第55屆應用物理學會學術研討會論文集（1994年秋季）：22a-ZB-8

6.基於氫氣升溫脫附光譜的 Si(100) 表面原子平坦度評估

• 中澤日出樹, 末光眞希, 金基俊, 宮本信雄
• 東北大學 電信研究所
• 第55屆應用物理學會學術研討會論文集（1994年秋季）：20a-ZB-5

7.矽表面上的氟離子脫離與氫原子吸附

• 久保田徹, 白石修司, 斎藤洋司
• 成蹊大學 工學部
• 第55屆應用物理學會學術研討會論文集（1994年秋季）：20p-ZB-10

8.酒精添加對TEOS/O₃常壓CVD反應之影響（III）－氘代醇的添加－

• 池田浩一, 中山諭, 前田正彦
• NTT LSI研究所
• 第55屆應用物理學會學術研討會論文集（1994年秋季）：20p-ZC-1

9.等離子體CVD法之成膜條件對寄生MOS-Tr的影響

• 大田裕之, 浅田仁志, 佐藤幸博, 清水敦男, 渡部潔
• 富士通股份有限公司
• 第55屆應用物理學會學術研討會論文集（1994年秋季）：20p-ZC-9

10.熱氧化膜的吸濕性

• 奥野昌樹, 片岡祐治, 小尻英博*, 杉田義博, 渡辺悟, 高崎金剛
• 富士通研究所股份有限公司、富士通股份有限公司
• 第55屆應用物理學會學術研討會論文集（1994年秋季）：21p-ZB-15

11.Si(111)表面氧化膜的TDS觀測

• 渡部宏治, 伊藤文則, 平山博之
• NEC 微電子研究所
• 第55屆應用物理學會學術研討會論文集（1994年秋季）：21p-ZB-16

12.利用TDS分析矽表面有機物污染

• 奥村治樹, 高萩隆行
• 東麗研究中心
• 第41屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1994年春季）：29a-ZK-11

13.有機SOG的無機化烘烤處理

• 小針英也, 岡野進, 大橋直史*, 根津広樹*
• 東京應化工業股份有限公司 開發本部、*日立製作所股份有限公司 裝置開發中心
• 第41屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1994年春季）：30p-ZW-13

14.聚梯形有機白矽烷作為SOG之應用研究

• 足立悦志, 足達弘士, 西村浩之, 南伸太朗, 松浦正純*
• 三菱電機株式會社 中央研究所、*ULSI開發研究所
• 第41屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1994年春季）：30p-ZW-14

15.多層佈線過孔中氨氣的逸散

• 時藤俊一, 内田英次*, 奥野泰幸*, 伏見公久*, 酒谷義広*, 平下紀夫
• 沖電氣工業株式會社 超LSI研發中心、*製程技術中心
• 第41屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1994年春季）：30p-ZW-15

16.O3-TEOS絕緣膜的膜質改良

• 谷川真, 土居司, 石濱晃, 崎山恵三
• 夏普股份有限公司 超LSI開發研究所
• 第41屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1994年春季）：30p-ZW-2

17.改善 O3-TEOS 絕緣膜的膜質

• 小針英也, 岡野進, 湊光朗
• 東京應化工業股份有限公司 開發本部
• 第41屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1994年春季）：30p-ZW-3

18.PECVD SiOF 薄膜的吸濕特性

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI研發中心
• 第41屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1994年春季）：30p-ZW-8

19.透過控制底層薄膜中殘留物的化學組分來提升 TEOS/O₃ SiO₂ 薄膜的嵌入性

• 久保享, 廣瀬和之, 本間哲哉, 村尾幸信
• NEC ULSI 裝置開發研究所
• 第41屆應用物理學相關聯合研討會論文集（1994年春季）：30p-ZW-4

20.底材對無電解銅鍍層中針狀結晶形成之影響

• 藤波知之, 横井池加子, 本間英夫*
• 荏原尤吉萊特股份有限公司，*關東學院大學工學部
• 表面技術協会 第90回講演大会要旨集,168,(1994)：5C-19

1993：論文、期刊、書籍

1.Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O3 Oxide and Water Blocking with ECR-SiO2 Film

• N.Shimoyama, K.Machida, J.Takahashi, K.Murase, K.Minegishi and T.Tsuchiya
• NTT LSI Laboratories
• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,40,1682(1993)

