1999：論文・期刊・書籍

1.Desorption Kinetics of Ar Implanted into Si

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

2.Effects of Halogen Ions on the X-Ray Characteristics of Gd₂O₂S:Pr Ceramic Scintillators

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

3.Process integration induced thermodesorption from SiO₂/SiLK resin dielectric based interconnects

• M.R.Baklanov*, M.Muroyama**, M.Judelewicz*, E.Kondoh*, H.Li*, J.Waeterloos***, S.Vanhaelemeersch* and K.Maex
• IMEC*, Sony Corporation**, The Dow Chemical Company***
• J.Vac.Sci.Technol.B,17,2136(1999)

1999：學會摘要

1.二次元相關分光法之升溫脫離分析數據解析

• 杉田記男，阿部英次，宮林延良*
• 豐橋技術科學大學，*電子科學
• 第22屆資訊化學討論會演講摘要集(1999秋)：JP12

2. 昇溫脫離法於烷基硫醇自組裝單分子膜吸附狀態之研究

• 荒木暢*，盧載根*，原正彦*,**，W. Knoll*
• *理研前沿研究所，**東京工業大學綜合理工學院
• 第60屆應用物理學會學術演講會預稿集(1999年秋季)：2p-Q-8

3.Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki, M.Hara, H.Sazabe, W.Knoll
• FRP RIKEN（理研前沿）
• 第60屆應用物理學會學術演講會預稿集(1999秋)：2p-Q-9

4. 誘導耦合等離子體化學氣相沉積製備之SiO₂薄膜升溫脫離氣體分析

• 服部哲也，瀬村滋，福田智恵，赤坂伸宏
• 住友電工(株)
• 第60屆應用物理學會學術演講會預稿集(1999年秋季)：3p-H-1

5.SiN/SiO₂薄膜中氫氣的熱行為

• 川島義也，劉紫園，川野英夫，平田剛*
• NEC裝置評估技術研究所，*NEC半導體生產技術本部
• 第60屆應用物理學會學術演講會預稿集(1999年秋季)：3p-ZT-16

6.無機CVD-TiN薄膜中Cl離子導致Al配線腐蝕之機轉

• 平沢賢斎，中村吉孝，田丸剛，関口敏宏，福田琢也
• (株)日立製作所裝置開發中心
• 第60屆應用物理學會學術演講會預稿集(1999年秋季)：3a-ZN-2

7.Co/a-Si:H/c-Si中的矽化作用過程

• 草村一文，土屋正彦，吉田陽子，曽江久美，本橋光也，本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第60屆應用物理學會學術演講會預稿集(1999年秋季)：3a-ZN-6

8.APIMS-TDS系統解析矽晶圓表面吸附水分之研究(IV)

• 森本敏弘，上村賢一
• 新日本製鐵(股)公司尖端技術研究所
• 第60屆應用物理學會學術演講會預稿集(1999年秋季)：3a-ZQ-9

9. 真空環境下S終端處理GaAs(001)表面升溫脫離過程之解析

• 塚本史郎，杉山宗弘*，下田正彦，前山智*，渡辺義夫*，大野隆央，小口信行
• 金材技研，*NTT基礎研究所
• 第60屆應用物理學會學術演講會預稿集(1999年秋季)：4a-ZK-3

10.高通量準分子雷射照射下非晶矽薄膜的脫氫行為

• 高橋道子，斎藤雅和，鈴木堅吉
• 日立製作所顯示器事業部
• 第60屆應用物理學會學術演講會預稿集(1999年秋季)：4a-ZS-4

11.PDP用MgO薄膜蒸鍍時氧分壓與氣體吸附特性

• 沢田隆夫，渡部勁二，福山敬二，大平卓也，衣川勝
• 三菱電機 尖端總研究所
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：28p-M-4

12.升溫脫離光譜中樣品端低溫區域的校正

• 尾高憲二
• (株)日立製作所 機械研究所
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：30p-R-7

13. 採用二氟對二甲苯製備之有機系低介電常數薄膜特性

• 室山雅和，森山一郎
• 索尼股份有限公司 S.C.製程開發部
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：30p-ZQ-14

14. 氟化非晶碳膜作為層間絕緣層之適用製程

• 小関勝成，有賀美智雄
• 應用材料日本股份有限公司
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：30p-ZQ-19

15.氟化非晶碳膜於層間膜之應用評估

• 松井孝幸，岸本光司，松原義久，井口学，堀内忠彦，遠藤和彦*,辰巳徹*,五味英樹
• 日本電氣(股)公司 ULSI裝置開發研究所，*矽系統研究所
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：30p-ZQ-20

16.SiO2/Si中氫行為之分析

• 劉紫園，川島義也，川野英男，浜田耕治*，浜嶋智宏*
• NEC 開發評估研究所，NEC UL 開發研究所*
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集(1999年春季)：29p-ZS-14

17. 昇溫脫離法於非對稱二烷基二硫化物自組裝單分子膜吸附狀態之研究

• 荒木暢*，亀井宏二**，藤田克彦*，原正彦*,**，W. Knoll*
• 理研前沿*，東京工業大學綜合理工學部**
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集(1999年春季)：30p-X-17

18.採用非對稱二烷基二硫化物之自組裝單分子膜生長過程研究

• 亀井宏二*，藤田克彦**，荒木暢**，原正彦*,**，雀部博之**，W. Knoll**
• 東京工業大學綜合理工學系*，理化學研究所前沿科學中心**
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集(1999年春季)：30頁-X-18

19.Destructive Adsorption and Phase Separation of Asymmetric Disulfide SAMs on AU(111) Studied by Scanning Tunneling Microscopy

• J.NOH，M.HARA，H.SASABE and W.KNOLL
• FRP, RIKEN
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集(1999春季)：30p-X-19

20.氫離子注入基板剝離法中晶圓直接接合製程之探討

• 山内庄一，松井正樹，大島久純
• 電裝基礎研究所
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集(1999年春季)：31a-ZP-2

21.氫終端矽表面於濕式處理時之終端氫化學反應行為

• 永田陽一，藤原新也，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
• 廣島大學・工學部
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：28a-ZT-4

22.Si(100)表面上磷元素升溫脫離光譜之測定

• 広瀬文彦，坂本仁志
• 三菱重工基礎研究所
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：28p-ZT-11

23.採用ECR等離子體化學氣相沉積法製備之硬質碳膜熱分解行為

• 丸山一則，曽谷朋子，佐藤英樹
• 長岡技術科學大學 工學部
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：29a-M-2

24.真空表面上氫氣的行為　序論

• 塚原園子
• 日本真空技術 筑波超材研
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：29a-ZH-1

25.鋼中氫的存在狀態與晶格缺陷

• 南雲道彦
• 早稻田大學 理工學部 物質開發工學科
• 第46屆應用物理學相關聯合研討會預稿集（1999年春季）：29a-ZH-2

26. 鑽石表面上氫的行為

• 川原田洋
• 早稻田大學 理工學部，CREST
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：29a-ZH-6

27.APIMS-TDS法解析矽晶圓表面吸附水分之研究(III)

• 森本俊弘，上村賢一
• 新日本製鐵(股)公司 尖端技術研究所
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：29a-ZT-4

採用28.8吋晶圓用升溫脫離測定裝置對SiO₂薄膜之評估

• 稲吉さかえ，塚原園子，斎藤一也，星野洋一*,原康博*
• 日本真空技術(株) 筑波超材研，*日本真空技術(株) 超高（事）
• 第46回應用物理學相關聯合演講會預稿集（1999春）：29a-ZT-5

29. 鑽石C(111)表面NO分子之雷射光刺激脫離

• 山田太郎*,関元**,荘東榮***
• *早稻田大學材料研究所，**IBM阿爾馬登研究中心，***台灣中央研究院原子分子研究所
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：30a-L-3

30.鈦金屬經平滑加工後之表面氧化層與氣體釋放特性

• 石川一政，水野善之，岡田隆弘，本間禎一
• 千葉工業大學
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：30p-R-2

31.具砷烷鍵結之低介電常數自組織凝膠薄膜特性

• 田代裕治，櫻井貴昭，清水泰雄
• 東燃(株)
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：30p-ZQ-6

32.含乙烯基矽膠膜之XeF2退火處理

• 佐野泰之*,菅原聡，宇佐美浩一，服部健雄*,松村正清
• 東京工業大學 工學部，*武藏工業大學 工學部
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：30p-ZQ-7

33.Ni/a-Si:H積層膜中的界面反應與矽化作用過程(II)

• 吉田陽子，曽江久美，本橋光也，本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第46屆應用物理學聯合研討會預稿集（1999年春季）：31a-ZQ-6

34.利用SIMS及TDS評估a-Si:H中氫濃度

• 三上朗，鈴木崇之
• 三洋電機株式會社新材料研究所
• Journal of Surface Analysis, Vol6(No3), A-20(1999)

35.DRY ETCHING OF PZT FILMS WITH CF 4 /Ar HIGH DENSITY PLASMA

• Chanro Park, Jun Hee Cho, Chang Ju Choi, Yeo Song Seol, and II Hyun Choi
• Semiconductor Advanced Research Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
• Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.541, p113, 1999 Materials Research Society

