1999：论文･期刊･专著

1.氩离子掺杂硅的脱附动力学研究

• 平下纪夫
• 大基电气工业株式会社VLSI研发中心
• 日本应用物理学杂志,38卷,613页(1999)

2.卤素离子对Gd₂O₂S:Pr陶瓷闪烁体X射线特性的影响

• 平下纪夫
• 大纪电气工业株式会社VLSI研发中心
• 日本应用物理学报，38，613(1999)

3.工艺集成诱导的SiO₂/SiLK树脂介质互连结构热脱附现象

• M.R.Baklanov*, M.Muroyama**, M.Judelewicz*, E.Kondoh*, H.Li*, J.Waeterloos***, S.Vanhaelemeersch* 和 K.Maex
• IMEC*, 索尼公司**, 道化学公司***
• 真空科学与技术B辑，17卷，2136页（1999）

1999：学会要旨

1.基于二次元相关光谱法的升温脱附分析数据解析

• 杉田记男，阿部英次，宫林延良*
• 丰桥技术科学大学，*电子科学
• 第22届信息化学讨论会演讲摘要集(1999秋)：JP12

2.基于升温脱附法的烷基硫醇SAM薄膜吸附态研究

• 荒木畅*，卢载根*，原正彦*，**，W. Knoll*
• *理研前沿，**东京工业大学综合理工学院
• 第60届应用物理学会学术演讲会预稿集(1999秋)：2p-Q-8

3.Alkanethiol自组装单分子层在Au(111)表面的吸附状态

• J.Noh, T.Araki, M.Hara, H.Sazabe, W.Knoll
• FRP RIKEN（理研前沿）
• 第60届应用物理学会学术演讲会预稿集(1999秋)：2p-Q-9

4. 通过感应耦合等离子体化学气相沉积制备的SiO2薄膜升温脱附气体分析

• 服部哲也，濑村滋，福田智惠，赤坂伸宏
• 住友电工株式会社
• 第60届应用物理学会学术演讲会预稿集(1999秋)：3p-H-1

5.SiN/SiO₂膜中氢的热行为

• 川岛义也，刘紫园，川野英夫，平田刚*
• NEC设备评估技术研究所，*NEC半导体生产技术本部
• 第60届应用物理学会学术演讲会预稿集(1999秋)：3p-ZT-16

6.无机CVD-TiN膜中Cl对Al配线腐蚀的机理

• 平泽贤斋，中村吉孝，田丸刚，关口敏宏，福田琢也
• (株)日立制作所器件开发中心
• 第60届应用物理学会学术演讲会预稿集(1999秋)：3a-ZN-2

7.Co/a-Si:H/c-Si中的硅化过程

• 草村一文，土屋正彦，吉田阳子，曾江久美，本桥光也，本间和明
• 东京电机大学工学部
• 第60届应用物理学会学术演讲会预稿集(1999秋)：3a-ZN-6

8.基于APIMS-TDS的硅晶圆表面吸附水分解析(IV)

• 森本敏弘，上村贤一
• 新日本製铁(株)尖端技术研究所
• 第60届应用物理学会学术演讲会预稿集(1999秋)：3a-ZQ-9

9. 真空环境下S端面处理GaAs(001)表面升温脱附过程解析

• 塚本史郎，杉山宗弘*，下田正彦，前山智*，渡边义夫*，大野隆央，小口信行
• 金材技研，*NTT基础研究所
• 第60届应用物理学会学术演讲会预稿集(1999秋)：4a-ZK-3

10.高通量准分子激光照射下非晶硅薄膜的脱氢行为

• 高桥道子，斋藤雅和，铃木坚吉
• 日立製作所显示器事业部
• 第60届应用物理学会学术演讲会预稿集(1999秋)：4a-ZS-4

11.PDP用MgO薄膜蒸镀时的氧分压与气体吸附特性

• 泽田隆夫，渡部劲二，福山敬二，大平卓也，衣川胜
• 三菱电机 尖端综合研究所
• 第46届应用物理学相关联合演讲会预稿集（1999年春季）：28p-M-4

12.升温脱附光谱中样品端低温区域的校正

• 尾高宪二
• (株)日立制作所 机械研究所
• 第46届应用物理学相关联合研讨会预稿集（1999年春季）：30p-R-7

13.采用二氟对二甲苯制备的有机低介电常数薄膜特性

• 室山雅和，森山一郎
• 索尼株式会社 S.C.工艺开发部
• 第46届应用物理学相关联合研讨会预稿集（1999年春季）：30p-ZQ-14

14.氟化非晶碳薄膜的层间绝缘层匹配工艺

• 小关胜成，有贺美智雄
• 应用材料日本株式会社
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：30p-ZQ-19

15.含氟非晶碳膜在介质层中的应用评估

• 松井孝幸，岸本光司，松原义久，井口学，堀内忠彦，远藤和彦*，辰巳彻*，五味英树
• 日本电气(株) ULSI器件开发研究所，*硅系统研究所
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：30p-ZQ-20

16.SiO2/Si中氢行为分析

• 刘紫园，川岛义也，川野英男，滨田耕治*，滨岛智宏*
• NEC器件评估研究所，NEC UL器件开发研究所*
• 第46届应用物理学联合会议论文集(1999年春季)：29p-ZS-14

17.基于升温脱附法的非对称二烷基二硫化物自组装单分子膜吸附态研究

• 荒木畅*，龟井宏二**，藤田克彦*，原正彦*,**，W. Knoll*
• 理研前沿*，东京工业大学综合理工学院**
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集(1999年春季)：30p-X-17

18.基于非对称二烷基二硫醚的自组装单分子膜生长过程研究

• 龟井宏二*，藤田克彦**，荒木畅**，原正彦*,**，雀部博之**，W. Knoll**
• 东京工业大学综合理工学院*，理化学研究所前沿科学中心**
• 第46届应用物理学联合研讨会预稿集(1999年春季)：30p-X-18

19.扫描隧道显微镜研究金(111)表面上不对称二硫化物自组装单分子膜的破坏性吸附与相分离现象

• J.NOH，M.HARA，H.SASABE and W.KNOLL
• FRP, RIKEN
• 第46届应用物理学联合会议预稿集(1999年春季)：30p-X-19

20.氢离子注入基板剥离法中晶圆直接接合工艺的研究

• 山内庄一，松井正树，大岛久纯
• 电装基础研究所
• 第46届应用物理学联合会议论文集(1999年春季)：31a-ZP-2

21.氢终止Si表面在湿法处理时终止氢的化学反应行为

• 永田阳一，藤原新也，坂上弘之，新宫原正三，高萩隆行
• 广岛大学·工学部
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：28a-ZT-4

22.Si(100)表面上P的升温脱附光谱测量

• 广濑文彦，坂本仁志
• 三菱重工基础研究所
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：28p-ZT-11

23.ECR等离子体CVD法制备硬质碳膜的热分解行为

• 丸山一则，曾谷朋子，佐藤英树
• 长冈技术科学大学工学部
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：29a-M-2

24.真空表面氢行为研究　引言

• 塚原园子
• 日本真空技术 筑波超材研
• 第46届应用物理学相关联合研讨会预稿集（1999年春季）：29a-ZH-1

25.钢中氢的存在状态与晶格缺陷

• 南云道彦
• 早稻田大学理工学部物质开发工学科
• 第46届应用物理学联合会议预稿集（1999年春季）：29a-ZH-2

26.金刚石表面氢的行为

• 川原田洋
• 早稻田大学理工学部，CREST
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：29a-ZH-6

27.基于APIMS-TDS的硅片表面吸附水分解析(III)

• 森本俊弘，上村贤一
• 新日本制铁株式会社 尖端技术研究所
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：29a-ZT-4

基于28.8英寸晶圆升温脱附测定装置对SiO₂薄膜的评估

• 稻吉荣，塚原园子，斋藤一也，星野洋一*，原康博*
• 日本真空技术株式会社 筑波超材研究所，*日本真空技术株式会社 超高（事业部）
• 第46届应用物理学联合研讨会预稿集（1999年春季）：29a-ZT-5

29.金刚石C(111)表面NO激光光刺激脱附

• 山田太郎*,关元**,庄东荣***
• *早稻田大学材料科学研究所，**IBM阿尔马登研究中心，***台湾中央研究院原子分子研究所
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：30a-L-3

30.钛金属经平滑加工后的表面氧化层与气体释放特性

• 石川一政，水野善之，冈田隆弘，本间祯一
• 千叶工业大学
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：30p-R-2

31.含硅烷键低介电常数自生玻璃膜特性

• 田代裕治，樱井贵昭，清水泰雄
• 东燃株式会社
• 第46届应用物理学联合研讨会预稿集（1999年春季）：30p-ZQ-6

32.含乙烯基硅酸膜的XeF2退火处理

• 佐野泰之*,菅原聪，宇佐美浩一，服部健雄*,松村正清
• 东京工业大学 工学部，*武藏工业大学 工学部
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：30p-ZQ-7

33.Ni/a-Si:H叠层膜中的界面反应与硅化过程(II)

