本資料係基於平下與內山於《分析化學》期刊之報告「N.Hirashita and T.Uchiyama, BUNSEKI KAGAKU, 43 , 757 (1994)」所撰寫。

透過升溫脫離分析裝置所測得的升溫脫離光譜，可對脫離氣體進行定量分析。

當測量腔室的排氣速度遠大於脫離氣體所導致的腔室壓力變化時，脫離氣體成分的分壓變化將與單位時間內的脫離量（脫離速率）成正比。

在質譜儀中，由於離子電流與分壓成正比，最終離子電流與脫離速率亦呈正比關係，因此可透過離子電流積分後的面積強度來計算總脫離量。
若預先使用注入已知量H+的Si樣品來求得面積強度與脫離量的比例係數，便能針對各類樣品，從m/z2的面積強度來決定氫的脫離量。

此外，對於氫以外的分子，可透過氫與目標分子的離子化難易度、碎裂因子、穿透率等參數來計算比例係數。
使用此比例係數，亦可對氫以外的分子進行定量分析。