2004：論文・期刊・書籍

1.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide transparent conducting films fabricated by dip coating process

• Y. Sawada*1, S. Seki*1, M. Sano*2, N. Miyabayashi*2, K. Ninomiya*3, A. Iwasawa*3, T. Tsugoshi*4, R. Ozao*5 and Y. Nishimoto*6
• *1)Tokyo Polytechnic University, *2)ESCO Co. Ltd., *3)TOTO Ltd., *4)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, *5)North Shore College of SONY Institute, *6)Kanagawa University
• Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 77 (2004) 751-757

2004：學會摘要

1.Water sorbability of low-k dielectrics measured by thermal desorption spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya Fukuda, Yoko Uchida, Ichiro Katou
• Association of Super-Advanced Electronic Technologies
• Surface Science,566-568(2004)pp566-570

2.Reaction of Hydrogen-Desorbed Si(100) Surfaces with Water during Heating and Cooling

• Shinichi URABE, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA and Mizuho MORITA
• Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
• Jpn. J. Appl. Phys,43,8242(2004)

3.Analysis of firing process of titania gel films fabricated by sol-gel process

• Nishide Toshikazu*1, Yabe Takayuki*1, Miyabayashi Nobuyoshi*2, Sano Makiko*2
• 1 Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Engineering, Nihon University, *2 ESCO Ltd.
• Thin Solid Films,467,43(2004)

4.昇溫脫離分析法中H₂O的模式係數決定法

• 常盤聡子*1, 西出利一*2, 橋詰昭夫*3, 宮林延良*3
• *1 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
• *1 日本大學工學部次世代工程技術研究中心, *2 日本大學工學部物質化學工學科 *3 電子科學(株)
• J.Mass Spectrom.Soc.Jpn,52,45(2004)

 

2003：論文・期刊・書籍

1.Different Adsorption States between Thiophene and α-Bithiophene Thin Films Prepared by Self-Assembly Method

• Eisuke ITO, Jaegeun NOH and Masahiko HARA
• Local Spatio-Temporal Functions Laboratory, Frontier Research Systems, RIKEN
• Jpn.J.Appl.Phys.,42,852(2003)

2.Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors with Silicon rich poly-Si1-xGex and poly-Si fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition

• Kousaku Shimizu,JianJun Zhang,Jeong-Woo Lee and Jun-ichi Hanna
• Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology 4259 Nagatsuta Midoriku Yokohama 226-8503 Japan
• Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol.762,pp.253-258(2003)

3.Quantitative Evaluation of the Photoinduced Hydrophilic Conversion Properties of TiO₂ Thin Film Surfaces by the Reciprocal of Contact Angle

• Nobuyuki Sakai, Akira Fujishima, Toshiya Watanabe, and Kazuhito Hashimoto
• *1)Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo
• *2)Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
• J. Phys. Chem. B, 2003, 107(4), pp.1028-1035

2003：學會摘要

 

1.Water sorbability of Low-k dielectrics measured by Thermal Desorption Spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya fukuda, Yoko Uchida and Ichiro Katou
• Asociation of Super-Advanced Electronic Technologies (ASET)
• Euorpian Cenference on Surface Science (ECOSS22), Abstract ID:17017(2003)

2.Surface fluorination of MgO protective film to reduce chemical reactivity with H2O and CO2

• Hideaki Sakurai, Ginjiro Toyoguchi, Yoshirou Kuromitsu
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Society for Information Display (SID) 03 DIGEST, 23.3(2003)

3.電子注入層對有機EL/Si發光層之影響

• 三富豊, 高橋秀明, 岩崎好孝, 蓮見真彦, 上野智雄, 黒岩紘一, 宮林延良*
• 東京農工大學工學院, *電子科學(株)
• 第64屆應用物理學會學術演講會（2003年秋季）：31p-YL-11

4.採用H₂O淬火技術降低CVD-SiOC薄膜之淬火損傷

• 山中通成，湯浅寛，大塚俊宏，坂森重則*
• 松下電器產業株式會社 導體公司 製程開發中心、*(株)瑞納斯科技 生產技術本部 晶圓製程技術統括部
• 第64屆應用物理學會學術演講會（2003年秋季）：31a-ZK-8，第669頁