1998：論文・期刊・專書

1.利用TG-MS解析陶瓷薄膜與粉末的形成過程

• 澤田豊, 西出利一*, 松下純一**
• 東京工藝大學工學部, *日本大學工學部, **東海大學工學部
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,289(1998)

2.材料研究中TPD-MS（溫控脫附或分解質譜分析）之應用

• 朝比奈均, 谷口金二
• 三菱化學株式會社筑波研究所
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,357(1998)

3.Structure-Dependent Change of Desorption Species from n-alkanethiol Monolayers Adsorbed on Au(111): Desorption of Thiolate Radicals from Low-Density Structures

• H.Kondoh, C.Kodama, and H.Nozoye
• J.Phys.Chem.B,102,2310(1998)

4.Kinetic Analysis of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films by In Situ Observation

• H.Tanaka, N.Hirashita, and R.Sinclair
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,37,4284(1998)

5.Controlling the Amount of Si-OH Bonds for the Formation of High-Quality Low-Temperature Gate Oxides for Poly-Si TFTs

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, Kenji Sera*, and fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation and *Electronic Component Development Division, NEC Corporation
• Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,508,167(1998)

6.冷間伸線加工之純鐵及共析鋼之升溫脫離法氫吸附特性評估

• 高井健一*1, 山内五郎*1, 中村真理子*2, 南雲道彦*2
• *1)日本電信電話株式會社技術協力中心 *2)早稻田大學理工學部
• 日本金屬學會誌, 62, 3, 267-275(1998)

1998：學會摘要

1.銅離子交換至介孔矽鋁酸鹽及其特性

• 寺岡靖剛, 高橋基信, 瀬戸口由加子, 朝長成之*, 安武昭典*, 泉順*, 森口勇, 鹿川修一
• 長崎大工, *三菱重工
• 第81回觸媒討論會 討論會A預稿集,113(1998.3)：2P55

2.二氧化鈦粉末表面之NO吸附與升溫脫離

• Wang Yang, 柳沢保徳
• 奈良教育大學
• 第81屆觸媒討論會 討論會A預稿集,115(1998.3)：2P57

3.NH3-TPD光譜所獲吸附焓與脫離活化能分布之比較

• 増田隆夫, 藤方恒博, 橋本健治
• 京都大學工學研究科
• 第81屆觸媒討論會 討論會A預稿集,24(1998.3)：第24頁

4. 矽膠表面光烯烴轉化反應之活性物種

• 田中庸裕, 松尾繁展, 竹中壮, 吉田寿雄*, 船引卓三, 吉田郷弘
• 京都大學工學院, *名古屋大學工學院
• 第81屆觸媒討論會 討論會A預稿集,34(1998.3)：1P34

5. 鍶鈦酸鹽系鈣鈦礦型氧化物對一氧化氮的直接分解活性

• 横井泰治, 内田洋
• 東京瓦斯基礎研究所
• 第81屆觸媒討論會 討論會A預稿集,40(1998.3)：第40頁

6.Pt/HZSM-5催化劑之噻吩氫化脫硫反應

• 黒坂忠弘, 杉岡正敏
• 室蘭工業大學
• 第81屆觸媒討論會 討論會A預稿集,51(1998.3)：第51頁

7. 鈦酸鹽載體沸石觸媒之NOx還原作用

• 岩戸弘, 古南博, 橋本圭司*, 計良善也
• 近畿大學理工學院, *阪市工業研究所
• 第81屆觸媒討論會 討論會A預稿集,53(1998.3)：第53頁

8. 銅離子交換沸石上NOx型吸附物種的分解機制

• 小野博信, 奥村耕平, 下川部雅英, 竹澤暢恒
• 北海道大學研究所工學研究科
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,131(1998.9)：3D425

9.活性於CH4-SCR之Pd沸石中Pd物種之探討

• 小倉賢, 鹿毛晋, 菊地英一
• 早稻田大學理工學院
• 第82屆觸媒討論會 A場演講預稿集,132(1998.9)：3D426

10. 鈦處理對銀鋁酸鹽觸媒上NOx選擇性還原反應之影響

• 後藤一郎, 山口真, 王正明, 熊谷幹郎
• (財)產業創造研
• 第82回觸媒討論會 A講演預稿集,134(1998.9)：3D428

11.採用脈衝法於載體釗酸鈉觸媒上進行之N2O分解反應

• 青柳健司, 湯崎浩一, 上塚洋, 伊藤伸一, 国森公夫
• 筑波大學物資工學系
• 第82屆觸媒討論會 A場演講預稿集,147(1998.9)：4D414

12.固溶體Co-MgO觸媒上N₂O分解反應之O₂脫離機制

• 押原健三, 秋鹿研一*
• 山口東京理科大學基礎工學部, *東京工業大學綜合理工學部
• 第82屆觸媒討論會 A場次預稿集,148(1998.9)：4D415

13. 鍶酸鈦粉末對一氧化氮及一氧化碳之吸附與升溫脫附行為

• 江戸暢子, 稲生加奈子, 徳留志穂, 柳澤保徳
• 奈良教育大學
• 第82屆觸媒討論會 A場演講預稿集,2(1998.9)：第202頁

14.吸附於Ni(110)表面的羧酸分解反應

• 山片啓, 久保田純, 野村淳子, 広瀬千秋, 堂面一成, 若林文高*
• 東京工業大學資源研究所, *國立科學博物館
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,207(1998.9)：3D601

15.金雲母觸媒之酒精脫氫反應

• 橋本圭司, 東海直治
• 阪市工研
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,21(1998.9)：1P222

16.以添加Al、Zn、Cd鹽之FSM-16為催化劑之氣相貝克曼轉位反應－催化劑之酸鹼性、活性衰減及產物選擇性－

• 正路大輔, 中島剛
• 信州大工
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,22(1998.9)：1P223

17.多種金屬氧化物上氧化鎢單分子層觸媒的表面結構與酸性特性

• 内藤宣博, 片田直伸, 丹羽幹
• 鳥取大工
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,233(1998.9)：4D603

18.採用Co2(CO)8之Co/Al2O3固定化觸媒表面複合設計與觸媒特性研究

• 高村公啓, 紫藤貴文, 朝倉清高, 岩澤康裕
• 東京大學理學研究科
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,237(1998.9)：4D607

19.Ga-MCM-41的結構與酸性性質

• 奥村和, 西垣亨一, 丹羽幹
• 鳥取大工
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,254(1998.9)：3D702

20.不同支柱導入量之氧化鋁橋接雲母調整及其酸性性質

• 北林茂明, 鎌田有希子, 進藤隆世志, 小沢泉太郎
• 秋田大工資
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,262(1998.9)：3D710

21.SO4(2-)-ZrO2 catalysts for isomerization of n-butane. Study of deactivation process and characterization of coke deposits

• C.R.Vera, C.L.Pieck*, K.Shimizu, C.A.Querini*, J.M.Parera*
• National Institute for Resources and Environment (Japan), *INCAPE (Argentina)
• 第82屆觸媒討論會 A場演講預稿集,273(1998.9)：3D721

22.以水蒸氣處理氨升溫脫離法測定鐵矽酸鹽的酸性性質

• 宮本哲夫, 片田直伸, 丹羽幹, 松本明彦*, 堤和男*
• 鳥取大學工學部, *豐橋技術科學大學
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,298(1998.9)：4D721

23.鈣鈦礦型氧化物觸媒之NO直接分解活性與電子狀態之關聯性

• 横井泰治, 安田勇, 内田洋, *岡田治, **中村泰久, ***川崎春次
• 東京瓦斯, *大阪瓦斯, **東邦瓦斯, ***西部瓦斯
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,323(1998.9)：3D824

24. 鋯氧化物載體硫酸根單分子層固體超強酸催化劑對弗里德爾-克拉夫茨反應之活性

• 安信直子, 遠藤純一, 片田直伸, 丹羽幹
• 鳥取大工
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,343(1998.9)：4D819

25.CFC分解用磷酸鋁系觸媒之開發(5)

• 二宮麻衣子, 若松広憲, 西口宏泰, 石原達己, 滝田祐作
• 大分大工
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,35(1998.9)：2P205

26.V,W置換型12-鉬酸酯觸媒之還原作用

• 森田トヨ子, 上田渉*, 秋鹿研一
• 東京工業大學綜合理工學院, *山口東理大學基礎工學部
• 第82屆觸媒討論會 A場次預稿集,5(1998.9)：1P205

