關於定量分析法
本資料係依據平下與內山於《分析化學》期刊發表之論文「N.Hirashita and T.Uchiyama, BUNSEKI KAGAKU, 43, 757 (1994)」所撰寫。
可透過升溫脫附分析儀器測得的升溫脫附光譜，對脫附氣體進行定量分析。
當測量腔室的排氣速率遠大於因脫附氣體所引起的測量腔室壓力變化時，脫附氣體成分的分壓變化將與單位時間內的脫附量（脫附速率）成正比。
由於質譜儀中的離子電流與分壓成正比，因此離子電流與脫離速率亦呈正比，可透過積分離子電流所得的面積強度來計算總脫離量。
若預先使用注入已知量H+的Si樣品，求得面積強度與脫離量的比例係數，即可針對各類樣品，根據m/z²的面積強度來測定氫的脫離量。
此外，針對氫以外的分子，可根據氫與目標分子的離子化難易度、碎裂因子、透過率等參數來計算比例係數。
利用此比例係數，亦可對氫以外的分子進行定量分析。