5.利用氮等離子體處理防止層間絕緣膜吸附水分

• 大塚俊宏，久都内知恵，今西貞之
• 松下電器產業株式會社 半導體事業部 製程開發中心
• 第64屆應用物理學會學術講演會（2003年秋季）：2p-YC-1，p.706

6.Material Properties and Process Compatibility of Spin-on Nano-foamed Polybenzoxazole for Copper Damascene Process

• Takashi Enoki, Kenzo Maejima, Hidenori Saito, Akifumi Katsumura
• Fundamental Research Laboratory, Research Department, Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
• Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.740, 2003 Materials Research Society, I12.9.1

2002：論文・期刊・書籍

1.Force Driving Cu Diffusion into Interlayer Dielectrics

• Takuya Fukuda, Hirotaka Nishino, Azuma Matsuura and Nironori Matsunaga
• Association of Super-Advanced Electronics Technolugies
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,537(2002)

2.Formation of Ammonium Salts and Their Effects on Controlling Pattern Geometry in the Reactive Ion Etching Process for Fabricating Aluminium Wiring and Polysilicon Gate

• Shuichi Saito*1*2, Kazuyuki Sugita*1, Jyunichi Tonotani*2 and Masashi Yamage*2
• *1 Graduate School of Science and Technology, Chiba University, *2 Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,2220(2002)

3.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide thin films fabricated by various deposition processes

• S.Seki*1, T.Aoyama*1, Y.Sawada*1, M.Ogawa*1, M.Sano*2, N.Miyabayashi*2, H.Yoshida*3, Y.Hoshi*1, M.Ide*4 and A.Shida*4
• *1 Graduate School of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics, *2 ESCO Ltd., *3 Geomatec Co., Ltd., *4 Yokohama City Center for Industrial Technology and Design
• J.Therm.Anal.Cal.,69,1021(2002)

4.昇溫脫離法對透明導電膜之評估

• 澤田豊, 関成之, 青山剛志, 佐野真紀子*, 宮林延良*
• 東京工藝大學, *電子科學
• 透明導電膜的新發展・,第15章, 175(CMC出版)

5.氘化物實現極薄閘極氧化膜高可靠性驗證與可靠性提升機制解析

• 三谷祐一郎, 佐竹秀喜
• 東芝股份有限公司 研究開發中心
• 東芝評論, 57(11),34(2002)

6.藍色發光BaAl₂S₄:Eu薄膜之熱處理過程評估

• 永野真一, 川西光弘, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大學 理工学部 電子通信工学科
• 信學技術報告 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,EID2001-90,49(2002)

7.氫氣催化鈦氧化膜升溫脫離之定量動態評估

• 山内康弘, 水野善之**, 田中彰博*, 本間禎一
• 千葉工業大學, *Alback-Fai股份有限公司, **史丹佛大學史丹佛線性加速器中心
• 真空,45(3),265(2002)

8.等離子顯示面板用MgO之脫氣特性

• 植田康弘, 黒川博志
• 三菱電機(株) 尖端技術綜合研究所
• 真空,45(2),97(2002)

9.表面科學－化學反應的物理-

• 村田好正
• 東京大学名誉教授
• 岩波講座 物理的世界（岩波書店）

2002：學會摘要

1.採用升溫脫離法解析二氧化鈦凝膠膜燒結製程

• 矢部貴行，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大學工學院，*電子科學
• 2002年日本陶瓷學會 年度會議預稿集(2002年3月)：2I21

^2.18Oを含溶膠-凝膠法之二氧化鈦凝膠膜燒結製程

• 西出利一，矢部貴行，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大學工學院，*電子科學
• 22002年日本陶瓷學會年會演講預稿集（2002年3月）：2I22

3.析出相對銅合金中氫擴散行為的影響

• 冨田英昭, 倉本繁*, 菅野幹宏**
• 東京大學研究所, *豊田中研, **東大工
• 日本金属学会春季大会講演概要(2002)；(1384)

4.昇溫脫離氣體分析法之薄膜氣體感測器研究

• 高橋修, 原和裕
• 東京電機大學
• 第63屆應用物理學會學術演講會預稿集（2002年秋季）：24頁-K-2

5.運用TDS評估Alq3分子蒸餾過程～Alq3精製之效果～

• 平井敦, 三富豊, 岩崎好孝, 蓮見真彦, 上野智雄, 黒岩紘一, ＊佐野真紀子, ＊宮林延良
• 東京農工大學, ＊電子科學
• 第63屆應用物理學會學術演講會預稿集（2002年秋季）：26頁-ZH-1