27. 吸附於NO₂/金屬氧化物上的丙烯部分氧化反應

• 上田厚, 小林哲彦
• 大工研
• 第82屆觸媒討論會 A演講預稿集,71(1998.9)：3D317

28.鍚化物複合蒸鍍薄膜在甲醇分解反應之應用探討

• 佐々木基, 伊藤建彦, 浜田秀昭
• 工藝技術研究院物資研究所
• 第82屆觸媒討論會 A場演講預稿集,9(1998.9)：1P209

29.固定化Co(II)/Al₂O₃觸媒上NO-CO反應之新作用機制

• 山口有朋, 紫藤貴文, 朝倉清高, 岩澤康裕
• 東京大學大學院理學系
• 第82屆觸媒討論會 B演講預稿集,360(1998.9)：1D105

30.氧化錫載體氧化鉬薄層上生成的固體酸點於甲醇氧化反應中的催化作用

• 丹羽幹, 五十嵐淳也, 片田直伸
• 鳥取大學工學部
• 第82屆觸媒討論會 B演講預稿集,442(1998.9)：1D206

31.二氧化碳催化下甲烷生成乙烷與乙烯之反應機制

• 王野, 高橋喜元, 大塚康夫
• 東北大學反應化學研究所
• 第82屆觸媒討論會 B場次預稿集,458(1998.9)：1D211

32.採用單一氧化物載體鈀催化劑之低溫甲烷燃燒

• Widjaja Hardiyanto, 関澤好史, 江口浩一
• 九州大學大學院綜合理工學研究科
• 第82屆觸媒討論會 B演講預稿集,466(1998.9)：1D213

33.固體酸FSM-16的觸媒特性

• 山本孝, 田中庸裕, 船引卓三, 吉田郷弘
• 京都大學大學院工學研究科
• 第82屆觸媒討論會 B場次預稿集,494(1998.9)：2D207

34.微晶矽中晶界缺陷的各向異性

• 近藤道雄, 府川真, 郭里輝, 松田彰久
• 電總研・薄膜矽系太陽能電池超級實驗室
• 第59屆應用物理學會學術演講會預稿集(1998年秋季)：15a-ZC-10

35. CH2F2添加對氧化膜蝕刻之影響

• 新村忠, 大宮可容子, 金田直也*, 松下貴哉*
• (株)東芝 生產技術研究所, *(株)東芝 半導體生產技術推進中心
• 第59屆應用物理學會學術演講會演講預稿集(1998年秋季)：15a-C-5

36.大氣中及真空加熱對螢光膜吸附氣體特性之影響

• 山根未有希, 平沢重実*, 小関悦弘**
• (株)日立製作所 機械研究所, *(株)日立製作所 家電・情報媒體事業本部, **日立裝置工程(株)
• 第59屆應用物理學會學術演講會預稿集(1998年秋季)：15p-M-5

37.Ni/a-Si:H積層膜中的界面反應與矽化作用過程(I)

• 吉田陽子, 茂木梓, 曽江久美, 本橋光也, 本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第59屆應用物理學會學術演講會預稿集(1998年秋季)：15p-ZL-16

38. 鑽石C(001)表面上三-正丁基磷化氫的表面反應機制

• 西森年彦, 坂本仁志, 高桑雄二*,**
• 三菱重工業・基礎研究所, *東北大學・科研基金, **科技團先導計畫
• 第59屆應用物理學會學術演講會預稿集(1998年秋季)：16p-N-6

39.氫處理鍺添加二氧化矽玻璃中氫氣釋放的溫度依賴性

• 笠原敏明, 藤巻真, 大木義路, 加藤真基重*, 森下裕一*
• 早稻田大學, *昭和電線
• 第59屆應用物理學會學術演講會預稿集(1998年秋季)：16頁-P13-7

40.開發用於半導體層間膜製程的吸濕特性評估方法

• 大嶽敦, 小林金也, 伊藤文俊*, 高松朗*
• (株)日立製作所 日立研究所, *(株)日立製作所 半導體事業部
• 第59屆應用物理學會學術演講會預稿集(1998年秋季)：17a-ZG-1

41.低介電常數・低吸濕性有機SOG薄膜之製備

• 山田紀子, 高橋徹
• 新日鐵(股) 尖端技研
• 第59屆應用物理學會學術演講會演講預稿集(1998年秋季)：17p-ZG-3

42.低介電常數多孔質SOG薄膜特性

• 荒尾弘樹, 藤内篤, 江上美紀, 村口良, 井上一昭, 中島昭, 小松通郎
• 觸媒化成工業(株)
• 第59屆應用物理學會學術演講會預稿集(1998年秋季)：17p-ZG-4

43.高濃度苯基基團含矽膜之評估

• 佐野泰之*, 宇佐美浩一, 菅原聡, 服部建雄*, 松村正清
• 東京工業大學 工學部, *武藏工業大學 工學部
• 第59屆應用物理學會學術演講會預稿集(1998年秋季)：17頁-ZG-9

44.Ar離子注入矽晶體之升溫脫離訊號與非晶矽內Ar分布變化之關聯性

• 中田穣治, 薮本周邦*
• NTT 基礎研究所, *NTT-AT
• 第59屆應用物理學會學術演講會預稿集(1998年秋季)：18a-ZL-4

45.極微細孔洞內的表面反應

• 金森順, 池上尚克, 平下紀夫
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：29a-ZR-2

46.全芳香族聚醚系高分子層間絕緣膜

• 北孝平
• 旭化成工業 基礎研究所
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：30p-M-4

47.矽晶圓表面有機物之吸附與脫離行為

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼股份有限公司 半導體事業部 超LSi研究所
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：28p-PB-6

48.APIMS-TDS技術解析晶圓表面吸附水分之研究

• 森本敏弘, 上村賢一
• 新日本製鐵(株) 尖端技術研究所
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：28p-PB-7

49. 晶圓表面吸附有機物的吸附與脫附行為

• 白水好美, 田中傑, 北島洋, 名取巌*
• 日本電氣(股), 日立東京電子
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：28p-PB-8

50.退火對MOCVD-BST的影響

• 上田路人, 大塚隆, 森田清之
• 松下電器產業(株) 中央研究所
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：28p-ZF-9

51.乙炔吸附Si(100)表面之氫氣脫附行為

• 中澤日出樹, 末光眞希
• 東北大學 電気通信研究所
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：29a-YG-11

52.矽表面上矽氫化物的吸附與氫脫離過程

• 末光眞希
• 東北大學 電気通信研究所
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：29a-ZR-5

53.精密化學研磨技術於超高真空材料表面處理之應用

• 稲吉さかえ, 斉藤一也, 佐藤幸恵, 塚原園子, 石澤克修*, 野村健*, 嶋田晃久*, 金澤実**
• 日本真空技術(株), *三愛石油(株), **三愛プラント工業(株)
• 第45回應用物理學相關聯合演講會預稿集(1998年春季)：29p-X-10

54.不鏽鋼表面之水升溫脫離特性

• 田中智成, 竹内協子, 辻泰
• (株)ALBAC企業中心
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：29p-X-5

55.Si薄膜鍍層不鏽鋼之低氣體釋放特性

• 稲吉さかえ, 佐藤幸恵, 塚原園子, 金原粲*
• 日本真空技術(株), *金澤工大
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：29p-X-7

56.LPD低介電常數有機矽酸鹽薄膜(II)－含不同有機基團之耐熱性－

• 小林光男*, 住村和仁, 菅原聡, 服部健雄*, 松村正清
• 東京工業大學 工學部, *武藏工業大學 工學部
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：30a-M-10

57.CO/a-Si：H環境下矽化物形成(I)

• 古林治, 土屋正彦, 曽江久美, 本橋光也, 本間和明
• 東京電機大學 工學部
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：30a-N-5

58.N2及NH3環境中CO矽化物的形成過程－殘留氧氣的影響－

• 堤紀久子, 杉山龍男*, 江藤竜二*, 神前隆**, 小川真一*
• 松下電子工業(株) 微控制器事業部, *松下電子工業(株) 專業開發部門, **松下科技研究(株)
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：30a-N-6

59.利用H₂O等離子體抑制HSQ薄膜劣化之灰化處理研究

• 玉岡英二, 青井信雄, 上田哲也, 山本明広, 真弓周一
• 松下電器產業(株) 製程開發中心
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：30p-M-10

60.低介電常數有機層間絕緣膜之高溫特性

• 高相純, 富沢友博, 猪留健, 原徹
• 法政大學 工學部
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：30p-M-7

61.低介電常數離子注入有機SOG薄膜之熱脫離特性

• 松原直輝, 水原秀樹, 渡辺裕之, 実沢佳居, 井上恭典, 花房寛, 吉年慶一
• 三洋電機株式會社 微電子研究所
• 第45屆應用物理學聯合研討會預稿集(1998年春季)：30p-M-9

1997：論文・期刊・書籍

1.Roles of Surface Functional Groups on TiN and SiN Substrates in Resist Pattern Deformations

• Ryoko Yamanaka, Toshiyuki Mine, Toshihiko Tanaka and Tsuneo Terasawa
• Central Research Laboratory, HItachi Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,7620(1997)

2.Formation and Exchange Processes of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111) Studied by Thermal Desorption Spectroscopy and Scanning Tunneling Microscopy

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,2379(1997)

3.Evidence that carbide precipitation produces hydrogen traps in Ni17Cr8Fe alloys

• G.A. Young and J.R. Scully
• Center for Electrochemical Science & Engineering, Department of Materials Science and Engineering, The University of Virginia
• Scripta Meterialia,No6,713(1997)

4.Improvement of structural and electrical properties in low-temperature gate oxides for poly-Si TFTs by controlling O2/SiH4 ratios

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, and Fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation
• Digest of Technical Papers AMLCD '97, (1997)pp.87-90

5.A method for calculation the activation energy distribution for desorption of ammonia using a TPD spectrum obtained under desorption control conditions

