1991：论文·期刊·专著

1.热脱附光谱法研究氢终止硅表面的氧化过程

• 薮本纪国、斋藤和之、森田瑞穗*、大见忠弘*
• NTT LSI研究所, *东北大学工学部
• 日本应用物理学杂志,30,L419(1991)

2.新型升温脱附气体分析装置的开发及其在VLSI材料与工艺评估中的应用

• 平下纪夫, 味冈恒夫, 日永康*
• 冲电气工业株式会社 超LSI开发中心, *电子科学株式会社
• 真空,34,813(1991)

～1991：学会摘要

1.清洗硅表面的物性及其解析

• 藪本周邦, 斋藤和之, 森田瑞穗*, 大见忠弘*
• NTT LSI研究所, *东北大学 工学部
• 1991 电子信息通信学会春季全国大会摘要集,5-331,(1991)：SC-9-1

发表年份不详：论文·期刊·书籍

1.基于APIMS的升温脱附气体分析

• 沟上员章, 中野和男, 小池让治, 小川哲也
• 日立东电 电子设备事业部
• 日立东电技术报告,11,10(????)

2.升温脱附气体分析法(TDS)的应用

• 东丽研究中心
• 东丽研究中心
• 技术信息

3.通过硅烷化表面控制(SCS)方法提高互连良率

• K.Yano, M.Yamanaka, Y.Terai, T.Sugiyama, M.Kubota, M.Endo and N.Nomura
• 松下电器产业株式会社 半导体研究中心
• 1993年超大规模集成电路技术研讨会

4.电解铜箔上超薄锡镀层的扩散行为

• 山下胜, 大熊秀雄*
• (株)艾特斯 可靠性·材料技术部, 日本IBM(株) 野洲事业所 液晶技术部
• 来源不明

5.利用硫沉积实现各向异性蚀刻

• 门村新吾, 辰巳哲也, 长山哲治, 佐藤淳一
• 索尼株式会社
• 《Semiconductor World》12期：1993年01月

6.利用升温热脱附分析装置评估硅晶圆表面的有机物

• 冈田千鹤子, 龙田次郎, 新行内隆行
• 三菱材料株式会社 中央研究所
• 来源不明

7.二氧化硅电介质薄膜生长模型研究：基于TEOS的化学气相沉积法

• J.E.Crowell, H-C.Cho, F.M.Cascarano, L.L.Tedder and M.A.Logan*
• 加州大学圣地亚哥分校化学系, *Lam Research公司先进研究中心
• 来源不明

8.硅片上吸附分子的评估

• Norikuni YABUMOTO
• NTT综合研究所
• 来源不明

9.基于TDS的O2+H2O下流式腐蚀抑制机制研究

• 小尻英博, 松尾二郎*, 渡边孝二, 中村守孝
• 富士通, *富士通研究所
• 电子信息通信学会技术研究报告. SDM, 硅材料与器件 94(11), 39-46, 1994-04-21

10.硅晶圆表面的吸附成分——基于升温脱附法的分析

• 藪本周邦
• NTT LSI研究所
• 来源不明

发表年份不详：学会摘要

1.着色羟基磷灰石的特性化

• 石川刚
• 旭光学工业株式会社 新陶瓷事业部
• 磷灰石研究会

2.利用ZrO2负载FeOOH催化剂从油棕废料中回收有用烃类

• Takao MASUDA, Yumi KONDO, Masahiro MIWA, Shin R. MUKAI, Kenji HASHIMOTO and *Mikio TAKANO
• 京都大学工学研究科化学工程学系及*京都大学化学研究所
• 第16届国际化学反应工程研讨会论文集

3.SiO2孔隙内的蚀刻表面反应

• 平下纪夫, 池上尚克
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心
• 第44届半导体专业讲习会论文集,139