6.藍色發光鋁酸鋇₂S₄：Eu　EL元件的水定量分析

• 永野真一, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大學理工學部
• 第63屆應用物理學會學術演講會預稿集（2002年秋季）：26頁-ZD-14

2001：論文・期刊・書籍

1.Influences of Residual Chlorine in CVD-TiN Gate Electrode on the Gate Oxide Reliability in Multiple-Thickness Oxide Technology

• Masaru Moriwaki, Takayuki Yamada
• ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,40,2679(2001)

2.Recovery of useful hydrocarbons from oil palm waste using ZrO2 supporting FeOOH catalyst

• T.Masuda, Y.Kondo, M.Miwa, T.Shimotori, S.R.Mukai, K.Hashimoto, M.Takano*, S.Kawasaki*, S.Yoshida**
• Graduate School of Engineering, Kyoto University, Institute for Chemical Research, Kyoto University*, NGK Insulators LTD.**
• Chemical Engineering Science,56,897(2001)

3.Mechanism for low temperature activation of Mg-doped GaN with Ni catalysts

• (1)I.Waki, H.Fujioka, M.Oshima, (2)H.Miki, and M.Okuyama
• (1)Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, (2)Chichibu Research Laboratory, Central Reserch Laboratory, Showa Denko KK
• J.Appl.Phys.,90(12),6500(2001)

4.Study on temperature calibration of a silicon substrate in a temperature programmed desorption analysis

• N.Hirashita, T.Jimbo, T.Matsunaga, M.Matsuura, M.Morita, I.Nishiyama. M.Nishizuka, H.Okumura, A.Shimazaki, and N.Yabumoto
• Working Group of Equipment, Ultraclean Standardization Committee, Ultraclean Society
• J.Vac.Sci.Technol.A,19,1255(2001)

2001：學會摘要

1.採用升溫脫離分析法進行材料評估

• 宮林延良
• 電子科学
• 平成13年度 神奈川縣產學公交流研究發表會(2001.10.19)

2.表面分析與TDS

• 佐野真紀子
• 電子科學
• 第4屆 實用表面分析研討會(2001.11.9)

3.採用升溫脫離法燒結鈦酸鋁膠體薄膜之佐爾格爾法製程解析

• 矢部貴行, 西出利一, ＊宮林延良, ＊佐野真紀子
• 日本大學　工學部, ＊電子科學
• 日本陶瓷學會 第14屆秋季研討會演講預稿集：2B04

4.具氣體選擇性吸附特性之無機-有機雜化材料之製備與評估

• 山田紀子, 久保祐治, 片山真吾
• 新日本製鐵株式會社　尖端技術研究所
• 日本陶瓷學會 第14屆秋季研討會演講預稿集：3B07

5.Environmental Embrittlement of Vitreous Silica Fibers

• Ken-ichi Takai, Takeshi Noda, Daisaku Yamada, Noriyuki Hisamori and Akira Nozue
• Department of Mechanical Engineering, Sophia University
• 日本材料學會 50週年國際研討會(2001年5月)

6.Al₂O₃、ZrO₂的環境脆化與水、氫的存在狀態解析

• 野口和彦, 高井健一, 久森紀之, 野末章
• 上智大學　理工學部
• 第129屆日本金屬學會秋季演講大會，No.100.

7.石英玻璃纖維的環境脆化與水、氫的存在狀態解析

• 山田大策, 高井健一, 野末章
• 上智大學　理工學部
• 第129屆日本金屬學會秋季演講大會，編號99。

8.採用Zolgel法製備的鈦氧化物薄膜之升溫脫離法燒結過程研究

• 阿達金哉，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日大工、*電子科学
• 2001年日本陶瓷學會 年會演講預稿集(2001年3月)：2K26

9.18O含量的溶膠-凝膠法鉭薄膜燒結過程

• 西出利一，阿達金哉，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大學工學部，*電子科學
• 2001年日本陶瓷學會 年度會議預稿集（2001年3月）：2K27

10.昇溫脫離法對ITO透明導電膜之探討

• 関成之，澤田豊，*宮林延良，*佐野真紀子，**井出美江子
• 東京工藝大學，*電子科學，**橫濱市工藝技術支援中心
• 2001年日本陶瓷學會 年度會議預稿集（2001年3月）：2K28