• Takao Masuda, Yoshihiro Fujikata, Hideo Ikeda, Shun-ichi Matsushita, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,162,29(1997)

6.A method of calculating adsorption enthalpy distribution using ammonia temperature-programmed desorption spectrum under adsorption equilibrium conditions

• Takao Matsuda, Yoshihiro Fujikawa, Shin R. Mukai, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,165,57(1997)

7.基板表面污染物分析法：升溫脫離分析

• 薮本周邦
• NTT先進技術公司
• 半導體製程環境中的化學污染及其對策, Realize社, p291

1997：學會摘要

1. 透過TDS與FT-IR技術評估矽氧化膜品質

• 寺田久美, 梅村園子, 寺本章伸*, 小林清輝*, 黒川博志, 馬場文明
• 三菱電機(株) 尖端總研, *UL研
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：2a-D-10

2.PECVD-SiO₂閘極絕緣膜中結構水含量之降低

• 湯田克久, 田辺浩, 世良賢二, 奥村藤男
• NEC 功能電子研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：3p-K-3

3. 氦-氫雙段注入矽晶圓中氣泡形成行為

• 中嶋健, 高田涼子, 須藤充, 貝沼光浩*, 中井哲弥, 冨澤憲治
• 三菱材料矽股份有限公司 技術本部 開發中心, *三菱材料股份有限公司 綜合研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：3p-PB-2

4.透過TDS直接觀察Smart-Cut行為(２)

• 高田涼子, 高石和成, 冨澤憲治
• 三菱材料矽股份有限公司 技術本部 開發中心
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：3p-PB-3

5.C49/C54 TiSi₂相變之TDS原位觀測

• 田中宏幸, 平下紀夫, 北明夫
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：4a-D-10

6.ECR-CVD法製備之SiOF薄膜中氟元素脫離之影響

• 宇佐見達矢, 五味秀樹
• NEC 超積體電路裝置開發研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：4a-K-5

7. 氟改性技術降低氫化矽烷氧烷介電常數之研究

• 中田義弘, 福山俊一, 片山倫子, 山口城
• (株)富士通研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：4p-K-15

8.甲基矽烷-H₂O₂系統自平坦化化學氣相沉積製程

• 松浦正純, 井内敬彰*, 増田員拓*, 益子洋治
• 三菱電機(株) ULSI開發研究所, *菱電半導體(株)
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：4p-K-2

9.無機多孔質膜SOG材料(HPS)之物性評估

• 村口良, 中島昭, 小松通郎, 大倉嘉之*, 宮嶋基守*, 原田秀樹**, 福山俊一**
• 觸媒化成工業(股) 精細研究所, *富士通(股), **(股)富士通研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：4p-K-7

10.螢光體粉末與水玻璃之氣體釋放特性

• 山根美有希, 高橋主人*, 平沢重実**, 小関悦弘***
• (株)日立製作所 機械研究所, *笠戶工廠, **電子裝置事業部, ***日立裝置工程(株)
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：4p-ZT-8

11. 離子注入矽晶圓表面之有機物吸附評估

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼股份有限公司 半導體事業部 超LSI研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：3p-D-2

12.晶圓盒儲存時抗氧化劑(BHT)於矽晶圓的吸附形態

• 今井利彦, 水野亨彦, 波多野徹
• 信越半導體股份有限公司 半導體白河研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：3p-D-4

13.各類清洗後矽表面來自潔淨室之有機物污染與再清洗去除效果

• 中森雅治, 青砥なほみ
• NEC 超積體電路裝置開發研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：3p-D-5

14.APIMS-TDS系統解析矽晶圓表面吸附之異丙醇

• 森本敏弘, 上村賢一
• 新日本製鐵(株) 尖端技術研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：3p-D-7

15.透過H+注入實現空隙切割SOI(４)

• 柿崎恵男, 原徹, 井上森雄*, 梶山健二*
• 法政大學 工學部, *離子工程研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：3p-PB-4

16.1-MeV H+注入形成單晶矽薄膜之研究

• 中田穣治, 西岡孝*
• NTT 基礎研究所, *NTT 光電子學研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：3p-ZK-12

17.低介電常數氟碳膜之高溫特性

• 高相純, 富沢友博, 猪留健, 原徹, Yang*, D.Evans*, 柿崎恵三**
• 法政大學 工學部, *SMT, **夏普ULSI研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：4a-K-8

18.苯基a-C：H薄膜特性研究

• 鄭 他
• 三星電子股份有限公司 半導體研究所
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：4p-YA-3

19.微細電孔內部殘留硫酸成分之純電解陽極水沖洗

• 山崎進也, 青木秀充, 青砥なほみ, 二ツ木高志*, 山下幸福*, 山中弘次*
• NEC ULSI裝置開發研究所, *奧爾加諾股份有限公司
• 第58屆應用物理學會學術演講會預稿集(1997年秋季)：5a-D-8

20.多金屬配線(VIII)～WNX薄膜中氮元素的脫離過程～

• 中嶋一明, 赤坂泰志, 宮野清孝, 高橋護*, 末廣信太郎*, 須黒恭一
• (株)東芝 微電子技術研究所, *(株)東芝 環境技術研究所
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：28a-PB-14

21.SiH4-H2O2系統CVD氧化膜製程中NMOS熱載子可靠性評估

• 久保誠, 八尋和之, 冨田健一
• (株)東芝 半導體生產技術推進中心
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：28p-F-18

22.採用三乙氧基矽烷(TRIES)製備之SiO2薄膜(II)

• 服部覚, 原田勝可
• 東亞合成股份有限公司 新材料研究所
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：29頁-F-13

23.透過TDS直接觀察Smart-Cut行為

• 高田涼子, 高石和成, 冨沢憲治
• 三菱材料矽股份有限公司 技術本部 開發中心
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：29p-G-11

24.乾燥後晶圓表面殘留吸附性異丙醇之評估

• 嵯峨幸一郎, 岡本彰, 国安仁, 服部毅
• 索尼股份有限公司 半導體事業部 超LSI研究所
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：30p-D-11

25.甲基矽烷-H₂O₂系統自平坦化化學氣相沉積製程(１)

• 松浦正純, 増田員拓*, 井内敬彰*, 益子洋治
• 三菱電機株式會社 ULSI開發研究所, *菱電半導體株式會社
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：30p-F-14

26.SiH4/H2O2化學氣相沉積氧化膜之成膜特性

• 吉江徹, 下川公明, 吉丸正樹
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：30p-F-15

27.利用氫自由基形成高可靠性SiOF薄膜

• 福田琢也, 佐々木英二*, 細川隆, 小林伸好
• (株)日立製作所 半導體技術開發中心, *日立超LSI工程
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：30p-F-20

28.半導體層間絕緣膜中水分子升溫脫離光譜解析

• 大嶽敦, 小林金也, 加藤聖隆*, 福田琢也*
• (株)日立製作所 日立研究所, *(株)日立製作所 半導體事業部
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：30p-F-21

29.非電子束聚硅烷SOG之成膜特性

• 斎藤政良, 平沢賢斎, 坂井健志, 堀田勝彦*, 加藤聖隆, 高松朗, 小林伸好
• (株)日立製作所 半導體事業部, *日立微控制器
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：30p-F-5

30.低介電常數HSQ薄膜特性之結構依賴性

• 後藤欣哉, 北沢良幸*, 松浦正純, 益子洋治
• 三菱電機株式會社 ULSI開發研究所, *三菱電機株式會社 尖端技術綜合研究所
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：30p-F-8

31.透過H+注入形成Si薄膜層

• 柿崎恵男, 木花岳郎, 大島創太郎, 原徹, 井上森雄*, 梶山健二*
• 法政大學工學部, *離子工程研究所
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：29p-G-12

32.Si(100)表面上PH3的室溫吸附過程

• 築舘厳和, 末光眞希
• 東北大學 電気通信研究所
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：29p-ZN-10

33.P被覆Si(100)表面上SiH4及Si2H6之室溫吸附行為

• 築舘厳和, 末光眞希
• 東北大學 電気通信研究所
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：29p-ZN-11

34.碲在Si(100)表面的吸附結構

• 田宮健一, 大谷卓也, 武田康, 浦野俊夫, 福原隆宏, 金子秀一, 本郷昭三
• 神戶大學 工學部
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：29p-ZN-2

35. 運用MDS與TDS技術探究Cs、D共吸附於Si(100)表面的結構

• 長谷部弘之, 清水将之, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神戶大學 工學部
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：29頁-ZN-4

36.Li, D共吸附於Si(100)表面的MDS與TDS觀測

• 福原隆宏, 金子秀一, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神戶大學 工學部
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：29p-ZN-5

37.鈹、氘共吸附於Si(100)表面之氘脫附機制

• 小嶋薫, 藤内重良, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神戶大學 工學部
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：29頁-ZN-6

38.微細孔洞內部殘留硫酸成分

• 山崎進也, 青木秀充, 西山岩男*, 青砥なほみ
• NEC 超大規模積體電路裝置開發研究所, *NEC 微電子研究所
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：30p-D-8

39.SiOF薄膜中水分對介電常數之影響

• 上田聡, 菅原岳, 上田哲也, 玉岡英二, 真弓周一
• 松下電器產業(股)公司 半導體研究中心
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：30p-F-18