2.Thermal Desorption Studies of Silicon Dioxide Deposited by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and Ozone

• Katsumi Murase, Norikuni Yabumoto*, Yukio Komine
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1722(1993)

3.The Effect of Plasma Cure Temperature on Spin-On Glass

• Hideo Namatsu and Kazushige Minegishi
• NTT LSI Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1121(1993)

4.Growth of Native Oxide and Accumulation of Organic Matter on Bare Si Wafer in Air

• Chizuko Okada, Hiroyuki Kobayashi, Isao Takahashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1031(1993)

5.Measurement of Organic Matter on Si Wafer by Thermal Desorption Spectroscopy

• Chizuko Okada, Isao Takahashi, Hiroyuki Kobayashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1186(1993)

6.Thermal Desorption and Infrared Studies of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited SiO Films with Tetraethylorthosilicate

• N.Hirashita, S.Tokitoh and H.Uchida
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1787(1993)

7.Direct numerical method to analyze thermal desorption spectra

• H.Froitzheim, P.Schenk and G.Wedler
• Institute fur Physikalische und Theoretische Chemie, Universitat Erlangen-Nurnberg
• J.Vac.Sci.Technol.A,11,345(1993)

8.CVD氧化膜的吸濕過程與水分脫離機制

• 時藤俊一, 内田英次, 平下紀夫
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI研發中心
• 信学技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-9,59(1993)

9.Improvement of Water-Induced Hot-Carrier Immunity Degradation Using ECR Plasma-SiO2 with Si-H Bonds

• K.Machida, N.Shimoyama, J.Takahashi, Y.Takahashi, N.Yabumoto and E.Arai*
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• 信学技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-39,47(1993)

10.等離子體CVD-SiO₂薄膜的吸濕特性

• 下川公明
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI開發研究中心
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

11.關於絕緣膜吸濕性的各項問題——評估方法與對策

• 小谷秀夫, 松浦正純, 林出吉生
• 三菱電機股份有限公司 LSI研究所
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

12.低溫退火對 TEOS-O3 常壓 CVD NSG 薄膜吸濕性的影響

• 細田幸男, 原田秀樹, 清水敦男, 渡部潔, 芦田裕
• 富士通 基礎製程開發部，開發推進本部
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

1993：會議摘要

1.利用升溫熱脫附分析儀對矽晶圓表面有機物進行評估

• 岡田千鶴子
• 三菱材料株式會社 中研
• 第54屆分析化學研討會摘要集(1993.06)

2.基於升溫脫離法的不鏽鋼中氫分析法之研究

• 水野昌子, 三沢豊, 国谷治郎, 木田利孝
• 日立製作所株式會社 日立研究所
• 第54屆分析化學研討會摘要集(1993.06)

3.Single Step Gap Filling Technology for Subhalf Micron Metal Spacings on Plasma Enhanced TEOS/O2 Chemical Vapor Deposition System

• Katsuyuki MUSAKA, Shinsuke MIZUNO, Kiyoaki HARA
• Applied Materials Japan Inc. Technology Center
• Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, Makuhari, 1993, pp.510-512

4.Si(100)及(111)面上的SC1氧化膜之升溫分解脫附光譜法

• 岩崎裕, 中尾基, 吉信達夫, 内山泰三*
• 大阪大學 產業科學研究所、*電子科學股份有限公司
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）

5.氫終端Si(111)表面氫原子的熱脫附行為

• 高萩隆行, 名古屋浩貴, 中川善嗣, 永井直人, 石谷炯
• 東麗研究中心
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）

6.利用 TDS（升溫脫附氣體分析）評估鋁膜

• 針生武徳, 大野秀樹, 井上実
• 富士通股份有限公司
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：16a-ZR-11

7.高濃度BPSG薄膜的缺陷析出及其抑制方法（３）－矽烷化處理的效果－

• 矢野航作, 寺井由佳, 杉山龍男, 遠藤正孝, 上田哲也, 野村登
• 松下電器 半導體研發中心
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：16p-ZQ-16

8.經熱處理之等離子體化學氣相沉積（Plasma-CVD）SiO薄膜之升溫脫附氣體分析（TDS）

• 時藤俊一, 内田英次, 平下紀夫
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI研發中心
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：16p-ZQ-5