11. 氮化矽粉末的氧氣行為(Ⅱ)

• 別府義久，安藤元英，大司達樹*
• シナジー研，*名工研
• 2001年日本陶瓷學會年會演講預稿集（2001年3月）：2A34

12.昇溫脫離法解析Al₂O₃與ZrO₂中水、氫的存在狀態

• 野口和彦，太田雅人，高井健一，久森紀之，野末章
• 上智大學理工學院
• 日本金属学会春期大会講演概要(2001)；(1002)

13.H₂O與H₂對石英玻璃纖維環境脆化的影響

• 山田大策，野田武，高井健一，野末章
• 上智大理工
• 日本金属学会春季大会講演概要(2001)；(1071)

14.鎳鈦合金的氫擴散速率與體內脆化現象

• 浅岡憲三，横山賢一
• 德島大學･牙醫
• 日本金属学会春季大会講演概要(2001)；(126)

15.fcc　鐵含量對鍺-鐵合金氫氣釋放光譜之影響

• 山下博史，*原田修治
• 新潟大学大学院生，*新潟大学工学部
• 日本金属学会春季大会講演概要(2001)；(194)

16.BCC型鈦-鋁-鋯合金之氫誘導非晶態化

• 宮島啓将，*石川和宏，*青木清
• 北見工科大学、*北見工科大学工学部
• 日本金属学会春季大会講演概要(2001)；(211)

17.奈米結構化石墨-氫系統的脫氫化過程

• 松島智善，折茂慎一，藤井博信
• 廣島大學綜合科學部
• 日本金属学会春季大会講演概要(2001)；(212)

18.Ti3Al基合金的氫吸附特性（化學量論比偏差的影響）

• 小島佑介，渡辺宗能，*田中一英
• 名古屋工業大學（研究所），*名古屋工業大學･工學部
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(214)

19.二元鈦-鋁合金之氫氣吸附與釋放特性

• 橋邦彦，*石川和宏，**鈴木清策，*青木清
• 北見工業大學研究所，*北見工業大學工學部，**新南威爾斯大學，
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(215)

20.LaNi5的相變導入與氘捕獲效應

• 山本篤史郎，*乾晴行，*山口正治
• 京都大學工學院･研究所，*京都大學･工學院
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(218)

21.晶格缺陷對LaNi5中殘留氫的影響

• 榊浩司，*竹下博之，*栗山信宏，**村上幸男，**水林博，***荒木秀樹，***白井泰治
• 大阪大學･研究所，*東京工業大學研究所，**筑波大學，***大阪大學･工學院
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(219)

22.機械合金化法製備之Ti-Zr-Ni系準結晶與非晶粉末之氫吸附與脫附特性比較

• 高崎明人，*韓昶浩，**古谷吉男
• 芝浦工業大學工學部，*芝浦工業大學研究所，**長崎大學教育學部
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(222)

23.(Mg，Yb)Ni2合金之氫氣儲存特性

• 大津秀貴，神田和幸，*石川和宏，*青木清
• 北見工業大學研究所，*北見工大工
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(230)

24.可在低溫下進行吸附與釋放的高容量奈米複合化鎂薄膜

• 樋口浩一，梶岡秀，間島清和，本多正英，*山本研一，**折茂慎一，藤井博信
• 廣島縣西部工藝技術中心，*馬自達股份有限公司，**廣島大學綜合科學部
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(231)

25.氫氣吸附處理對5083鋁材之晶粒細化與機械性能之影響

• 船見国男，*佐野龍聖
• 千葉工業大學工學部，*千葉工業大學研究生
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(256)

26.SUS304不鏽鋼因陰極氫吸收所致硬度增加現象

• 羽木秀樹
• 福井工業大學
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(264)

27.鐵素體鋼的氦氣與氘氣吸附特性

• 高尾康之，*岩切宏友，*吉田直亮
• 九州大學・研究所，*九州大學・應力研究所
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(64)

28.Mg2Ni/LaNi5複合材料的組織及氫同位素吸附・脫附特性

• 奥村勇人，松井旭紘，山際真太郎，鎌土重晴，小島陽
• 長岡技術科学大学（工）
• 日本金属学会春季大会講演概要(2001)；(928)