• 吉田阳子，曾江久美，本桥光也，本间和明
• 东京电机大学工学部
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：31a-ZQ-6

34.基于SIMS与TDS技术测定a-Si:H中氢浓度

• 三上朗，铃木崇之
• 三洋电机株式会社新材料研究所
• 《表面分析杂志》第6卷(第3期)，A-20(1999)

35.采用CF₄/Ar高密度等离子体干法刻蚀PZT薄膜

• 朴灿镐、赵俊熙、崔昌柱、薛耀成、崔日炫
• 现代电子工业株式会社半导体先进研究部
• 材料研究学会会议论文集，第541卷，第113页，1999年 材料研究学会

1998：论文·期刊·专著

1.TG-MS技术解析陶瓷薄膜及粉末的形成过程

• 泽田丰, 西出利一*, 松下纯一**
• 东京工艺大学工学部, *日本大学工学部, **东海大学工学部
• 日本质谱学会杂志,46,289(1998)

2.TPD-MS（程序升温脱附/分解质谱法）在材料研究中的应用

• 朝比奈均, 谷口金二
• 三菱化学株式会社筑波研究所
• 日本质谱学会杂志,46,357(1998)

3.金(111)表面吸附正烷基硫醇单分子层中脱附物种的结构依赖性变化：低密度结构中硫醇基自由基的脱附

• H.近藤, C.儿玉, H.野添
• 日本物理化学杂志B辑,102,2310(1998)

4.原位观测TiSi2薄膜中C49至C54相变的动力学分析

• 田中英夫、平下信夫、R.Sinclair
• 大岛电气工业株式会社VLSI研发中心
• 日本应用物理学杂志,37,4284(1998)

5.通过调控Si-OH键含量制备聚硅TFT用优质低温栅氧化层

• 汤田克久、田边弘、芹井健二*、奥村富士夫
• NEC株式会社功能器件研究所 实验室，NEC公司及*电子元件开发部，NEC公司
• 材料研究学会会议论文集，508，167(1998)

6.冷间拉丝加工纯铁及共析钢的升温脱附法氢吸附特性评估

• 高井健一*1, 山内五郎*1, 中村真理子*2, 南云道彦*2
• *1)日本电信电话株式会社技术合作中心 *2)早稻田大学理工学部
• 日本金属学会杂志, 62, 3, 267-275(1998)

1998：学会摘要

1.中孔铝硅酸盐的铜离子交换及其特性

• 寺冈靖刚, 高桥基信, 濑户口由加子, 朝长成之*, 安武昭典*, 泉顺*, 森口勇, 鹿川修一
• 长崎大学工学部, *三菱重工
• 第81届催化剂研讨会 研讨会A预稿集,113(1998.3)：2P55

2.二氧化钛粉末表面NO吸附与升温脱附

• 王阳, 柳泽保德
• 奈良教育大学
• 第81届催化讨论会 讨论会A预稿集,115(1998.3)：2P57

3.基于NH3-TPD光谱获得的吸附焓与脱附活化能分布的比较

• 增田隆夫, 藤方恒博, 桥本健治
• 京都大学工学院
• 第81届催化讨论会 讨论会A预稿集,24(1998.3)：1P24

4.硅胶上光烯烃异构化反应的活性物种

• 田中庸裕, 松尾繁展, 竹中壮, 吉田寿雄*, 船引卓三, 吉田郷弘
• 京都大学工学院, *名古屋大学工学院
• 第81届催化讨论会 讨论会A预稿集,34(1998.3)：1P34

5. 锶钛酸盐系钙钛矿型氧化物的NO直接分解活性

• 横井泰治, 内田洋
• 东京燃气基础研究所
• 第81届催化讨论会 讨论会A预稿集,40(1998.3)：1P40

6.Pt/HZSM-5催化下的噻吩加氢脱硫反应

• 黑坂忠弘, 杉冈正敏
• 室兰工大
• 第81届催化剂研讨会 研讨会A预稿集,51(1998.3)：1P51

7.钛酸盐负载沸石催化剂对NOx的还原作用

• 岩户弘, 古南博, 桥本圭司*, 计良善也
• 近畿大学理工学院, *阪市工业技术研究所
• 第81届催化剂研讨会 研讨会A预稿集,53(1998.3)：1P53

8.铜离子交换沸石上NOx型吸附物的分解机理

• 小野博信, 奥村耕平, 下川部雅英, 竹泽畅恒
• 北海道大学工学院
• 第82届催化剂研讨会 A演讲预稿集,131(1998.9)：3D425

9.CH4-SCR中活性Pd沸石内Pd物种的研究

• 小仓贤, 鹿毛晋, 菊地英一
• 早稻田大学理工学院
• 第82届催化讨论会A演讲预稿集,132(1998.9)：3D426

10.钛处理对银铝催化剂上NOx选择性还原反应的影响

• 后藤一郎, 山口真, 王正明, 熊谷幹郎
• (财)产业创造研究所
• 第82届催化剂研讨会 A演讲预稿集,134(1998.9)：3D428

11.脉冲法在负载型钛催化剂上分解N2O的反应

• 青柳健司, 汤崎浩一, 上塚洋, 伊藤伸一, 国森公夫
• 筑波大学物质工程系
• 第82届催化剂研讨会 A演讲预稿集,147(1998.9)：4D414

12.固溶体Co-MgO催化剂上N2O分解反应的O2脱离机理

• 押原健三, 秋鹿研一*
• 山口东京理科大学基础工学院, *东京工业大学综合理工学院
• 第82届催化剂研讨会 A演讲预稿集,148(1998.9)：4D415

13.NO及CO在锶钛酸盐粉末上的吸附与升温脱附

• 江户畅子, 稻生加奈子, 德留志穗, 柳泽保德
• 奈良教育大学
• 第82届催化讨论会 A演讲预稿集,2(1998.9)：1P202

14.吸附于Ni(110)表面的羧酸分解反应

• 山片启, 久保田纯, 野村淳子, 广濑千秋, 堂面一成, 若林文高*
• 东京工业大学资源研究所, *国立科学博物馆
• 第82届催化讨论会 A演讲预稿集,207(1998.9)：3D601

15.金云母催化剂介导的醇类脱氢反应

• 桥本圭司, 东海直治
• 阪市工业技术研究所
• 第82届催化剂研讨会 A演讲预稿集,21(1998.9)：1P222

16.以添加Al、Zn、Cd盐的FSM-16为催化剂的气相贝克曼重排反应——催化剂的酸碱性、活性衰减及产物选择性——

• 正路大辅, 中岛刚
• 信州大学工学部
• 第82届催化讨论会A演讲预稿集,22(1998.9)：1P223

17.多种金属氧化物表面钨氧化物单层催化剂的表面结构与酸性

• 内藤宣博, 片田直伸, 丹羽干
• 鸟取大学工学部
• 第82届催化讨论会 A演讲预稿集,233(1998.9)：4D603

18.基于Co2(CO)8的Co/Al2O3固定化催化剂表面复合设计与催化性能研究

• 高村公启, 紫藤贵文, 朝仓清高, 岩泽康裕
• 东京大学理学院
• 第82届催化讨论会 A演讲预稿集,237(1998.9)：4D607

19.Ga-MCM-41的结构与酸性质

• 奥村和, 西垣亨一, 丹羽干
• 鸟取大学工学部
• 第82届催化讨论会 A演讲预稿集,254(1998.9)：3D702

20.不同支柱引入量下铝酸盐桥接云母的调控及其酸性性质

• 北林茂明, 镰田有希子, 进藤隆世志, 小泽泉太郎
• 秋田大学工学部
• 第82届催化剂研讨会A演讲预稿集,262(1998.9)：3D710

21.SO₄(2-)-ZrO₂催化剂用于正丁烷异构化。失活过程研究及焦炭沉积物表征

• C.R.Vera, C.L.Pieck*, K.Shimizu, C.A.Querini*, J.M.Parera*
• 日本资源与环境研究所, *阿根廷INCAPE研究所
• 第82届催化剂研讨会 A演讲预稿集,273(1998.9)：3D721

22.基于水蒸气处理氨升温脱附法的硅铁酸盐酸性测定

• 宫本哲夫, 片田直伸, 丹羽干, 松本明彦*, 堤和男*
• 鸟取大学工学部, *丰桥技术科学大学
• 第82届催化剂研讨会 A演讲预稿集,298(1998.9)：4D721

23.钙钛矿型氧化物催化剂NO直接分解活性与电子状态的关系

• 横井泰治, 安田勇, 内田洋, *冈田治, **中村泰久, ***川崎春次
• 东京燃气, *大阪燃气, **东邦燃气, ***西部燃气
• 第82届催化剂研讨会 A演讲预稿集,323(1998.9)：3D824

24. 锆载体硫酸根单层固体超强酸催化剂对弗里德尔-克拉夫茨反应的活性

• 安信直子, 远藤纯一, 片田直伸, 丹羽幹
• 鸟取大学工学部
• 第82届催化剂研讨会A场预稿集,343(1998.9)：4D819

25.CFC分解用磷酸铝系催化剂的开发(5)

