1.氫終端矽的隨時間變化

目的・實驗
我們研究了經HF處理使表面以氫終止的矽晶圓，隨時間推移所產生的變化。透過使吸附於表面的氫脫離，進行了評估。
我們依照以下步驟進行了實驗與評估。
1.準備實驗中使用的氫終端矽晶片。
2.樣品調整後，對經過2天、7天、14天、28天時間的矽晶片進行升溫脫附實驗（升溫速率=60K/秒）。
3.針對脫離的氫原子，比較其脫離訊號。

結果
如圖所示，隨著時間推移，表面氫氣將逐漸減少。
減少程度尚需進一步追蹤實驗。

表面氫含量減少的原因，可歸因於氧化作用加劇，導致表面產生羥基。
下圖顯示了表面氫原子與羥基相遇後，水分子脫離的過程。
正如預期，隨著時間推移，水量逐漸增加。

2.氫離子注入試樣的數據

氫離子注入樣品 1E16個/c㎡ 的範例

氫離子注入樣品 1E17個/c㎡ 的範例

註：峰值出現的溫度取決於各種條件，因此不同裝置之間可能存在些微差異。

3.氫離子注入試樣的重現性數據

氫離子注入樣品 1E16個/c㎡ 的範例

註：峰值出現的溫度取決於各種條件，因此不同裝置之間可能存在些微差異。

4. 氬離子注入樣品之草酸鈣塗佈數據

草酸鈣塗佈氬離子注入試樣之例

註：峰值出現的溫度取決於各種條件，因此不同裝置之間可能存在些微差異。

5.氫氣充填低碳軟鋼板之氫氣脫離特性（低溫升溫脫離）

⇒氫氣充填低碳軟鋼板的氫氣脫離特性　※將開啟PDF檔案(170kb)。