40.透過電子束照射改善氫化矽烷氧烷無機SOG薄膜品質

• 楊京俊, 崔東圭, 王時慶, L. Forster, 中野正
• Allied Signal AMM
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：30p-F-2

41.利用TOF-ESD與FTIR原位觀測研究CO在金屬表面的吸附行為

• 上田一之, 伊達正和, 芳村雅満, 白輪地菊雄*, 西沢誠治*
• 豐田工業大學(研究所), 日本分光
• 第44屆應用物理學聯合研討會預稿集(1997年春季)：31a-ZN-7

42.New Low Dielectric Constant Siloxane Polymers

• Nigel P. Hacker
• Allied Signal Inc., Advanced Microelectronic Materials
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

43.HSQ膜特性之結構依賴性

• 松浦正純
• 三菱電機股份有限公司 ULSI開發研究所
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

1996：論文・期刊・書籍

1.Dimerization Process in Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,L799(1997)

2.Thermal Desorption Spectroscopy of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,5866(1997)

3.平下紀夫学位論文

• 平下紀夫
• 沖電気工業(株) 超LSI開發中心
• 電氣通信大學(1996)

4.矽基板表面吸附物的熱脫離行為

• 神保智子, 石川勝彦*, 伊藤雅樹*, 津金賢, 田辺義和, 斎藤由雄, 富岡秀起
• 日立製作所 裝置開發中心, *日立製作所 半導體事業部
• 信學技報 TECHNNICAL REPORT OF IEICE.,ED96-11,SDM96-11,75(1996)

5.Extreme Trace Analysis for Clean Process of LSI Fabrication

• Norikuni Yabumoto
• NTT Advanced Technology Corporation
• NTT REVIEW,8,70(1996)

6.Thermal Desorption Spectroscopy of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition

• Mikio Yamamuka, Takaaki Kawahara, Tetsuro Makita, Akimasa Yuuki and Kouichi Ono
• Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp. 729-735

1996：學會摘要

1.Evidence for Asymmetrical Hydrogen Profile in Thin D2O Oxidized SiO2 by SIMS and Modified TDS

• Kouichi MURAOKA, Shin-ichi TAKAGI and Akira TORIUMI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.500-502

2.Significant Effect of OH inside Silicon Chemical Oxides on AHF(Anhydrous Hydrofluoric Acid) Etching

• Kouichi MURAOKA, Iwao KUNISHIMA, Nobuo HAYASAKA and Shin-ichi TAKAGI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.521-523

3.透過TDS升溫脫離分析評估熱氧化膜中氫含量

• 寺田久美, 黒川博志, 小林清輝*, 川崎洋司*
• 三菱電機(株) 尖端總研究所, *UL研究所
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：7a-H-3

4.殘留氟元素對有機物吸附至晶圓表面的加速作用

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼股份有限公司 半導體事業部 超LSI研究所
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：8a-L-7

5.晶圓表面吸附物對貼合界面的影響

• 高田涼子, 大嶋昇, 高石一成, 冨沢憲治, 新行内隆之*
• 三菱材料矽股份有限公司 技術本部 開發中心, *三菱材料矽股份有限公司技術本部 製程技術部
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：8p-L-6

6.LPCVD-SiN薄膜中氫氣導致的熱載子壽命劣化現象(２)

• 内田英次, 時藤俊一, 渋沢勝彦*, 村上則夫*, 中村隆治*, 青木浩*, 山本祐広*, 平下紀夫
• 沖電氣工業(株) 超LSI研究開發中心, *沖電氣工業(株) 製程技術中心
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：8p-R-18

7. 運用分子軌道法解析SiOF薄膜成膜用氣體之分子解離反應

• 大嶽敦, 小林金也, 田子一農, 福田琢也*, 細川隆*, 加藤聖隆*
• (株)日立製作所 日立研究所, *(株)日立製作所 半導體事業部
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：9a-H-1

8. 碳含量變化之有機SOG平坦化特性

• 平沢賢斎, 斎藤政良, 加藤聖隆
• (株)日立製作所 半導體事業部
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：9a-H-20

9.採用(C2H5O)3SiF／(C2H5O)3SiH之PECVD法製備SiOF薄膜之成膜特性

• 鬼頭英至, 室山雅和, 佐々木正義
• 索尼股份有限公司 半導體事業部 第一LSI部門
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：9a-H-5

10.含氟SiO薄膜吸濕機制之探討

• 室山雅和, 芳賀豊, 佐々木正義
• 索尼(股)公司 S.C.第一LSI部門
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：9a-H-9

11.矽晶圓表面附著有機物之觀察

• 松尾千鶴子, 高石一成, 冨沢憲治, 新行内隆之*
• 三菱材料矽股份有限公司 技術本部 開發中心, *三菱材料矽股份有限公司 技術本部 製程技術部
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：9a-L-8

12.Pd/a-Si：H/c-Si積層膜中的矽化作用過程(１)

• 安藤伸一, 古林治, 安達久美, 本橋光也, 本間和明
• 東京電機大學 工學部
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：7p-N-18

13.Si(100)表面之高次氫脫離過程

• 中澤日出樹, 末光眞希, 宮本信雄*
• 東北大學 電気通信研究所, *東北學院大學 工學部
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：8p-W-12

14.Cs, D共吸附Si(100)表面的MDS觀測

• 長谷部弘之, 福原隆宏, 小嶋薫, 清水将之, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神戶大學 工學部
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：8p-W-13

15. 透過高能量迴旋鐳射光電子能譜法研究叔丁基膦在Si(001)表面上的分解過程

• 金田源太, 眞田則明, 福田安生
• 靜岡大學 電子研究所
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：8p-W-17

16.經電子束固化處理之有機SOG薄膜特性分析

• 崔東圭, J. Kennedy, L. Forster, 中野正
• Allied Signal AMM
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：9p-H-17

17.運用TD-APIMS技術觀測離子注入缺陷中的氫捕獲現象

• 薮本周邦, 佐藤芳之*, 斎藤和之**
• NTT 境界研究所, *NTT LSI研究所, **會津大學
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：9p-L-1

18.透過H+注入實現的空隙切割SOI(２)

• 柿崎恵男, 木花岳郎, 大島創太郎, 北村平, 原徹
• 法政大學 工學部
• 第57屆應用物理學會學術演講會預稿集(1996年秋季)：9p-P-2

19.採用SiH4/CF4氣體之偏壓ECR-CVD製程所形成SiOF薄膜特性

• 宇佐美達矢, 石川拓, 本間哲哉
• NEC 超積體電路裝置開發研究所
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：26a-N-10

20.低介電常數PTFE薄膜之評估

• 長谷川利昭, 松澤伸行*, 門村新吾, 青山純一
• 索尼(股) 超LSI研究所, *中央研究所
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：26a-N-2

21.氫化硅氧烷(HSQ)介電常數評估

• 宮永隆史, 佐々木直人, 亀岡克也, 森山一郎, 佐々木正義
• 索尼股份有限公司 半導體事業部 第一LSI部門
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：26a-N-6

22.運用離子注入法改質有機SOG薄膜(V)

• 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行, 豆野和延
• 三洋電機株式會社 微電子研究所
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：26a-N-7

23.LPCVD-SiN薄膜因氫氣導致的熱載流子壽命劣化現象

• 時藤俊一, 渋沢勝彦, 村上則夫*, 内田英次, 中村隆治*, 青木浩*, 山本祐広*, 平下紀夫
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心、製程技術中心
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：27p-E-4

24.塑膠盒釋放之有機添加劑於晶圓表面之吸附機制

• 嵯峨幸一郎, 古谷田作夫, 服部毅
• 索尼股份有限公司 半導體事業部 超LSI研究所
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：27p-F-12

25.無水HF氣體進行原位自然氧化膜蝕刻之作用機制

• 村岡浩一, 國島巌, 早坂伸夫, 高木信一, 鳥海明
• (株)東芝 ULSI研究所
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：28a-K-3

26.偏壓ECR CVD SiO膜釋放氣體對W插入式製程之影響

• 芳賀豊, 室山雅和, 佐々木正義
• 索尼股份有限公司 半導體事業部 第一LSI部門
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：29頁-N-8

27. 透過四甲基二苯胺／氧自由基反應形成低介電常數絕緣膜

• 奈良明子, 伊藤仁
• (株)東芝 ULSI研究所
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：26a-N-1

28.石墨表面吸附氧氣之升溫脫離

• 吉田巌, 杉田利男*, 野口峰男*
• 東京理科大學 基礎工學部, *工學部
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：26a-PA-12

29.a-Si：H薄膜結構之微結晶化過程評估(III)

• 中島郷子, 大嶋孝文, 本橋光也, 本間和明
• 東京電機大學 工學部
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：26a-TC-10

30.SiOF薄膜吸濕性之探討

• 篠原理華, 工藤寛, 武石俊作, 山田雅雄
• 富士通股份有限公司 製程開發部
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：26頁-N-12