29.ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF CATALYTIC-NITRIDED SiO2 FILMS

• Akira Izumi, Hidekazu Sato and Hideki Matsumura
• JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology)
• Materials Research Society Symposium Proceedings，Vol. 670，pp. K7.8.1-K7.8.6，2001

30.Ni催化劑用於鎂摻雜GaN之低溫活化機制

• 脇一太郎, 藤岡洋, 尾嶋正治, ＊三木久幸, ＊奥山峰夫　
• 東京大學工學部, ＊昭和電工　　
• 第62屆應用物理學會學術演講會預稿集(2001年秋季)：11p-Q-2

31.運用遷移金屬催化層實現鎂摻雜GaN之低溫活化

• 脇一太郎, 藤岡洋, 尾嶋正治, ＊三木久幸, ＊奥山峰夫　
• 東京大學工學系, ＊昭和電工　　
• 第62屆應用物理學會學術演講會預稿集(2001年秋季)：11p-Q-3

32.H⁺離子注入對矽晶片分層現象之影響(ESR評估)

• 佐々木志保, 和泉富雄, ＊原徹
• 東海大學工學部, ＊法政大學工學部　
• 第62屆應用物理學會學術演講會預稿集(2001年秋季)：12a-V-7

33.碳奈米管脫離氣體之總溶解固體分析

• 岡井誠, 宗吉恭彦, 矢口富雄, 林伸明
• 日立顯示器集團
• 第62屆應用物理學會學術演講會預稿集(2001年秋季)：12a-ZT-4

34.自由基淋浴化學氣相沉積法中的薄膜品質控制

• 熊谷晃, 石橋啓次, 張宏, 田中雅彦, 北野尚武, 徐舸, 横川直明, 池本学
• 安爾爾巴　
• 第62屆應用物理學會學術演講會預稿集(2001年秋季)：13a-C-7

35.外延生長SrRuO3薄膜特性之成膜法依賴性

• 高橋健治, 及川貴弘, ＊斎藤啓介, 舟窪浩
• 東京工業大學物創研究所, ＊日本飛利浦公司　
• 第62屆應用物理學會學術演講會預稿集(2001年秋季)：13a-ZR-8

36.運用升溫脫離氣體光譜法分析藍色發光BaAl₂S₄：Eu薄膜之熱處理過程

• 永野真一, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大學　
• 第62屆應用物理學會學術演講會預稿集(2001年秋季)：14a-P14-12

37.採用流量調變操作CVD合成TiN薄膜時之氯脫離過程解析

• 霜垣幸浩, 濱村浩孝
• 東京大學工學系　
• 第62屆應用物理學會學術演講會預稿集(2001年秋季)：14a-X-3

38.運用TDS技術評估Alq3分子蒸著過程及其應用

• *平井敦, *岩崎好孝，*逢見真彦，*，**上野智雄，*黒岩紘一，***佐野真紀子，***宮林延良
• *東京農工大學工學部，**現任，新能源・產業技術綜合開發機構(NEDO)，***電子科學
• 第48屆應用物理學聯合研討會預稿集(2001.3　明治大學)；29p-ZN-12

39.透過SiO₂薄膜注入H⁺離子後矽晶片的分層現象(ESR評估)

• 佐々木志保，和泉富雄，*原徹
• 東海大學工學部，*法政大學工學部
• 第48屆應用物理學聯合研討會預稿集(2001年3月　明治大學)；30a-P11-7

40. 運用升溫脫離分析法解析環境測量用感測器之運作機制

• 横山達也，原和裕
• 東京電機大學
• 第48屆應用物理學聯合研討會預稿集(2001.3　明治大學)；30p-ZR-10

41.鎂摻雜GaN之低溫活化(1)-O3、N2O環境熱處理效應-

• 脇一太郎，藤岡洋，尾嶋正治，*三木久幸，*蕗澤朗
• 東京大學研究所・工學系，*昭和電工株式會社秩父研究室
• 第48屆應用物理學聯合研討會預稿集(2001.3　明治大學)；31p-K-2

42.真空升溫下a-Ge:H薄膜之氫鍵狀態與薄膜品質評估(Ⅲ)