9.TEOS-O3 NSG底層的P-SiO依賴性

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI研發中心
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：16p-ZQ-7

10.絕緣膜的高溫應力

• 星野和弘, 菅野幸保
• 索尼股份有限公司 超LSI開發本部
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：17p-ZQ-16

11.基於升溫脫氣分析法的脫氣定量分析法之探討

• 平下紀夫, 時藤俊一, 内山泰三*, 日永康*
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI研發中心, *電子科学(株)
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：27a-ZL-8

12.利用TDS法研究Si表面的氫

• 高萩隆行, 名古屋浩貴, 長沢佳克, 石谷炯
• 東麗研究中心
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：28a-ZD-7

13.TiN/Ti薄膜鍍層的通孔氣體釋放特性

• 松浦正純, 山口澄夫, 林出吉生, 古谷秀夫
• 三菱電機股份有限公司 LSI研究所
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：29a-X-1

14.過氫硅氮烷的成膜機制

• 長嶋隆, 原田秀樹
• 富士通股份有限公司
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：29a-X-10

15.利用升溫熱脫附分析評估偏角(111)矽晶圓表面

• 龍田次郎, 小林弘之, 高橋功, 新行内隆之, 岡田千鶴子*
• 三菱材料 中研, *三菱材料矽
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：29a-ZD-10

16.利用升溫熱脫附分析儀對 Si 晶圓表面有機物進行評估

• 岡田千鶴子, 森田悦郎, 井上文雄, 龍田次郎*, 新行内隆之*
• 三菱材料矽, *三菱材料 中研
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：29a-ZD-11

17.TDS對接觸孔底部Si表面自然氧化膜的觀測

• 中森雅治, 寺岡有殿*, 青砥なほみ, 青木秀充, 西山岩男*, 井川英治, 吉川公麿
• 日本電氣株式會社 微電子研究所、*光電子研究所
• 第54屆應用物理學會學術研討會論文集（1993年秋季）：17p-ZP-8

1992：論文、期刊、書籍

1.Thermal Desorption Studies of Phosphorus-Doped Spin-on-Glass Films

• Norio Hirashita, Masayuki Kobayakawa, Akira Arimatsu, Fumitaka Yokoyama, and Tsuneo Ajioka
• Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• J.Electrochem.Soc.,139,794(1992)

2.Mechanisms of Surface Reaction in Fluorocarbon Dry Etching of Silicon Dioxide - An Effect of Thermal Excitation

• N.Ikegami, N.Ozawa, Y.Miyakawa, N.Hirashita and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Electronic Devices Group, OKI Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,31,2020(1992)

3.Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(100)

• Y.K.Sun, D.J.Bonser and Thomas Engel
• Department of Chemistry BG-10. University of Washington
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,2314(1992)

4.Preoxidation Si cleaning and its impact on metal oxide semiconductor characteristics

• S.R.Kasi and M.Liehr
• IBM Research Division, Thomas J.Watson Research Center
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,795(1992)

5.矽玻璃中氣體的分析方法

• 森本幸裕
• 牛尾電機株式會社 技術研究所
• New Ceramics，第9卷，第65頁（1992年）

6.TEOS/O₃氧化膜中水分導致的熱載流子耐受性劣化，以及利用ECR-SiO₂膜抑制劣化的方法

• 下山展弘, 高橋淳一, 町田克之, 村瀬克実, 峰岸一茂*, 土屋敏章
• NTT LSI研究所, *NTT 電子科技
• IEICE技術報告　TECHNICAL REPORT OF IEICE., SDM92-33, 51(1992)

7.利用等離子體化學氣相沉積（Plasma CVD）SiO膜抑制MOSFET可靠性劣化

• 下川公明, 宇佐美隆志, 時藤俊一, 平下紀夫, 吉丸正樹
• 沖電氣工業株式會社 VLSI 研究開發中心
• 信學技報　TECHNICAL REPORT OF IEICE., SDM92-133, 89(1992)

8.表面吸附分子的分析技術——升溫脫附光譜法在ULSI中的應用－

• 岩崎裕
• 大阪大學 產業科學研究所
• Realize公司 突破性研討會資料第2號，ULSI製造之分析評估技術建構－尖端分析評估技術於生產線之應用－(1992.11)