31.氧離子注入Si基板中SiO的脫離現象

• 石川由加里, 柴田典義
• 精密陶瓷中心
• 第43屆應用物理學聯合研討會預稿集(1996年春季)：27頁-P-9

32. 昇溫脫離法之純鈦真空特性評估

• 穐谷修二, 本間禎一
• 千葉工業大學
• 第43屆應用物理學相關聯合研討會預稿集(1996年春季)：28頁-ZL-3

1995年：論文・期刊・著作

1.The distribution of activation energy for hydrogen desorption over silica-supported nickel catalysts determined from temperature-programmed desorption spectra

• Masahiko Arai, Yoshiyuki Nishiyama, ＊Takao Masuda, ＊Kenji Hashimoto
• Institute for Chemical Reaction Science, Tohoku University, ＊Depertment of Chemical Engineering, Kyoto University
• Appl.Surf.Sci.,89,11(1995)

2.升溫脫離分析在矽表面評估中的應用

• 薮本周邦
• NTT先進技術
• 表面技術,46,47(1995)

3.X-Ray Photoelectron Spectroscopic Studies on Pyrolysis of Plasma-Polymerized Fluorocarbon Films on Si

• Ken FUJITA, Yasuhiro MIYAKAWA and Norio HIRASHITA
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,304(1995)

4.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya*, N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd., *Process Technology Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,1021(1995)

5.Reaction Studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• N.Hirashita, Y.Miyakawa, K.Fujita and J.Kanamori
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,2137(1995)

6.Direct analysis of contamination in submicron contact holes by thermal desorption spectroscopy

• Hidemitsu Aoki, Yuden Teraoka*, Eiji Ikawa, Takamaro Kikkawa and Iwao Nishiyama*
• ULSI Device Development Labs. NEC Corporation, *Microelectronics Research Labs. NEC Corporation
• J.Vac.Sci.Technol.A,13,42(1995)

7.矽晶圓表面分析評估技術：晶圓上吸附分子的分析評估技術

• 薮本周邦
• NTT先進科技
• 矽晶圓表面清潔技術 別冊,Realize社,p101

1995年：學會摘要

1. 螺旋波等離子體化學氣相沉積製備之SiOF薄膜品質評估

• 芳賀豊, 室山雅和, 佐々木正義
• 索尼股份有限公司 半導體公司 第一LSI部門
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：26a-ZB-3

2.吸濕效應對低介電常數表面保護膜之影響

• 足立悦志, 足達廣士, 武藤浩隆, 藤井治久
• 三菱電機(株) 中央研究所
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：26a-ZB-6

3.等離子氧化膜水分透過抑制機制之探討

• 内田博章, 時藤俊一*, 酒谷義広, 平下紀夫*
• 沖電気工業(株) 製程技術中心, *超LSI研究開發中心
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：26a-ZB-9

4.電極界面鄰近區域之CVD-BST薄膜特性

• 山向幹雄, 川原孝昭, 中畑匠, 結城昭正, 斧高一
• 三菱電機株式會社 半導體基礎研究所
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：26a-ZG-7

5.高介電常數材料(Ba, Sr)TiO3薄膜的形成與界面控制

• 結城昭正
• 三菱電機株式會社 半導體基礎研究所
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：26p-W-6

6.採用TiCl4製備之CVD TiN薄膜之氯含量與膜質

• 川島淳志, 宮本孝章, 門村新吾, 青山純一
• 索尼股份有限公司 半導體事業部 超LSI研究所
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：27a-PB-8

7. 高溫成膜O3-TEOS NSG薄膜之評估

• 味沢治彦, 斉藤正樹, 森山一郎, 佐々木正義
• 索尼股份有限公司 半導體事業部 第一LSI部門
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：28a-PC-11

8.氫化硅烷氧基矽氧烷SOG作為層間絕緣膜之特性

• 小柳賢一, 岸本光司, 本間哲哉
• 日本電氣(股)公司 ULSI裝置開發研究所
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：28a-PC-2

9.運用離子注入法改質有機SOG薄膜(IV)

• 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行
• 三洋電機株式會社 微電子研究所
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：28a-PC-4

10.以H2O添加濺鍍法形成之非晶ITO薄膜經熱處理後的結構變化

• 西村悦子, 安藤正彦, 鬼沢賢一, 峯村哲郎, 高畠勝*
• (株)日立製作所 日立研究所, *電子裝置事業部
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：28a-ZH-8

11.透過密度控制實現SiOF薄膜低吸濕化

• 工藤寛, 淡路直樹*, 篠原理華, 武石俊作, 星野雅孝, 山田雅雄
• 富士通株式會社 製程開發部, *超大規模積體電路研究部
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：26a-ZB-10

12.高介電常數電極材料之TDS評估

• 芦田裕, 中林正明, 記村隆章, 森治久
• 富士通股份有限公司
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：26a-ZG-1

13.採用TDS法解析砷(注)素離子注入缺陷

• 斉藤和之, 佐藤芳之*, 本間芳和**, 薮本周邦**
• 會津大學, *NTT LSI研究所, **NTT 界面研究所
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：26p-ZP-9

14. 鍍膜中惰性氣體對矽懸垂鍵的影響

• 寺田久美, 黒川博志, 小林淳二, 河野博明*, 小林和雄**, 子蒲哲夫
• 三菱電機(株) 材料研究所, *北伊丹製作所, **熊本製作所
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：26p-ZV-15

15.由表面氫脫離誘發之矽基材上鋁選擇性化學氣相沉積反應

• 勝田義彦, 小永田忍, 坂上弘之, 新宮原正三, 高萩隆行
• 廣島大學 工學部
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：26p-ZV-8

16.利用TDS及SIMS技術對SiO2薄膜中Ar元素之定量分析

• 塚本和芳, 松永利之, 渡辺啓一, 森田弘洋, 山西斉*, 吉岡芳明
• (株)松下科技研究 技術部 半導體分析組, *松下電器產業(株)生產技術本部 薄膜加工研究所
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：27a-C-3

17.採用Ar+－IBARD法製備之TiOX薄膜之Ar升溫脫離特性

• 笹瀬雅人, 山木孝博*, 三宅潔**, 鷹野一朗, 磯部昭二
• 工學院大學 工學部, *日立製作所 日立研究所, **日立製作所 電開本
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995秋)：27p-ZH-9

18.氫終端Si(100)2×1表面上鈉離子的吸附・脫離與電子態(I)

• 藤本訓弘, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神戶大學 工學部
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：27頁-ZL-2

19.酒精添加對TEOS/O3常壓CVD反應之影響(IV)－添加至四甲氧基矽烷原料之研究－

• 池田浩一, 前田正彦
• NTT LSI研究所
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：28a-PC-9

20.氧自由基退火對Ta₂O₅薄膜漏電流降低之效果

• 松井裕一, 鳥居和功, 糸賀敏彦, 飯島晋平*, 大路譲*
• 日立中研, *日立半事
• 第56屆應用物理學會學術演講會預稿集(1995年秋季)：28p-PC-3

21.透過TDS評估貼合晶圓－晶圓背面的貢獻－

• 高田涼子, 岡田千鶴子, 近藤英之, 龍田次郎, 降屋久, 新行内隆之
• 三菱材料矽股份有限公司 中央研究所
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：28a-X-2

22. 透過TDS評估貼合晶圓 II －貼合界面的貢獻－

• 岡田千鶴子, 高田涼子, 近藤英之, 龍田次郎, 降屋久, 新行内隆之
• 三菱材料矽股份有限公司 中央研究所
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：28a-X-3

23.DCS-WSiX薄膜中氟、氯含量與TDS分析

• 山崎治, 大南信之, 谷川真, 井口勝次, 崎山恵三
• 夏普株式會社 超LSI開發研究所
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：29a-K-8

24.運用離子注入法改質有機SOG薄膜(II)

• 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行
• 三洋電機株式會社 微電子研究所
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：30a-C-1

25.TEOS-O3堆積薄膜之應力與結構・組成之熱變化

• 梅澤華織, 土屋憲彦, 矢吹宗, 藤井修*, 大森廣文*, 松本明治*
• (株)東芝 半導體事業本部, *(株)東芝 研究開發中心
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：30a-C-10

26.SiH4-H2O2系統CVD氧化膜之層間絕緣膜形成製程(２)

• 松浦正純, 西村恒幸*, 林出吉生, 平山誠, 井内敬彰*
• 三菱電機株式會社 ULSI開發研究所, *菱電半導體株式會社
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：30a-C-4

27.採用聚羥基矽烷進行表面平整化

• 小林倫子, 福山俊一, 中田義弘
• (株)富士通研究所
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：30a-C-6

28.酚類化合物對過羥基硅氮烷氧化反應的促進作用

• 中田義弘, 福山俊一, 小林倫子, 原田秀樹*, 大倉嘉之*
• (株)富士通研究所, *富士通(株)
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：30a-C-7

29.透過TDS技術解析氫注入矽基板之氫氣脫離行為

• 奥村治樹, 長谷川剛啓, 添田房美
• 東麗研究開發中心
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：30a-H-1

30.等離子體化學氣相沉積二氧化矽薄膜特性之射頻依賴性

• 河野浩幸, 岩崎賢也
• 宮崎沖電氣株式會社
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：30p-C-13

31.運用TDS檢測離子注入雜質(B,P,As)