• 井関克登，小林信一，青木彪
• 東京工藝大學研究所・聯合尖端技術研究中心
• 第48屆應用物理學聯合研討會預稿集(2001.3　明治大學)；28a-ZL-8

43.利用氫氣對鈦氧化膜進行升溫脫附動態評估

• 山内康弘，水野善之，*田中彰博，本間禎一
• 千葉工業大學，*Alback-Fai股份有限公司
• 第48屆應用物理學聯合研討會預稿集(2001.3　明治大學)；29p-ZF-6

44.石英玻璃中反彈式氚氣體釋放

• 那須昭一，文雅司，*谷藤隆昭，*実川資郎
• 金澤工業大學，*日本原子力研究所
• 第48屆應用物理學聯合研討會預稿集(2001.3　明治大學)；29p-ZL-11

45.利用氫原子固相穿隧反應之半導體薄膜形成極低溫反應裝置開發(Ⅱ)

• 佐藤哲也，鈴木克憲，高橋幸則，菱木繁臣，岡崎重光，中川清和，平岡賢三，*佐藤昇司，*宮田千治，**高松利行
• 山梨大學工學部，*宮通信工業，**SST
• 第48屆應用物理學聯合研討會預稿集(2001.3　明治大學)；30a-ZT-7

2000：論文・期刊・著作

1.Comparative Study of Hydride Organo Siloxane Polymer and Hydrogen Silsesquioxane

• Sung-Woong Chung, Sub-Young Kim, Joo-Han Shin, Jun Ki Kim and Jinwon Park
• Memory R&D Division, Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,39,5909(2000)

2. 昇溫脫離分析法對分子性污染的評估及其對裝置的影響

• 平下紀夫
• 沖電気工業(株)超LSI研究開發中心
• Realize公司, 半導體潔淨化技術系列基礎講座[UCT-10]

3.恆溫變態溫度與拉線加工對供析鋼氫氣吸藏特性之影響

• 高井健一, 野末章
• 上智大學理工學部機械工學科
• 日本金屬學會誌,64,669(2000)

4.DRAM用Ta₂O₅電容器形成技術

• 神山聡
• 日本電氣株式會社 系統裝置基礎研究本部
• 應用物理,69,1067(2000)

5. 氫化鎂氧化物薄膜於等離子顯示面板蒸鍍過程之氧分壓與氣體吸附特性

• 沢田隆夫, 渡部勁二*, 福山敬二, 大平卓也, 衣川勝, 佐野耕**
• 三菱電機株式會社 尖端技術綜合研究所, *株式會社埃瓦雷姆, **三菱電機株式會社 顯示器裝置統括事業部
• 真空,43(10),973(2000)

6.Characterization of Low-Dielectric-Constant Methylsiloxane Spin-on-Glass Films

• Noriko Yamada and Toru Takahashi
• Advanced Technology Research Laboratories, Nippon Steel Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) pp. 1070-1073

2000：學會摘要

1.不同結晶態AlOOH之加熱相變

• 永島徹, 亀島欣一, 安盛敦雄, 岡田清, *佐野真紀子
• 東京工業大學理工學研究科, *電子科學
• 日本陶瓷學會 第13屆秋季研討會 摘要集

2.固態核磁共振法解析二氧化矽及其結構

• 荒又幹夫，福岡宏文，藤岡一俊
• 信越化學群馬事業所
• 第61屆分析化學討論會(2000.05.18長岡抒情音樂廳)：2H14

3.Hydrogen distributions near the SiO2-Si interface

• Y.Kawashima, Z.Liu, H.Kawano and M.Kudo*
• Analysis Technology Development Division, NEC Corporation, *Faculty of Engineering, Seiseki University
• The Proceeding of the Second International Symposium on SIMS and Related Techniques(2000.11)

4.昇溫脫離法於HfO₂薄膜燒結過程之研究

• 阿達金哉, 西出利一, 宮林延良*, 佐野真紀子*
• 日大工, 電子科学*
• 日本陶瓷學會東北北海道支部研究發表會 第20屆基礎科學部會東北北海道地區懇談會(2000年秋季)：第1頁第19項