• 二宫麻衣子, 若松广宪, 西口宏泰, 石原达己, 泷田祐作
• 大分大学工学部
• 第82届催化剂研讨会 A演讲预稿集,35(1998.9)：2P205

26.V,W置换型12-钼酸磷酸盐催化剂的还原反应

• 森田丰子, 上田涉*, 秋鹿研一
• 东京工业大学综合理工学院, *山口东理大学基础工学院
• 第82届催化讨论会 A演讲预稿集,5(1998.9)：1P205

27.吸附NO2/金属氧化物上丙烯的部分氧化反应

• 上田厚, 小林哲彦
• 东京工业大学
• 第82届催化剂研讨会A演讲预稿集,71(1998.9)：3D317

28.基于钯复合蒸镀薄膜的甲醇分解反应研究

• 佐佐木基, 伊藤建彦, 滨田秀昭
• 工技院物資研
• 第82回触媒讨论会 A演讲预稿集,9(1998.9)：1P209

29.固定化Co(II)/Al2O3催化剂上NO-CO反应的新机理

• 山口有朋, 紫藤贵文, 朝仓清高, 岩泽康裕
• 东京大学研究生院理学系
• 第82届催化讨论会 B演讲预稿集,360(1998.9)：1D105

30.氧化锡负载氧化钼薄层上生成的固体酸点在甲醇氧化反应中的催化作用

• 丹羽干, 五十岚淳也, 片田直伸
• 鸟取大学工学部
• 第82届催化讨论会 B演讲预稿集,442(1998.9)：1D206

31.二氧化碳催化甲烷生成乙烷与乙烯的反应

• 王野, 高桥喜元, 大冢康夫
• 东北大学反应化学研究所
• 第82届催化讨论会 B演讲预稿集,458(1998.9)：1D211

32.采用单一氧化物载体的钯催化剂实现低温甲烷燃烧

• Widjaja Hardiyanto, 关泽好史, 江口浩一
• 九州大学研究生院综合理工学研究科
• 第82届催化讨论会 B演讲预稿集,466(1998.9)：1D213

33.FSM-16作为固体酸的催化特性

• 山本孝, 田中庸裕, 船引卓三, 吉田乡弘
• 京都大学研究生院工学研究科
• 第82届催化讨论会 B演讲预稿集,494(1998.9)：2D207

34.微晶硅中晶界缺陷的各向异性

• 近藤道雄, 府川真, 郭里辉, 松田彰久
• 电气综合研究所·薄膜硅系太阳能电池超级实验室
• 第59届应用物理学会学术演讲会演讲预稿集(1998秋)：15a-ZC-10

35.CH2F2添加对氧化膜蚀刻的影响

• 新村忠, 大宫可容子, 金田直也*, 松下贵哉*
• (株)东芝 生产技术研究所, *(株)东芝 半导体生产技术推进中心
• 第59届应用物理学会学术演讲会论文集(1998秋)：15a-C-5

36.大气环境与真空环境加热对荧光膜吸附气体特性的影响

• 山根未有希, 平泽重实*, 小关悦弘**
• (株)日立制作所 机械研究所, *(株)日立制作所 家电·信息媒体事业本部, **日立设备工程(株)
• 第59届应用物理学会学术演讲会论文集(1998年秋季)：15p-M-5

37.Ni/a-Si:H多层膜中的界面反应与硅化过程(I)

• 吉田阳子, 茂木梓, 曽江久美, 本桥光也, 本间和明
• 东京电机大学工学部
• 第59届应用物理学会学术演讲会论文集(1998年秋季)：15p-ZL-16

38.金刚石C(001)表面上三叔丁基膦的表面反应机理

• 西森年彦, 坂本仁志, 高桑雄二*,**
• 三菱重工·基础研究所, *东北大学·科研基金, **科技团先驱计划
• 第59届应用物理学会学术演讲会预稿集(1998年秋季)：16p-N-6

39.氢处理掺锗SiO2玻璃中氢释放的温度依赖性

• 笠原敏明, 藤卷真, 大木义路, 加藤真基重*, 森下裕一*
• 早稻田大学, *昭和电线
• 第59届应用物理学会学术演讲会预稿集(1998秋)：16p-P13-7

40.开发用于半导体层间膜工艺的吸湿特性评估方法

• 大岳敦, 小林金也, 伊藤文俊*, 高松朗*
• (株)日立制作所 日立研究所, *(株)日立制作所 半导体事业部
• 第59届应用物理学会学术演讲会演讲预稿集(1998秋)：17a-ZG-1

41.低介电常数·低吸湿性有机SOG膜的制备

• 山田纪子, 高桥彻
• 新日铁(株) 尖端技术研究所
• 第59届应用物理学会学术演讲会预稿集(1998年秋季)：17p-ZG-3

42.低介电常数多孔SOG薄膜特性

• 荒尾弘树, 藤内笃, 江上美纪, 村口良, 井上一昭, 中岛昭, 小松通郎
• 触媒化成工业株式会社
• 第59届应用物理学会学术演讲会论文集(1998年秋季)：17p-ZG-4

43.高浓度苯基基团含硅膜的评估

• 佐野泰之*, 宇佐美浩一, 菅原聪, 服部建雄*, 松村正清
• 东京工业大学 工学部, *武藏工业大学 工学部
• 第59届应用物理学会学术演讲会预稿集(1998秋)：17p-ZG-9

44.Ar离子注入硅的升温脱附信号与非晶硅内Ar分布变化的关系

• 中田穣治, 薮本周邦*
• NTT基础研究所, *NTT-AT
• 第59届应用物理学会学术演讲会预稿集(1998秋)：18a-ZL-4

45.超微孔洞内的表面反应

• 金森顺, 池上尚克, 平下纪夫
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心
• 第45届应用物理学联合会议论文集(1998年春季)：29a-ZR-2

46.全芳香族聚醚系高分子层间绝缘膜

• 北孝平
• 旭化成工业 基础研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集(1998年春季)：30p-M-4

47.硅晶圆表面有机物的吸附与脱附行为

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼株式会社 半导体公司 超LSi研究所
• 第45届应用物理学相关联合研讨会预稿集(1998年春季)：28p-PB-6

48.基于APIMS-TDS的晶圆表面吸附水分解析

• 森本敏弘, 上村贤一
• 新日本制铁株式会社 尖端技术研究所
• 第45届应用物理学联合会议论文集(1998年春季)：28p-PB-7

49.晶圆表面吸附有机物的吸附-脱附行为

• 白水好美, 田中杰, 北岛洋, 名取岩*
• 日本电气株式会社, 日立东京电子
• 第45届应用物理学联合会议论文集(1998年春季)：28p-PB-8

50.退火对MOCVD-BST的影响

• 上田路人, 大塚隆, 森田清之
• 松下电器产业株式会社 中央研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会预稿集(1998年春季)：28p-ZF-9

51.乙炔吸附Si(100)表面上的氢脱附

• 中泽日出树, 末光真希
• 东北大学 电气通信研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集(1998年春季)：29a-YG-11

52.硅表面上硅氢化物的吸附与氢脱附过程

• 末光真希
• 东北大学 电气通信研究所
• 第45届应用物理学联合会议论文集(1998年春季)：29a-ZR-5

53.精密化学研磨在超高真空材料表面处理中的应用

• 稻吉荣, 齐藤一也, 佐藤幸惠, 塚原园子, 石泽克修*, 野村健*, 嶋田晃久*, 金泽实**
• 日本真空技术(株), *三爱石油(株), **三爱设备工业(株)
• 第45届应用物理学联合会议论文集(1998年春季)：29p-X-10

54.不锈钢表面水升温脱附特性

• 田中智成, 竹内协子, 辻泰
• (株)阿尔巴克企业中心
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集(1998年春季)：29p-X-5

55.硅薄膜涂覆不锈钢的低气体释放特性

• 稻吉荣, 佐藤幸惠, 塚原园子, 金原粲*
• 日本真空技术株式会社, *金泽工业大学
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集(1998年春季)：29p-X-7

56.LPD低介电常数有机硅膜(II)——不同有机基团的耐热性——

• 小林光男*, 住村和仁, 菅原聪, 服部健雄*, 松村正清
• 东京工业大学工学部, *武藏工业大学工学部
• 第45届应用物理学联合会议论文集(1998年春季)：30a-M-10

57.CO/a-Si：H体系中的硅化物形成(I)

• 古林治, 土屋正彦, 曽江久美, 本桥光也, 本间和明
• 东京电机大学 工学部
• 第45届应用物理学联合研讨会预稿集(1998春)：30a-N-5

58.N2及NH3环境中CO硅化物形成过程——残留氧的影响——

• 堤纪久子, 杉山龙男*, 江藤龙二*, 神前隆**, 小川真一*
• 松下电子工业(株) 微控制器事业部, *松下电子工业(株) 专业开发部, **松下科技研究(株)
• 第45届应用物理学联合研讨会预稿集(1998年春季)：30a-N-6

59.基于H₂O等离子体的HSQ薄膜劣化抑制蚀刻工艺研究

• 玉冈英二, 青井信雄, 上田哲也, 山本明广, 真弓周一
• 松下电器产业株式会社 工艺开发中心
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集(1998年春季)：30p-M-10