• 薮本周邦, 本間芳和, 佐藤芳之*, 斎藤和之**
• NTT 境界研究所, *NTT LSI研究所, **會津大學
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：28a-X-1

32. 玻璃基板上有機分子行為之升溫脫離法評估

• 高橋善和, 稲吉さかえ, 斎藤一也, 塚原園子, 飯島正行
• 日本真空技術(株) 筑波超材料研究所
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：28a-ZS-4

33.Si晶圓表面有機污染物的化學組成

• 高萩隆行, 小島章弘, 坂上弘之, 新宮原正三, 八嶋博*
• 廣島大學 工學部, 東麗研究開發中心
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：29a-PA-14

34.磷酸處理後GaAs表面的評估

• 林栄治, 永井直人, 中川善嗣, 中山陽一, 添田房美
• 東麗研究開發中心
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：29a-ZN-2

35.CVD-TiN薄膜之氯氣脫氣特性評估

• 鈴木寿哉, 坂井拓哉*, 大場隆之, 八木春良
• 富士通株式會社, *富士通VLSI株式會社
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995年春季)：29p-K-3

36.HF處理矽表面之IPA吸附 II

• 宮田典幸, 小尻英博*, 山下良美, 岡村茂, 久継徳重
• (株)富士通研究所, *富士通(株)
• 第42屆應用物理學聯合研討會預稿集(1995春季)：29頁-PA-20

1994：論文・期刊・專書

1.Thermal Desorption Spectroscopy and X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of CFx Layer Deposited on Si and SiO₂

• Yasuhiro Miyakawa, Ken Fujita, Norio Hirashita, Naokatsu Ikegami, Jun Hashimoto, Takayuki Matsui and Jun Kanamori
• VLSI R&D Center, Oki Electric Industry CO., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,65,7047(1994)

2.In situ infrared study of chemical state of Si surface in etching solution

• Michio Niwano, Yasuo Kimura and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• Appl.Phys.Lett.,65(13),1692(1994)

3. 昇溫脫離氣體分析法於半導體積體電路材料中釋放氣體之定量分析

• 平下紀夫, 内山泰三*
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心, *電子科學(株)
• 分析化學,43,757(1994)

4.Reaction studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• Norio HIRASHITA, Yasuhiro MIYAKAWA, Ken FUJITA and Jun KANAMORI
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• DRY PROCESSS SYMPOSIUM,181(1994)

5.The impact of intermetal dielectric layer and high temperature bake test on the reliability of nonvolatile memory devices

• E.Sakagami, N.Arai*, H.Tsunoda**, H.Egawa**, Y.Yamaguchi, E.Kamiya, M.Takebuchi***, K.Yamada***, K.Yoshikawa and S.Mori
• Semiconductor Device Engineering Laborattory, TOSHIBA Corp., *TOSHIBA Microelectronics Corp., **Integrated Circuit Advanced Prosess Department, TOSHIBA Corp., ***Logic Device Engineering Department, TOSHIBA Corp.
• IEEE/IRPS(1994)

6.Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air

• Michio Niwano, Jun-ichi Kageyama, Kazunari Kurita, Koji Kinashi, Isao Takahashi and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Appl.Phys.,76,2157(1994)

7.Ultraviolet-Induced Deposition of SiO₂ Film from Tetraethoxysilane Spin-Coated on Si

• Michio Niwano, Koji Kinashi, Kazuhiko Saito and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Electrochem.Soc.,141,1556(1994)

8.有機物造成的表面污染

• 高萩隆行
• (株)東麗研究開發中心
• Journal of Japan Air Cleaning Association,7,32(1994)

9.Fine Contact Hole Etching in Magneto-Microwave Plasma

• Y.Miyakawa, J.Hashimoto, N.Ikegami, T.Matsui and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,33,2145(1994)

10.Determination of Hydrogen Concentration in Austenitic Stainless Steels by Thermal Desorption Spectroscopy

• Masako Mizuno, Hideya Anzai, Takashi Aoyama and Takaya Suzuki
• Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
• Materials Transactions JIM,35,703(1994)

11.TDS脫離氣體分析－以電子材料為中心－

• 奥村治樹, 高萩隆行
• 東麗研究中心股份有限公司 表面科學研究部
• THE TRC NEWS,30,49(1994)

1994：學會摘要

1.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno*, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya* and N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, *Process Technology Center
• Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1994, pp.925-927

2.TDS法製備CVD薄膜(Ba, St)TiO3薄膜之特性評估

• 山向幹雄, 川原孝昭, 蒔田哲郎, 結城昭正, 斧高一, 上原康*
• 三菱電機株式會社 半導體基礎研究所, *材料裝置研究所
• 第55屆應用物理學會學術演講會預稿集(1994年秋季)：19p-M-5

3. PECVD SiOF薄膜之吸濕特性(II)

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心
• 第55屆應用物理學會學術演講會預稿集(1994年秋季)：20p-ZC-14

4.過羥基硅氮烷成膜機制 II

• 大倉嘉之, 原田秀樹, 清水敦男, 渡部潔, 福山俊一*, 中島昭**, 高橋美紀**, 小松通郎**
• 富士通股份有限公司 製程開發部, *富士通研究所股份有限公司, **觸媒化成工業股份有限公司 精細研究所
• 第55屆應用物理學會學術演講會預稿集(1994年秋季)：20p-ZC-7

5.運用升溫脫離光譜法(TDS)解析光阻劑之熱反應行為

• 佐久間徹夫, 池田章彦, 吉信達夫*, 岩崎裕*
• 旭化成工業株式會社, *大阪大學 產業科學研究所
• 第55屆應用物理學會學術演講會預稿集(1994年秋季)：22a-ZB-8

6. 基於氫氣升溫脫離光譜之Si(100)表面原子平整度評估

• 中澤日出樹, 末光眞希, 金基俊, 宮本信雄
• 東北大學 電気通信研究所
• 第55屆應用物理學會學術演講會預稿集(1994年秋季)：20a-ZB-5

7.矽表面之氟脫離與氫吸附

• 久保田徹, 白石修司, 斎藤洋司
• 成蹊大學 工學部
• 第55屆應用物理學會學術演講會預稿集(1994年秋季)：20p-ZB-10

8.TEOS/O3常壓CVD反應中添加醇類之效應(III)－氘代醇類之添加－

• 池田浩一, 中山諭, 前田正彦
• NTT LSI研究所
• 第55屆應用物理學會學術演講會預稿集(1994年秋季)：20p-ZC-1

9. 等離子體化學氣相沉積法成膜條件對寄生MOS-Tr.之影響

• 大田裕之, 浅田仁志, 佐藤幸博, 清水敦男, 渡部潔
• 富士通股份有限公司
• 第55屆應用物理學會學術演講會預稿集(1994年秋季)：20p-ZC-9

10.熱氧化膜之吸濕特性

• 奥野昌樹, 片岡祐治, 小尻英博*, 杉田義博, 渡辺悟, 高崎金剛
• (株)富士通研究所, 富士通(株)
• 第55屆應用物理學會學術演講會預稿集(1994年秋季)：21p-ZB-15

11.Si(111)表面氧化膜之透射差分掃描顯微鏡觀察

• 渡部宏治, 伊藤文則, 平山博之
• NEC 微電子研究所
• 第55屆應用物理學會學術演講會預稿集(1994年秋季)：21p-ZB-16

12.利用TDS分析矽表面有機物污染

• 奥村治樹, 高萩隆行
• 東麗研究開發中心
• 第41屆應用物理學聯合研討會預稿集(1994年春季)：29a-ZK-11

13.有機SOG之無機化烘烤處理

• 小針英也, 岡野進, 大橋直史*, 根津広樹*
• 東京應化工業株式會社 開發本部, *日立製作所株式會社 裝置開發中心
• 第41屆應用物理學聯合研討會預稿集(1994年春季)：30p-ZW-13

14.聚梯狀有機矽氧烷作為SOG之應用研究

• 足立悦志, 足達弘士, 西村浩之, 南伸太朗, 松浦正純*
• 三菱電機株式會社 中央研究所, *超大規模積體電路開發研究所
• 第41屆應用物理學聯合研討會預稿集(1994年春季)：30p-ZW-14

15.多層配線通孔孔洞中NH3的脫離現象

• 時藤俊一, 内田英次*, 奥野泰幸*, 伏見公久*, 酒谷義広*, 平下紀夫
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心, *製程技術中心
• 第41屆應用物理學聯合研討會預稿集(1994年春季)：30p-ZW-15

16.O3-TEOS絕緣膜之膜質改質

• 谷川真, 土居司, 石濱晃, 崎山恵三
• 夏普株式會社 超LSI開發研究所
• 第41屆應用物理學聯合研討會預稿集(1994年春季)：30p-ZW-2

17.O3-TEOS絕緣膜之膜質改善

• 小針英也, 岡野進, 湊光朗
• 東京應化工業株式會社 開發本部
• 第41屆應用物理學聯合研討會預稿集(1994年春季)：30p-ZW-3

18. PECVD製備之SiOF薄膜吸濕特性

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心
• 第41屆應用物理學聯合研討會預稿集(1994年春季)：30p-ZW-8