5. 昇溫脫離法解析HfO₂薄膜

• 佐野真紀子, 宮林延良, 阿達金哉*, 西出利一*,
• 電子科學, *日本大學工學院
• 第四屆實用表面分析研討會(2000.12.8)：P1-10

6.H₂O與H₂對石英玻璃纖維環境脆化的影響

• 野田武, 山田大策, 高井健一, 野末章
• 上智大學理工學部
• 日本金屬學會秋季大會演講摘要(2000) p509

7.水與氫氣對石英玻璃纖維環境脆化的影響

• 高井健一, 野田武, 野末章
• 上智大學 理工學部
• (社)日本鐵鋼協會 材料組織與特性部會 科學技術振興調整費綜合研究 第5回成果報告會研討會 概要集p7(2000年秋季)

8.H₂O與H₂對石英玻璃纖維環境脆化的影響

• 高井健一, 野田武, 河村真次, 野末章
• 上智大學 理工學部
• 第一屆微材料研討會演講論文集p43(2000年秋季)

9.低介電常數多孔質薄膜經ICP氧等離子體照射後的膜質變化

• 藤内篤, 荒尾弘樹, 江上美紀, 中島昭, 近藤英一*, 浅野種正*
• 觸媒化成工業(株)精細研究所, 九州工業大學微型化綜合技術中心*
• 第61屆應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：4a-P4-18

10.升溫脫離分析法中矽基板溫度之校正方法1 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東麗研究開發中心), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝微電子), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下科技研究), 森田瑞穂(阪大)
• UCS 半導體基礎技術研究會 標準化委員會 裝置分會
• 第61屆應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：4p-ZC-10

11.升溫脫離分析法中矽基板溫度之校正方法2 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電氣), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東麗研究開發中心), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝微電子), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下科技研究), 森田瑞穂(阪大)
• UCS 半導體基礎技術研究會 標準化委員會 裝置分會
• 第61屆應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：4p-ZC-11

12.升溫脫離分析法中矽基板溫度之校正方法3 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東麗研究開發中心), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝微電子), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下科技研究), 森田瑞穂(阪大)
• UCS 半導体基盤技術研究会 標準化委員会 装置部会
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：4p-ZC-12

13.升溫脫離分析法中矽基板溫度之校正方法4 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東麗研究開發中心), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝微電子), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下科技研究), 森田瑞穂(阪大)
• UCS 半導體基礎技術研究會 標準化委員會 設備分會
• 第61屆應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：4p-ZC-13

14.高選擇比氧化膜蝕刻中表面反應層之解析

• 小澤信夫, 辰巳哲也, 石川健治, 栗原一彰, 関根誠
• ASET プラズマ研
• 第61回應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：6a-ZF-8

15.透過薄SIO2膜注入高濃度H+離子後，矽材料的退火特性

• 佐々木志保, 宇治川浩章, 喬杜里・艾爾沙德・螞蟻, 和泉富雄, 原徹*
• 東海大學工學院, 法政大學工學院*
• 第61屆應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：6p-ZD-17

16.W聚矽氧烷薄膜的蝕刻特性

• 福永裕之, 長友美樹, 斎藤秀一
• (株)東芝 生產技術中心
• 第61屆應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：7a-W-8

17.晶圓表面吸附有機物的吸附與脫附行為2

• 白水好美, 高田俊和, 駒田香織*
• 日本電氣(股), NEC軟體(股)*
• 第61屆應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：3p-ZC-7

18.採用HMDSO之等離子體化學氣相沉積法製備低介電常數薄膜(1)－以N2O為氧化劑－

• 山本陽一, 猪鹿倉博志, 石丸智美, 小竹勇一郎, 大河原昭司, 塩谷喜美*, 大平浩一*, 前田和夫*
• 佳能銷售股份有限公司, 股份有限公司半導體製程研究所*
• 第61屆應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：4a-P4-21

19.NH3/SiF4系a-SiNx:F於極低溫下形成閘極氮化膜之研究(II)

• 大田裕之, 堀勝, 後藤俊夫
• 名古屋大學・工學部
• 第61屆應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：5a-ZD-4

20.Si(100)2×1晶格上銫氧化物的熱擴散速率與熱擴散係數

• 石躍晶彦, 藤井孝司, 豊島誠也, 浦野俊夫, 本郷昭三
• 神戶大學工學院
• 第61屆應用物理學聯合學術演講會預稿集(2000年秋季)：6a-S-1

21. 溶膠-凝膠法製備之HfO₂薄膜對氟化醇類物質之吸附行為

• 阿達金哉，西出利一，渡部修*，高瀬つぎ子*，宮林延良**
• 日本大學工學部，福島縣高科技廣場*，電子科學股份有限公司**
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：29a-ZG-3