60.低介电常数有机层间绝缘膜的高温特性

• 高相纯, 富泽友博, 猪留健, 原彻
• 法政大学 工学部
• 第45届应用物理学联合研讨会预稿集(1998年春季)：30p-M-7

61.低介电常数离子注入有机SOG薄膜的热脱附特性

• 松原直辉, 水原秀树, 渡边裕之, 实泽佳居, 井上恭典, 花房宽, 吉年庆一
• 三洋电机株式会社 微电子研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集(1998年春季)：30p-M-9

1997：论文･期刊･专著

1.TiN与SiN基底表面官能团在抗蚀剂图案变形中的作用

• 山中凉子、峰俊之、田中俊彦、寺泽恒雄
• 日立株式会社中央研究所
• 日本应用物理学杂志,36,7620(1997)

2.热脱附光谱与扫描隧道显微镜研究金(111)表面烷基硫醇自组装单分子层的形成与交换过程

• 西田直树*2、原正彦*1、笹部弘之*1、沃尔夫冈·克诺尔*1
• *1 理化学研究所前沿研究计划, *2 埼玉大学理工学研究科
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,2379(1997)

3.碳化物析出在Ni17Cr8Fe合金中形成氢陷阱的证据

• G.A. Young 与 J.R. Scully
• 弗吉尼亚大学材料科学与工程系电化学科学与工程中心
• 《材料学报》，第6卷，713页(1997)

4.通过调控O2/SiH4比例改善多晶硅薄膜晶体管低温栅氧化层的结构与电学性能

• 汤田胜久、田边弘、奥村藤雄
• 日本电气株式会社功能器件研究所
• AMLCD '97技术论文摘要集，(1997)第87-90页

5.利用脱附控制条件下获得的TPD光谱计算氨脱附活化能分布的方法

• 增田孝雄、藤方义弘、池田英夫、松下俊一、桥本健二
• 京都大学工学研究科化学工程系
• Appl. Catal. A, 162, 29(1997)

6.利用吸附平衡条件下氨气温控脱附光谱计算吸附焓分布的方法

• 松田孝雄、藤川义弘、向信良、桥本健二
• 京都大学研究生院工学部化学工程系
• Appl. Catal. A, 165, 57(1997)

7.基板表面污染物分析法：升温脱附分析

• 薮本周邦
• NTT先进技术公司
• 《半导体工艺环境中的化学污染及其对策》，Realize出版社，第291页

1997：学会摘要

1.基于TDS与FT-IR的硅氧化膜质量评估

• 寺田久美, 梅村园子, 寺本章伸*, 小林清辉*, 黑川博志, 马场文明
• 三菱电机株式会社 尖端综合研究所, *UL研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：2a-D-10

2.PECVD-SiO2栅绝缘膜中结构水的减少

• 汤田克久, 田边浩, 世良贤二, 奥村藤男
• NEC 功能电子研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：3p-K-3

3.氦-氢双段注入硅晶圆中气泡形成行为

• 中嶋健, 高田凉子, 须藤充, 贝沼光浩*, 中井哲弥, 富泽宪治
• 三菱材料硅株式会社 技术本部 开发中心, *三菱材料株式会社 综合研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：3p-PB-2

4.基于TDS的Smart-Cut行为直接观测(2)

• 高田凉子, 高石和成, 富泽宪治
• 三菱材料硅株式会社 技术本部 开发中心
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：3p-PB-3

5.C49/C54 TiSi2相变的TDS原位观测

• 田中宏幸, 平下纪夫, 北明夫
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：4a-D-10

6.ECR-CVD SiOF薄膜中氟脱附的影响

• 宇佐见达矢, 五味秀树
• NEC超大规模集成电路器件开发研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997年秋季)：4a-K-5

7.氟改性对氢化硅氧烷低介电常数化的研究

• 中田义弘, 福山俊一, 片山伦子, 山口城
• (株)富士通研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：4p-K-15

8.甲基硅烷-H2O2体系自平坦化化学气相沉积工艺

• 松浦正纯, 井内敬彰*, 增田员拓*, 益子洋治
• 三菱电机株式会社 ULSI开发研究所, *菱电半导体株式会社
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：4p-K-2

9.无机多孔质膜SOG材料(HPS)的物性评估

• 村口良, 中岛昭, 小松通郎, 大仓嘉之*, 宫岛基守*, 原田秀树**, 福山俊一**
• 触媒化成工业(株) 精细研究所, *富士通(株), **(株)富士通研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：4p-K-7

10.荧光体粉末与水玻璃的气体释放特性

• 山根美有希, 高桥主人*, 平泽重实**, 小关悦弘***
• (株)日立製作所 機械研究所, *笠戸工場, **電子デバイス事業部, ***日立デバイスエンジニアリング(株)
• 第58回応用物理学会学術講演会予稿集(1997秋)：4p-ZT-8

11.离子注入硅晶圆表面有机物吸附性能评估

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼(株) 半导体公司 超LSI研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：3p-D-2

12.晶圆盒储存时抗氧化剂(BHT)在硅晶圆上的吸附形态

• 今井利彦, 水野亨彦, 波多野彻
• 信越半导体株式会社 半导体白河研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：3p-D-4

13.各种清洗后Si表面来自洁净室的有机物污染及其通过再清洗的去除效果

• 中森雅治, 青砥奈穗美
• NEC超大规模集成电路器件开发研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997年秋季)：3p-D-5

14.APIMS-TDS技术对硅晶圆表面吸附IPA的解析

• 森本敏弘, 上村贤一
• 新日本製铁(株) 尖端技术研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：3p-D-7

15.通过H+注入实现的空穴切割SOI(４)

• 柿崎恵男, 原徹, 井上森雄*, 梶山健二*
• 法政大学 工学部, *イオン工学研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：3p-PB-4

16.1-MeV H+注入形成的单晶硅薄膜

• 中田穣治, 西冈孝*
• NTT 基础研究所, *NTT 光电子学研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：3p-ZK-12

17.低介电常数氟碳膜的高温特性

• 高相纯, 富泽友博, 猪留健, 原彻, Yang*, D.Evans*, 柿崎惠三**
• 法政大学 工学部, *SMT, **夏普ULSI研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：4a-K-8

18.苯基a-C：H薄膜特性研究

• 郑 他
• 三星电子株式会社 半导体研究所
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997秋)：4p-YA-3

19.微细孔内部残留硫酸成分的纯电解阳极水冲洗

• 山崎进也, 青木秀充, 青砥奈穗美, 二木高志*, 山下幸福*, 山中弘次*
• NEC超大规模集成电路器件开发研究所, *奥尔加诺株式会社
• 第58届应用物理学会学术演讲会预稿集(1997年秋季)：5a-D-8

20.多金属布线(VIII)～WNX薄膜中氮元素的脱附过程～

• 中嶋一明, 赤坂泰志, 宫野清孝, 高桥护*, 末广信太郎*, 须黑恭一
• (株)东芝 微电子技术研究所, *(株)东芝 环境技术研究所
• 第44届应用物理学相关联合学术会议论文集(1997春)：28a-PB-14

21.SiH4-H2O2系CVD氧化膜工艺中NMOS热载流子可靠性评估

• 久保诚, 八寻和之, 富田健一
• (株)东芝 半导体生产技术推进中心
• 第44届应用物理学联合会议论文集(1997年春季)：28p-F-18

22.三乙氧基硅烷(TRIES)制备SiO2薄膜(II)

• 服部觉, 原田胜可
• 东亚合成株式会社 新材料研究所
• 第44届应用物理学相关联合会议预稿集(1997年春季)：29p-F-13

23.TDS技术对Smart-Cut行为的直接观测

• 高田凉子, 高石和成, 富泽宪治
• 三菱材料硅业株式会社 技术本部 开发中心
• 第44届应用物理学相关联合会议预稿集(1997春)：29p-G-11

24.干燥后晶圆表面残留吸附IPA的评估

• 嵯峨幸一郎, 冈本彰, 国安仁, 服部毅
• 索尼株式会社 半导体公司 超LSI研究所
• 第44届应用物理学相关联合研讨会预稿集(1997年春季)：30p-D-11

25.甲基硅烷-H₂O₂体系自平坦化CVD工艺(1)

• 松浦正纯, 增田员拓*, 井内敬彰*, 益子洋治
• 三菱电机株式会社 ULSI开发研究所, *菱电半导体株式会社
• 第44届应用物理学联合会议论文集(1997年春季)：30p-F-14

26.SiH4/H2O2 CVD氧化膜的成膜特性

• 吉江彻, 下川公明, 吉丸正树
• 冲电气工业(株) 超LSI研究开发中心
• 第44届应用物理学相关联合会议预稿集(1997年春季)：30p-F-15

27.利用氢自由基形成高可靠性SiOF膜

• 福田琢也, 佐佐木英二*, 细川隆, 小林伸好
• (株)日立制作所 半导体技术开发中心, *日立超LSI工程
• 第44届应用物理学相关联合研讨会预稿集(1997年春季)：30p-F-20