19.透過控制底膜殘留物的化學物種來提升TEOS/O3 SiO2膜的嵌入性

• 久保享, 廣瀬和之, 本間哲哉, 村尾幸信
• NEC 超積體電路裝置開發研究所
• 第41屆應用物理學聯合研討會預稿集(1994年春季)：30p-ZW-4

20.底層對無電解銅電鍍針狀結晶形成之影響

• 藤波知之, 横井池加子, 本間英夫*
• 荏原尤吉萊特股份有限公司, *關東學院大學工學部
• 表面技術協會 第90屆演講大會摘要集,168,(1994)：5C-19

1993：論文・期刊・書籍

1.Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O3 Oxide and Water Blocking with ECR-SiO2 Film

• N.Shimoyama, K.Machida, J.Takahashi, K.Murase, K.Minegishi and T.Tsuchiya
• NTT LSI Laboratories
• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,40,1682(1993)

2.Thermal Desorption Studies of Silicon Dioxide Deposited by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and Ozone

• Katsumi Murase, Norikuni Yabumoto*, Yukio Komine
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1722(1993)

3.The Effect of Plasma Cure Temperature on Spin-On Glass

• Hideo Namatsu and Kazushige Minegishi
• NTT LSI Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1121(1993)

4.Growth of Native Oxide and Accumulation of Organic Matter on Bare Si Wafer in Air

• Chizuko Okada, Hiroyuki Kobayashi, Isao Takahashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1031(1993)

5.Measurement of Organic Matter on Si Wafer by Thermal Desorption Spectroscopy

• Chizuko Okada, Isao Takahashi, Hiroyuki Kobayashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1186(1993)

6.Thermal Desorption and Infrared Studies of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited SiO Films with Tetraethylorthosilicate

• N.Hirashita, S.Tokitoh and H.Uchida
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1787(1993)

7.Direct numerical method to analyze thermal desorption spectra

• H.Froitzheim, P.Schenk and G.Wedler
• Institute fur Physikalische und Theoretische Chemie, Universitat Erlangen-Nurnberg
• J.Vac.Sci.Technol.A,11,345(1993)

8.CVD氧化膜的吸濕過程與水分脫離機制

• 時藤俊一, 内田英次, 平下紀夫
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心
• 信學技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-9,59(1993)

9.Improvement of Water-Induced Hot-Carrier Immunity Degradation Using ECR Plasma-SiO2 with Si-H Bonds

• K.Machida, N.Shimoyama, J.Takahashi, Y.Takahashi, N.Yabumoto and E.Arai*
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• 電子情報通信學會技術報告 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-39,47(1993)

10.等離子CVD-SiO₂薄膜的吸濕特性

• 下川公明
• 沖電気工業(株) 超LSI開發研究中心
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

11.絕緣膜吸濕性相關問題－評估方法與對策

• 小谷秀夫, 松浦正純, 林出吉生
• 三菱電機株式會社 LSI研究所
• 月刊《半導體世界》(1993年2月號)

12.TEOS-O3常壓CVD NSG薄膜吸濕性之低溫退火效果

• 細田幸男, 原田秀樹, 清水敦男, 渡部潔, 芦田裕
• 富士通 基礎製程開發部, 開發推進本部
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

1993：學會摘要

1.利用升溫熱脫附分析裝置評估矽晶圓表面的有機物

• 岡田千鶴子
• 三菱材料株式會社 中研
• 第54屆分析化學討論會摘要集(1993.06)

2. 升溫脫離法分析不鏽鋼中氫含量之研究

• 水野昌子, 三沢豊, 国谷治郎, 木田利孝
• (株)日立製作所 日立研究所
• 第54回分析化学討論会要旨集(1993.06)

3.Single Step Gap Filling Technology for Subhalf Micron Metal Spacings on Plasma Enhanced TEOS/O2 Chemical Vapor Deposition System

• Katsuyuki MUSAKA, Shinsuke MIZUNO, Kiyoaki HARA
• Applied Materials Japan Inc. Technology Center
• Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, Makuhari, 1993, pp.510-512

4.Si(100)及(111)晶面SC1氧化膜之升溫分解脫離光譜法

• 岩崎裕, 中尾基, 吉信達夫, 内山泰三*
• 大阪大學 產業科學研究所, *電子科學股份有限公司
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)

5.氫終端Si(111)表面氫的熱脫離行為

• 高萩隆行, 名古屋浩貴, 中川善嗣, 永井直人, 石谷炯
• 東麗研究開發中心
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)

6.透過TDS（升溫脫離氣體分析）評估鋁膜

• 針生武徳, 大野秀樹, 井上実
• 富士通股份有限公司
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)：16a-ZR-11

7.高濃度BPSG薄膜缺陷析出及其抑制方法(３)－矽烷化處理之效果－

• 矢野航作, 寺井由佳, 杉山龍男, 遠藤正孝, 上田哲也, 野村登
• 松下電器 半导体研究中心
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)：16p-ZQ-16

8.熱處理後等離子體－CVD SiO膜之升溫脫離氣體分析(TDS)

• 時藤俊一, 内田英次, 平下紀夫
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)：16p-ZQ-5

9.TEOS-O3 NSG底層對P-SiO的依賴性

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
• 沖電気工業(株) 超LSI研究開發中心
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)：16p-ZQ-7

10.絕緣膜的高溫應力

• 星野和弘, 菅野幸保
• 索尼股份有限公司 超LSI開發本部
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)：17p-ZQ-16

11.昇溫脫離氣體分析法之脫氣定量分析方法研究

• 平下紀夫, 時藤俊一, 内山泰三*, 日永康*
• 沖電氣工業(株) 超LSI研究開發中心, *電子科學(株)
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)：27a-ZL-8

12.利用TDS法研究矽表面氫元素

• 高萩隆行, 名古屋浩貴, 長沢佳克, 石谷炯
• 東麗研究開發中心
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)：28a-ZD-7

13.TiN/Ti薄膜鍍覆導孔的氣體釋放特性

• 松浦正純, 山口澄夫, 林出吉生, 古谷秀夫
• 三菱電機株式會社 LSI研究所
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)：29a-X-1

14.過羥基硅氮烷成膜機制

• 長嶋隆, 原田秀樹
• 富士通股份有限公司
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)：29a-X-10

15. 透過升溫熱脫附分析評估非角度(111)矽晶圓表面

• 龍田次郎, 小林弘之, 高橋功, 新行内隆之, 岡田千鶴子*
• 三菱材料 中研, *三菱材料矽
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993秋)：29a-ZD-10

16.利用升溫熱脫附分析裝置評估矽晶圓表面的有機物

• 岡田千鶴子, 森田悦郎, 井上文雄, 龍田次郎*, 新行内隆之*
• 三菱材料矽, *三菱材料 中研
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993秋)：29a-ZD-11

17.接觸孔底Si表面自然氧化膜之TDS觀測

• 中森雅治, 寺岡有殿*, 青砥なほみ, 青木秀充, 西山岩男*, 井川英治, 吉川公麿
• 日本電氣(股) 株式會社 微電子研究所, *光電子研究所
• 第54屆應用物理學會學術演講會預稿集(1993年秋季)：17頁-ZP-8

1992：論文・期刊・書籍

1.Thermal Desorption Studies of Phosphorus-Doped Spin-on-Glass Films

• Norio Hirashita, Masayuki Kobayakawa, Akira Arimatsu, Fumitaka Yokoyama, and Tsuneo Ajioka
• Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• J.Electrochem.Soc.,139,794(1992)

2.Mechanisms of Surface Reaction in Fluorocarbon Dry Etching of Silicon Dioxide - An Effect of Thermal Excitation

• N.Ikegami, N.Ozawa, Y.Miyakawa, N.Hirashita and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Electronic Devices Group, OKI Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,31,2020(1992)

3.Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(100)

• Y.K.Sun, D.J.Bonser and Thomas Engel
• Department of Chemistry BG-10. University of Washington
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,2314(1992)

4.Preoxidation Si cleaning and its impact on metal oxide semiconductor characteristics

• S.R.Kasi and M.Liehr
• IBM Research Division, Thomas J.Watson Research Center
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,795(1992)

5.二氧化矽玻璃中氣體的分析方法

• 森本幸裕
• 宇濑電機株式會社 技術研究所
• 新陶瓷學報,9,65(1992)

6.TEOS/O3氧化膜中水分導致之熱載子耐性劣化與ECR-SiO2膜抑制劣化之方法

• 下山展弘, 高橋淳一, 町田克之, 村瀬克実, 峰岸一茂*, 土屋敏章
• NTT LSI研究所, *NTT 電子技術
• 信學技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM92-33,51(1992)

7.利用等離子體CVD SiO膜抑制MOSFET可靠性劣化

• 下川公明, 宇佐美隆志, 時藤俊一, 平下紀夫, 吉丸正樹
• 沖電気工業(株) VLSI研究開發中心
• 信學技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM92-133,89(1992)

8.表面吸附分子分析技術－升溫脫離分光法於ULSI之應用－

• 岩崎裕
• 大阪大學 產業科學研究所
• Realize公司 突破性研討會資料No2，《超大規模積體電路製造之分析評估技術建構－尖端分析評估技術於生產線之應用－》(1992年11月)