22.採用低介電常數絕緣膜之達馬辛佈線結構中電容的溫度依賴性

• 東和幸，松永範昭，中田鎮平，柴田英毅
• (株)東芝半導體公司微電子技術研究所
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：29頁-YA-11

23.各類濕式製程對有機聚合物系低介電常數絕緣膜PAE之影響

• 北沢良幸，友久伸悟，西岡康隆，保田直紀，村中誠志*，後藤欣哉*，松浦正純*，豊田良彦，大森達夫
• 三菱電機株式會社尖端技術綜合研究所，超大規模積體電路技術開發中心*
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：29頁-YA-16

24. 透過等離子體重合法降低BCB薄膜介電常數

• 多田宗弘，川原潤，林喜宏
• NEC矽系統研究所
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：29頁-YA-8

25.Investigation of Correlation between Structures and Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki*, K.Nakajima and M.Hara
• FRS RIKEN, Saitama Univ.*
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：29頁-YA-8

26.氟化烷基硫醇自組裝單分子膜之吸附與脫離過程研究

• 鈴木章弘1，奥出由利子1，中村史夫2，原正彦12，玉田薫3，福島均4，T.R.Lee5
• 東京工業大學總理工學院1，理化學研究所2，物質科學研究所3，精工愛普生4，休士頓大學5
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：29p-YA-8

27.矽晶圓表面水分及有機物吸附狀態之解析

• 森本敏弘，上村賢一
• 新日本製鐵(株)尖端技術研究所
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：28p-YH-7

28.低介電常數SOG中官能基的等離子體反應性

• 近藤英一，弓井俊哉，浅野種正，荒尾弘樹*，中島昭*
• 九州工業大學微型化綜合技術中心、觸媒化成工業株式會社、精細研究所*
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：29a-YA-10

29.鈦金屬經表面研磨處理後的氣體釋放特性

• 岡田隆弘，田中彰博，水野善之，本間禎一
• 千葉工業大學，Alback Fai股份有限公司*，日本Balcar工業股份有限公司**
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：29a-ZG-1

30.Ta2O5/TiNx/Si(x>1)退火時從TiN層釋放的過量氮

• N.Yasuda*,***，H.C.Lu*，E.Garfunnkel*，T.Gustafsson*，J.P.Chang**，G.Alers**
• Rutgers University*，Lucent Technologies**，On leave from Toshida Corporation***
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：29a-ZG-3

31. 升溫脫離法測定非晶矽薄膜中氫含量

• 稲吉さかえ，斉藤一也，橋本征典*，浅利伸*
• 日本真空技術(株)筑波超材研，同千葉超材研*
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29p-ZH-1

32.真空升溫條件下a-Ge:H薄膜的氫鍵狀態與薄膜品質評估

• 井関克登，小林信一，青木彪
• 東京工芸大学大学院・尖端技術合作研究中心
• 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集(2000春)：29p-ZH-6

33.透過烙光放電法製備之a-SiC:H薄膜結構與表面觀察（II）

• 本橋光也，曽江久美，本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：29頁-ZH-9

34. 透過氫終端Si(111)表面選擇性氫脫離形成懸空鍵線列

• 井上浩介，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
• 廣島大學工學部
• 第47屆應用物理學聯合研討會預稿集(2000年春季)：30p-YH-11

35.固態核磁共振在矽系化合物狀態解析之應用

• 荒又幹夫
• 信越化學群馬事業所
• 第26屆固體核磁共振・材料研究會(2000.05.08京都平安會館)

36.HfO₂薄膜之升溫脫離法燒結製程與表面狀態研究

• 阿達金哉, 西出利一, *宮林延良, *佐野真紀子
• 日本大學工學院, *電子科學
• 第36屆熱測定討論會演講摘要集,90(2000年秋季)

37.CeO₂薄膜之升溫脫離法表面狀態研究

• 西出利一, 常磐聡子, *宮林延良, *佐野真紀子, **佐藤誓
• 東京工業大學, *電子科學, **日產阿克
• 第36屆熱測定討論會演講摘要集,92(2000年秋季)

38.金屬氧化物薄膜之TDS表面解析

• 西出利一
• 日本大学 工学部
• 第8回ＴＭＳ研究会予稿集p4(2000.4.28)