28.半导体层间绝缘膜中水升温脱附光谱解析

• 大岳敦, 小林金也, 加藤圣隆*, 福田琢也*
• (株)日立制作所 日立研究所, *(株)日立制作所 半导体事业部
• 第44届应用物理学联合会议论文集(1997年春季)：30p-F-21

29.非电子束聚硅氮烷自旋涂覆膜的成膜特性

• 斋藤政良, 平泽贤斋, 坂井健志, 堀田胜彦*, 加藤圣隆, 高松朗, 小林伸好
• (株)日立制作所 半导体事业部, *日立微电脑
• 第44届应用物理学联合会议论文集(1997年春季)：30p-F-5

30.低介电常数HSQ薄膜特性的结构依赖性

• 后藤欣哉, 北泽良幸*, 松浦正纯, 益子洋治
• 三菱电机株式会社 ULSI开发研究所, *三菱电机株式会社 尖端技术综合研究所
• 第44届应用物理学相关联合会议预稿集(1997年春季)：30p-F-8

31.H+注入法形成Si薄膜层

• 柿崎惠男, 木花岳郎, 大岛创太郎, 原彻, 井上森雄*, 梶山健二*
• 法政大学工学部, *离子工程研究所
• 第44届应用物理学相关联合研讨会预稿集(1997年春季)：29p-G-12

32.Si(100)表面上PH₃的室温吸附过程

• 筑馆严和, 末光真希
• 东北大学 电气通信研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集(1997年春季)：29p-ZN-10

33.室温下SiH4与Si2H6在P掺杂Si(100)表面的吸附

• 筑馆严和, 末光真希
• 东北大学 电气通信研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集(1997年春季)：29p-ZN-11

34.Si(100)表面上碲的吸附结构

• 田宫健一, 大谷卓也, 武田康, 浦野俊夫, 福原隆宏, 金子秀一, 本乡昭三
• 神户大学 工学部
• 第44届应用物理学联合研讨会预稿集(1997年春季)：29p-ZN-2

基于MDS与TDS技术研究Cs, D在35.Si(100)表面的共吸附结构

• 长谷部弘之, 清水将之, 小嶋薰, 本乡昭三, 浦野俊夫
• 神户大学 工学部
• 第44届应用物理学相关联合研讨会预稿集(1997年春季)：29p-ZN-4

36.基于MDS与TDS技术观测Li, D共吸附于Si(100)表面的现象

• 福原隆宏, 金子秀一, 小嶋薰, 本乡昭三, 浦野俊夫
• 神户大学 工学部
• 第44届应用物理学联合研讨会预稿集(1997年春季)：29p-ZN-5

37.Si(100)表面共吸附Ba、D时氘脱附机制

• 小嶋薰, 藤内重良, 本乡昭三, 浦野俊夫
• 神户大学工学部
• 第44届应用物理学联合会议论文集(1997年春季)：29p-ZN-6

38.微孔内部残留硫酸成分

• 山崎进也, 青木秀充, 西山岩男*, 青砥奈穗美
• NEC超大规模集成电路器件开发研究所, *NEC微电子研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集(1997年春季)：30p-D-8

39.SiOF薄膜中水分对介电常数的影响

• 上田聪, 菅原岳, 上田哲也, 玉冈英二, 真弓周一
• 松下电器产业株式会社 半导体研究中心
• 第44届应用物理学联合会议预稿集(1997年春季)：30p-F-18

40.电子束照射对氢化硅氧烷无机SOG薄膜特性的改善

• 杨京俊, 崔东圭, 王时庆, L. 福斯特, 中野正
• Allied Signal AMM
• 第44届应用物理学联合会议预稿集(1997年春季)：30p-F-2

41.基于TOF-ESD与FTIR原位观测的金属表面CO吸附研究

• 上田一之, 伊达正和, 芳村雅满, 白轮地菊雄*, 西泽诚治*
• 丰田工业大学(研究生院), 日本分光
• 第44届应用物理学联合会议论文集(1997年春季)：31a-ZN-7

42.新型低介电常数硅氧烷聚合物

• 奈杰尔·P·哈克
• 联合信号公司，先进微电子材料部
• 介电材料会议扩展摘要：平面97日本会议 / 联合信号公司与Rasa Industries LSD联合出版

43.HSQ薄膜特性的结构依赖性

• 松浦正纯
• 三菱电机株式会社 ULSI开发研究所
• 介电材料会议扩展摘要：日本平面97会议 / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

1996：论文·期刊·专著

1.金(111)表面烷基硫醇自组装单分子层中的二聚化过程

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 理化学研究所前沿研究计划, *2 埼玉大学理工学研究科
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,L799(1997)

2.金(111)表面烷硫醇自组装单分子层的热脱附光谱研究

• 西田直树*2, 原正彦*1, 笹部博之*1 与 Wolfgang Knoll*1
• *1 理化学研究所前沿研究计划, *2 埼玉大学理工学研究科
• 日本应用物理学杂志,35,5866(1997)

3.平下纪夫学位论文

• 平下纪夫
• 冲电气工业株式会社 超LSI开发中心
• 电气通信大学(1996)

4.硅基板表面吸附物的热脱附行为

• 神保智子, 石川胜彦*, 伊藤雅树*, 津金贤, 田边义和, 斋藤由雄, 富冈秀起
• 日立制作所 器件开发中心, *日立制作所 半导体事业部
• 电气电子学会技术报告 TECHNNICAL REPORT OF IEICE.,ED96-11,SDM96-11,75(1996)

5.LSI制造清洁工艺的极端痕量分析

• 薮本纪国
• NTT先进技术公司
• NTT REVIEW,8,70(1996)

6.化学气相沉积法制备的(Ba, Sr)TiO3薄膜热脱附光谱研究

• 山向幹夫、川原孝明、牧田哲郎、結城昭正、小野浩一
• 三菱电机株式会社半导体研究所
• Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp. 729-735

1996：学会摘要

1.通过SIMS和改进型TDS技术证实D2O氧化SiO2薄膜中存在不对称氢分布特征

• 村冈浩一、高木真一、鸟海昭
• 东芝株式会社超大规模集成电路研究所
• 1996年固态器件与材料国际会议扩展摘要集，横滨，1996年，第500-502页

2.硅基化学氧化物中OH对无水氢氟酸蚀刻的显著影响

• 村冈浩一、国岛岩男、早坂信夫、高木真一
• 东芝公司超大规模集成电路研究所
• 1996年固态器件与材料国际会议扩展摘要集，横滨，1996年，第521-523页

3.基于TDS升温脱附分析的热氧化膜中氢含量评估

• 寺田久美, 黑川博志, 小林清辉*, 川崎洋司*
• 三菱电机株式会社 尖端综合研究所, *UL研究所
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：7a-H-3

4.残留氟对有机物吸附至晶圆表面的加速作用

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼株式会社 半导体公司 超LSI研究所
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：8a-L-7

5.晶圆表面吸附物对键合界面的影响

• 高田凉子, 大嶋昇, 高石一成, 富泽宪治, 新行内隆之*
• 三菱材料硅株式会社 技术本部 开发中心, *三菱材料硅株式会社技术本部 工艺技术部
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：8p-L-6

6.LPCVD-SiN膜中氢诱导的热载流子寿命劣化现象(2)

• 内田英次, 时藤俊一, 涩泽胜彦*, 村上则夫*, 中村隆治*, 青木浩*, 山本祐广*, 平下纪夫
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心, *冲电气工业株式会社 工艺技术中心
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996年秋季)：8p-R-18

7.基于分子轨道法的SiOF薄膜成膜用气体分子解离反应解析

• 大岳敦, 小林金也, 田子一农, 福田琢也*, 细川隆*, 加藤圣隆*
• (株)日立製作所 日立研究所, *(株)日立製作所 半導體事業部
• 第57回應用物理學會學術演講會預稿集(1996秋)：9a-H-1

8.碳含量可調有機SOG的平坦化特性

• 平泽贤斋, 斋藤政良, 加藤圣隆
• 日立制作所株式会社 半导体事业部
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：9a-H-20

9.采用(C2H5O)3SiF/(C2H5O)3SiH的PECVD法沉积SiOF薄膜的成膜特性

• 鬼头英至, 室山雅和, 佐佐木正义
• 索尼株式会社 半导体公司 第1LSI部门
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：9a-H-5

10.含氟SiO膜吸湿机理研究

• 室山雅和, 芳贺丰, 佐佐木正义
• 索尼株式会社 S.C.第一LSI部门
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996年秋季)：9a-H-9

11.硅晶圆表面附着有机物的观察

• 松尾千鹤子, 高石一成, 冨沢宪治, 新行内隆之*
• 三菱材料硅株式会社 技术本部 开发中心, *三菱材料硅株式会社 技术本部 工艺技术部
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996年秋季)：9a-L-8

12.Pd/a-Si：H/c-Si叠层膜中的硅化过程(1)

• 安藤伸一, 古林治, 安达久美, 本桥光也, 本间和明
• 东京电机大学 工学部
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：7p-N-18

13.Si(100)表面的高次氢脱附过程

• 中泽日出树, 末光真希, 宫本信雄*
• 东北大学 电气通信研究所, *东北学院大学 工学部
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：8p-W-12

14.Cs, D共吸附Si(100)表面的MDS观测

• 长谷部弘之, 福原隆宏, 小嶋薰, 清水将之, 本乡昭三, 浦野俊夫
• 神户大学 工学部
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996年秋季)：8p-W-13

15. 基于高分辨率镭射电离谱法研究叔丁基膦在Si(001)表面的分解过程

• 金田源太, 眞田则明, 福田安生
• 静冈大学 电子研究所
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：8p-W-17

16.经电子束固化处理的有机SOG薄膜特性表征

• 崔东圭, J.肯尼迪, L.福斯特, 中野正
• Allied Signal AMM
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：9p-H-17

17.利用TD-APIMS观测离子注入缺陷中的氢捕获现象

• 薮本周邦, 佐藤芳之*, 斋藤和之**
• NTT 界面研究所, *NTT LSI研究所, **会津大学
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：9p-L-1

18.H+注入形成的空隙切割SOI(2)

• 柿崎惠男, 木花岳郎, 大岛创太郎, 北村平, 原彻
• 法政大学 工学部
• 第57届应用物理学会学术演讲会预稿集(1996秋)：9p-P-2

19.SiH4/CF4气体偏压ECR-CVD法沉积SiOF薄膜特性

• 宇佐美达矢, 石川拓, 本间哲哉
• NEC超大规模集成电路器件开发研究所
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集(1996年春季)：26a-N-10

20.低介电常数PTFE薄膜的评估

• 长谷川利昭, 松泽伸行*, 门村新吾, 青山纯一
• 索尼(株) 超LSI研究所, *中央研究所
• 第43届应用物理学联合会议论文集(1996年春季)：26a-N-2

21.氢硅氧烷(HSQ)的介电常数评估

• 宫永隆史, 佐佐木直人, 龟冈克也, 森山一郎, 佐佐木正义
• 索尼株式会社 半导体公司 第一LSI部门
• 第43届应用物理学联合会议预稿集(1996年春季)：26a-N-6

22.利用离子注入法改性有机SOG薄膜(V)

• 渡边裕之, 平濑征基, 实泽佳居, 水原秀树, 青江弘行, 豆野和延
• 三洋电机株式会社 微电子研究所
• 第43届应用物理学联合会议论文集(1996年春季)：26a-N-7

23.LPCVD-SiN膜中氢诱导的热载流子寿命劣化现象

• 时藤俊一, 涩泽胜彦, 村上则夫*, 内田英次, 中村隆治*, 青木浩*, 山本祐广*, 平下纪夫
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心, 工艺技术中心
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集(1996年春季)：27p-E-4

24.塑料盒释放的有机添加剂在晶圆表面的吸附机制

• 嵯峨幸一郎, 古谷田作夫, 服部毅
• 索尼株式会社 半导体公司 超LSI研究所
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集(1996年春季)：27p-F-12

25.无水HF气体原位自然氧化膜蚀刻机制

• 村冈浩一, 国岛岩, 早坂伸夫, 高木信一, 鸟海明
• (株)东芝 ULSI研究所
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集(1996年春季)：28a-K-3

26.偏压ECR CVD SiO膜释放气体对W插头工艺的影响

• 芳贺丰, 室山雅和, 佐佐木正义
• 索尼株式会社 半导体公司 第一LSI部门
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集(1996年春季)：29p-N-8

27.四甲基噻吩/氧自由基反应制备低介电常数绝缘膜

• 奈良明子, 伊藤仁
• 东芝株式会社 ULSI研究所
• 第43届应用物理学联合会议论文集(1996年春季)：26a-N-1

28.石墨表面吸附氧的升温脱附

• 吉田巌, 杉田利男*, 野口峰男*
• 东京理科大学 基础工学部, *工学部
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集(1996年春季)：26a-PA-12

29.基于微结晶化过程的a-Si：H薄膜结构评估(III)

• 中岛乡子, 大岛孝文, 本桥光也, 本间和明
• 东京电机大学 工学部
• 第43届应用物理学联合会议预稿集(1996年春季)：26a-TC-10

30.SiOF薄膜吸湿性研究

• 篠原理华, 工藤宽, 武石俊作, 山田雅雄
• 富士通株式会社 工艺开发部
• 第43届应用物理学联合会议论文集(1996年春季)：26p-N-12

31.氧离子注入Si基板中SiO的脱离现象

• 石川由加里, 柴田典义
• 精密陶瓷研究中心
• 第43届应用物理学联合会议论文集(1996年春季)：27p-P-9

32.升温脱附法测定纯钛的真空特性

• 秋谷修二, 本间祯一
• 千叶工业大学
• 第43届应用物理学联合会议论文集(1996年春季)：28p-ZL-3

1995：论文·期刊·专著

1.基于温度编程脱附光谱测定的硅基载镍催化剂上氢脱附活化能分布

• 新井正彦, 西山良幸, ＊增田孝雄, ＊桥本健二
• 东北大学化学反应科学研究所, ＊京都大学化学工程系
• Appl.Surf.Sci.,89,11(1995)

2.升温脱附分析在硅表面评估中的应用

• 薮本周邦
• NTT先进技术研究所
• 表面技术,46,47(1995)

3.X-Ray Photoelectron Spectroscopic Studies on Pyrolysis of Plasma-Polymerized Fluorocarbon Films on Si

• Ken FUJITA, Yasuhiro MIYAKAWA and Norio HIRASHITA
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,304(1995)

4.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya*, N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd., *Process Technology Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,1021(1995)

5.Reaction Studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• N.Hirashita, Y.Miyakawa, K.Fujita and J.Kanamori
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,2137(1995)

6.Direct analysis of contamination in submicron contact holes by thermal desorption spectroscopy

• Hidemitsu Aoki, Yuden Teraoka*, Eiji Ikawa, Takamaro Kikkawa and Iwao Nishiyama*
• ULSI Device Development Labs. NEC Corporation, *Microelectronics Research Labs. NEC Corporation
• J.Vac.Sci.Technol.A,13,42(1995)

7.硅晶圆表面分析评估技术：晶圆上吸附分子分析评估技术

• 薮本周邦
• NTT先进技术公司
• 《硅晶圆表面清洁化技术 别册》，Realize社，p101

1995年：学会摘要

1.基于螺旋波等离子体CVD的SiOF薄膜质量评估

• 芳贺丰, 室山雅和, 佐佐木正义
• 索尼株式会社 半导体公司 第一LSI部门
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：26a-ZB-3

2.吸湿对低介电常数表面保护膜的影响

• 足立悦志, 足达广士, 武藤浩隆, 藤井治久
• 三菱电机株式会社 中央研究所
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995年秋季)：26a-ZB-6

3.等离子氧化膜水分渗透抑制机制研究

• 内田博章, 时藤俊一*, 酒谷义广, 平下纪夫*
• 冲电气工业株式会社 工艺技术中心, *超LSI研发中心
• 第56届应用物理学会学术演讲会论文集(1995秋)：26a-ZB-9

4.电极界面邻近区域CVD-BST膜特性

• 山向幹雄, 川原孝昭, 中畑匠, 結城昭正, 斧高一
• 三菱电机(株) 半导体基础研究所
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：26a-ZG-7

5.高介电常数材料(Ba, Sr)TiO3薄膜的形成与界面控制

• 结城昭正
• 三菱电机株式会社 半导体基础研究所
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995年秋季)：26p-W-6

6.基于TiCl4的CVD TiN薄膜氯含量与膜质特性

• 川岛淳志, 宫本孝章, 门村新吾, 青山纯一
• 索尼株式会社 半导体公司 超LSI研究所
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：27a-PB-8

7.高温成膜O3-TEOS NSG膜的评估

• 味泽治彦, 斋藤正树, 森山一郎, 佐佐木正义
• 索尼株式会社 半导体公司 第一LSI部门
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：28a-PC-11

8.氢化硅氧烷SOG作为层间绝缘膜的特性

• 小柳贤一, 岸本光司, 本间哲哉
• 日本电气(株) 超大规模集成电路器件开发研究所
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995年秋季)：28a-PC-2

9.利用离子注入法改性有机SOG薄膜(IV)

• 渡边裕之, 平濑征基, 实泽佳居, 水原秀树, 青江弘行
• 三洋电机株式会社 微电子研究所
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：28a-PC-4

10.H2O添加溅射法形成的非晶ITO薄膜经热处理后的结构变化

• 西村悦子, 安藤正彦, 鬼泽贤一, 峰村哲郎, 高畠胜*
• (株)日立制作所 日立研究所, *电子设备事业部
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：28a-ZH-8

11.通过密度控制实现SiOF薄膜的低吸湿化

• 工藤宽, 淡路直树*, 筱原理华, 武石俊作, 星野雅孝, 山田雅雄
• 富士通株式会社 工艺开发部, *超大规模集成电路研究部
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：26a-ZB-10

12.高介电体用电极材料的TDS评估

• 芦田裕, 中林正明, 记村隆章, 森治久
• 富士通株式会社
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995年秋季)：26a-ZG-1

13.基于TDS法的硼(注)离子注入缺陷解析

• 齐藤和之, 佐藤芳之*, 本间芳和**, 薮本周邦**
• 会津大学, *NTT LSI研究所, **NTT 界面研究所
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995年秋季)：26p-ZP-9

14.钝化膜中氢对硅悬键的影响

• 寺田久美, 黑川博志, 小林淳二, 河野博明*, 小林和雄**, 子蒲哲夫
• 三菱电机(株) 材料研究所, *北伊丹制作所, **熊本制作所
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：26p-ZV-15

15.由表面氢脱附诱导的硅表面铝选择性化学气相沉积反应

• 胜田义彦, 小永田忍, 坂上弘之, 新宫原正三, 高萩隆行
• 广岛大学 工学部
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：26p-ZV-8

16.基于TDS及SIMS的SiO2薄膜中Ar定量分析

• 塚本和芳, 松永利之, 渡边启一, 森田弘洋, 山西齐*, 吉冈芳明
• (株)松下技术研究所 技术部 半导体分析组, *松下电器产业(株)生产技术本部 薄膜加工研究所
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：27a-C-3

17.Ar+－IBARD法制备的TiOX薄膜Ar升温脱附特性

• 笹瀬雅人, 山木孝博*, 三宅洁**, 鹰野一郎, 矶部昭二
• 工学院大学 工学部, *日立制作所 日立研究所, **日立制作所 电气开发本部
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995年秋季)：27p-ZH-9

18.氢终止Si(100)2×1表面上Na的吸附·脱附与电子态(I)

• 藤本训弘, 小嶋薰, 本乡昭三, 浦野俊夫
• 神户大学 工学部
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：27p-ZL-2

19.醇类添加对TEOS/O3常压CVD反应的影响(IV)——添加至四甲氧基硅烷原料中的研究——

• 池田浩一, 前田正彦
• NTT LSI研究所
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：28a-PC-9

20.氧自由基烃化对Ta₂O₅薄膜漏电流的抑制效果

• 松井裕一, 鸟居和功, 糸贺敏彦, 饭岛晋平*, 大路让*
• 日立中研, *日立半导体
• 第56届应用物理学会学术演讲会预稿集(1995秋)：28p-PC-3

21.基于TDS的贴合晶圆评估——晶圆背面的贡献

• 高田凉子, 冈田千鹤子, 近藤英之, 龙田次郎, 降屋久, 新行内隆之
• 三菱材料硅株式会社 中央研究所
• 第42届应用物理学联合会议论文集(1995年春季)：28a-X-2

22.基于TDS的贴合晶圆评估 II ——贴合界面的贡献——

• 冈田千鹤子, 高田凉子, 近藤英之, 龙田次郎, 降屋久, 新行内隆之
• 三菱材料硅株式会社 中央研究所
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集(1995年春季)：28a-X-3

23.DCS-WSiX薄膜中氟、氯含量与TDS分析

• 山崎治, 大南信之, 谷川真, 井口胜次, 崎山惠三
• 夏普株式会社 超LSI开发研究所
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集(1995年春季)：29a-K-8

24.利用离子注入法改性有机SOG薄膜(II)

• 渡边裕之, 平濑征基, 实泽佳居, 水原秀树, 青江弘行
• 三洋电机株式会社 微电子研究所
• 第42届应用物理学联合会议论文集(1995年春季)：30a-C-1

25.TEOS-O3沉积膜的应力与结构·组成的热变化

• 梅泽华织, 土屋宪彦, 矢吹宗, 藤井修*, 大森广文*, 松本明治*
• (株)东芝 半导体事业本部, *(株)东芝 研发中心
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集(1995年春季)：30a-C-10

26.SiH4-H2O2系CVD氧化膜的层间绝缘膜形成工艺(2)

• 松浦正纯, 西村恒幸*, 林出吉生, 平山诚, 井内敬彰*
• 三菱电机株式会社 ULSI开发研究所, *菱电半导体株式会社
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集(1995年春季)：30a-C-4

27.聚羰基硅烷的平坦化处理

• 小林伦子, 福山俊一, 中田义弘
• 富士通株式会社研究所
• 第42届应用物理学联合会议论文集(1995年春季)：30a-C-6

28.酚类化合物对过羟基硅氮烷氧化反应的促进作用

• 中田义弘, 福山俊一, 小林伦子, 原田秀树*, 大仓嘉之*
• (株)富士通研究所, *富士通(株)
• 第42届应用物理学联合会议论文集(1995年春季)：30a-C-7

29.基于TDS技术对氢注入硅衬底中氢脱附行为的解析

• 奥村治树, 长谷川刚启, 添田房美
• 东丽研究中心
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集(1995年春季)：30a-H-1

30.等离子体CVD-SiO膜特性对射频频率的依赖性

• 河野浩幸, 岩崎贤也
• 宫崎冲电气株式会社
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集(1995年春季)：30p-C-13

31.基于TDS的离子注入杂质(B,P,As)检测

• 薮本周邦, 本间芳和, 佐藤芳之*, 斋藤和之**
• NTT 界面研究所, *NTT LSI研究所, **会津大学
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集(1995年春季)：28a-X-1

32.基于升温脱附法的玻璃基板上有机分子行为评估

• 高桥善和, 稻吉荣, 斋藤一也, 冢原园子, 饭岛正行
• 日本真空技术株式会社 筑波超材料研究所
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集(1995年春季)：28a-ZS-4

33.硅晶圆表面有机污染物的化学组成

• 高萩隆行, 小岛章弘, 坂上弘之, 新宫原正三, 八嶋博*
• 广岛大学 工学部, 东丽研究开发中心
• 第42届应用物理学联合会议论文集(1995年春季)：29a-PA-14

34.磷酸处理后GaAs表面的评估

• 林荣治, 永井直人, 中川善嗣, 中山阳一, 添田房美
• 东丽研究中心
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集(1995年春季)：29a-ZN-2

35.CVD-TiN薄膜中氯气脱气特性评估

• 铃木寿哉, 坂井拓哉*, 大场隆之, 八木春良
• 富士通株式会社, *富士通VLSI株式会社
• 第42届应用物理学联合会议论文集(1995年春季)：29p-K-3

36.HF处理硅表面上的IPA吸附 II

• 宫田典幸, 小尻英博*, 山下良美, 冈村茂, 久継徳重
• (株)富士通研究所, *富士通(株)
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集(1995年春季)：29p-PA-20

1994：论文·期刊·专著

1.硅与二氧化硅基底上沉积CFx层的热脱附光谱与X射线光电子能谱研究

• 宫川康弘, 藤田健, 平下典夫, 池上直胜, 桥本淳, 松井孝之, 金森淳
• 大岛电气工业株式会社VLSI研发中心
• 日本应用物理学杂志,65,7047(1994)

2.蚀刻溶液中硅表面化学状态的原位红外研究

• 庭野道雄、木村康夫、宫本信夫
• 东北大学电气通信研究所
• 《应用物理快报》,65(13),1692(1994)

3.基于升温脱附气相色谱法的半导体集成电路材料释放气体定量分析

• 平下纪夫, 内山泰三*
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心, *电子科学株式会社
• 分析化学,43,757(1994)

4.利用温度编程X射线光电子能谱与脱附光谱研究氟碳薄膜与硅的反应机制

• 平下纪夫, 宮川康弘, 藤田健, 金森淳
• 冲电气工业株式会社 超LSI研究开发中心
• DRY PROCESS SYMPOSIUM,181(1994)

5.金属间介质层与高温烘烤测试对非易失性存储器器件可靠性的影响

• 坂上英夫, 新井直树*, 角田英夫**, 江川英夫**, 山口洋, 神谷英夫, 竹渕正人***, 山田和夫***, 吉川和夫、森秀夫
• 东芝公司半导体器件工程实验室、*东芝微电子公司、**东芝公司集成电路先进工艺部、***东芝公司逻辑器件工程部
• IEEE/IRPS(1994)

6.空气中储存氢终止硅表面氧化初期的红外光谱研究

• 庭野道雄、影山淳一、栗田和成、木梨浩司、高桥勇、宫本信夫
• 东北大学电气通信研究所
• J.Appl.Phys.,76,2157(1994)

7.四乙氧基硅烷旋涂于硅基底后紫外诱导SiO₂薄膜沉积研究

• 庭野道雄、木梨浩司、斋藤和彦、宫本信夫
• 东北大学电气通信研究所
• J.Electrochem.Soc.,141,1556(1994)

8.有机物引起的表面污染

• 高萩隆行
• 东丽株式会社研究开发中心
• 日本空气净化协会期刊,7,32(1994)

9.磁控微波等离子体中精细接触孔蚀刻

• 宫川义人、桥本淳、池上直树、松井哲也、金森淳
• 冲电气工业株式会社VLSI研发中心
• 日本应用物理学杂志,33,2145(1994)

10.奥氏体不锈钢中氢浓度的热脱附光谱测定

• 水野雅子、安西英也、青山孝志、铃木贵也
• 日立株式会社 日立研究所
• 材料交易JIM,35,703(1994)

11.基于TDS的脱附气体分析——以电子材料为中心——

• 奥村治树, 高萩隆行
• (株)东丽研究中心 表面科学研究部
• 《TRC通讯》,30,49(1994)

1994：学会摘要

1.热脱附光谱法研究通孔孔洞的腐蚀性脱气物

• S.Tokitoh, 内田英夫, 内田英夫*, 奥野洋一*, 伏见克己*, 刘刚, 坂谷洋一* 及 平下信夫
• 超大规模集成电路研究开发中心, *工艺技术中心
• 1994年固态器件与材料国际会议扩展摘要集, 横滨, 1994年, pp.925-927

2.TDS法CVD成膜(Ba, St)TiO3薄膜特性评估

• 山向幹雄, 川原孝昭, 蒔田哲郎, 結城昭正, 斧高一, 上原康*
• 三菱电机株式会社 半导体基础研究所, *材料器件研究所
• 第55届应用物理学会学术演讲会预稿集(1994秋)：19p-M-5

3.PECVD SiOF薄膜的吸湿特性(II)

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正树
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心
• 第55届应用物理学会学术演讲会预稿集(1994年秋季)：20p-ZC-14

4.四羟基硅氮烷成膜机理 II

• 大仓嘉之, 原田秀树, 清水敦男, 渡部洁, 福山俊一*, 中岛昭**, 高桥美纪**, 小松通郎**
• 富士通株式会社 工艺开发部, *富士通株式会社研究所, **触媒化成工业株式会社 精细研究所
• 第55届应用物理学会学术演讲会预稿集(1994年秋季)：20p-ZC-7

5.利用升温脱附光谱法(TDS)解析光刻胶的热反应行为

• 佐久间彻夫, 池田章彦, 吉信达夫*, 岩崎裕*
• 旭化成工业株式会社, *大阪大学产业科学研究所
• 第55届应用物理学会学术演讲会预稿集(1994年秋季)：22a-ZB-8

6.基于氢升温脱附光谱的Si(100)表面原子平坦度评估

• 中泽日出树, 末光真希, 金基俊, 宫本信雄
• 东北大学 电气通信研究所
• 第55届应用物理学会学术演讲会预稿集(1994秋)：20a-ZB-5

7.硅表面氟脱附与氢吸附研究

• 久保田彻, 白石修司, 斋藤洋司
• 成蹊大学 工学部
• 第55届应用物理学会学术演讲会预稿集(1994秋)：20p-ZB-10

8.TEOS/O3常压CVD反应中醇类添加效应(III)－氘代醇的添加－

• 池田浩一, 中山諭, 前田正彦
• NTT LSI研究所
• 第55届应用物理学会学术演讲会预稿集(1994年秋季)：20p-ZC-1

9.等离子体CVD成膜条件对寄生MOS-Tr.的影响

• 大田裕之, 浅田仁志, 佐藤幸博, 清水敦男, 渡部洁
• 富士通株式会社
• 第55届应用物理学会学术演讲会预稿集(1994秋)：20p-ZC-9

10.热氧化膜的吸湿特性

• 奥野昌树, 片冈祐治, 小尻英博*, 杉田义博, 渡边悟, 高崎金刚
• (株)富士通研究所, 富士通(株)
• 第55届应用物理学会学术演讲会预稿集(1994年秋季)：21p-ZB-15

11.Si(111)表面氧化膜的TDS观测

• 渡部宏治, 伊藤文则, 平山博之
• NEC微电子研究所
• 第55届应用物理学会学术演讲会预稿集(1994年秋季)：21p-ZB-16

12.基于TDS的硅表面有机物污染分析

• 奥村治树, 高萩隆行
• 东丽研究中心
• 第41届应用物理学联合会议论文集(1994年春季)：29a-ZK-11

13.有机SOG的无机化烘烤处理

• 小针英也, 冈野进, 大桥直史*, 根津广树*
• 东京应化工业(株) 开发本部, *(株)日立制作所 设备开发中心
• 第41届应用物理学联合研讨会论文集(1994年春季)：30p-ZW-13

14.聚梯状有机硅氧烷作为SOG的应用研究

• 足立悦志, 足达弘士, 西村浩之, 南伸太朗, 松浦正纯*
• 三菱电机株式会社 中央研究所, *超大规模集成电路开发研究所
• 第41届应用物理学联合研讨会论文集(1994年春季)：30p-ZW-14

15.多层布线通孔孔洞中NH3的脱附行为

• 时藤俊一, 内田英次*, 奥野泰幸*, 伏见公久*, 酒谷义广*, 平下纪夫
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心, *工艺技术中心
• 第41届应用物理学联合会议论文集(1994年春季)：30p-ZW-15

16.O3-TEOS绝缘膜的膜质改性

• 谷川真, 土居司, 石滨晃, 崎山惠三
• 夏普株式会社 超LSI开发研究所
• 第41届应用物理学相关联合研讨会预稿集(1994年春季)：30p-ZW-2

17.O3-TEOS绝缘膜的膜质改善

• 小针英也, 冈野进, 湊光朗
• 东京应化工业株式会社 开发本部
• 第41届应用物理学联合研讨会预稿集(1994年春季)：30p-ZW-3

18.PECVD SiOF薄膜的吸湿特性

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正树
• 冲电气工业(株) 超LSI研发中心
• 第41届应用物理学联合研讨会论文集(1994年春季)：30p-ZW-8

19.通过控制底膜残留物的化学种类提高TEOS/O3 SiO2膜的嵌入性

• 久保享, 广濑和之, 本间哲哉, 村尾幸信
• NEC ULSI器件开发研究所
• 第41届应用物理学联合会议论文集(1994年春季)：30p-ZW-4

20.底层对无电解铜电镀针状晶体形成的影响

• 藤波知之, 横井池加子, 本间英夫*
• 荏原优吉莱特株式会社, *关东学院大学工学部
• 表面技术协会 第90届演讲大会摘要集,168,(1994)：5C-19

1993：论文·期刊·专著

1.TEOS/O3氧化物中水相关组分导致的增强型热载流子劣化及ECR-SiO2薄膜的防水阻隔作用

• N.Shimoyama, K.Machida, J.Takahashi, K.Murase, K.Minegishi and T.Tsuchiya
• NTT LSI研究所
• IEEE电子器件汇刊,40,1682(1993)

2.四乙氧基硅烷与臭氧在大气压化学气相沉积法中沉积二氧化硅的热脱附研究

• 村濑克己、薮本纪国*、小峰幸雄
• NTT LSI研究所, *NTT综合研究所
• J.Electrochem.Soc.,140,1722(1993)

3.等离子固化温度对自旋涂覆玻璃的影响

• 长津英夫、峰岸和茂
• NTT LSI实验室
• J.Electrochem.Soc.,140,1121(1993)

4.裸硅片在空气中自生氧化层生长与有机物积累研究

• 冈田千津子、小林弘之、高桥勇、龙田次郎、新行寺孝之
• 三菱材料株式会社中央研究所
• 日本应用物理学杂志,32,1031(1993)

5.热脱附光谱法测定硅片上有机物含量

• 冈田千津子、高桥勇、小林博之、龙田次郎、新行寺孝之
• 三菱材料株式会社中央研究所
• 日本应用物理学杂志,32,1186(1993)

6.四乙氧基硅烷等离子体增强化学气相沉积SiO薄膜的热脱附与红外研究

• 平下信夫、时藤胜、内田弘
• 冲电气工业株式会社VLSI研发中心
• 日本应用物理学报，32卷，1787页(1993)

7.热脱附光谱分析的直接数值方法

• H.Froitzheim, P.Schenk 和 G.Wedler
• 埃尔朗根-纽伦堡大学物理与理论化学研究所
• 真空科学与技术A辑,11,345(1993)

8.CVD氧化膜的吸湿过程与水分脱附机制

• 时藤俊一, 内田英次, 平下纪夫
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心
• 电气电子学会技术报告 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-9,59(1993)

9.利用含硅氢键的ECR等离子体二氧化硅改善水诱导热载流子免疫性退化

• K.Machida, N.Shimoyama, J.Takahashi, Y.Takahashi, N.Yabumoto and E.Arai*
• NTT LSI研究所, *NTT综合研究所
• 电气电子学会技术报告 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-39,47(1993)

10.等离子CVD-SiO2薄膜的吸湿特性

• 下川公明
• 冲电气工业株式会社 超LSI开发研究中心
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

11.绝缘膜吸湿性相关问题——评估方法与对策

• 小谷秀夫, 松浦正纯, 林出吉生
• 三菱电机株式会社 LSI研究所
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

12.低温退火对TEOS-O3常压CVD NSG膜吸湿性的影响

• 细田幸男, 原田秀树, 清水敦男, 渡部洁, 芦田裕
• 富士通 基础工艺开发部, 开发推进本部
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

1993：学会摘要

1.利用升温热脱附分析装置评估硅晶圆表面有机物

• 冈田千鹤子
• 三菱材料株式会社 中研
• 第54届分析化学研讨会摘要集(1993.06)

2.基于升温脱附法的不锈钢中氢分析方法研究

• 水野昌子, 三泽丰, 国谷治郎, 木田利孝
• 日立制作所株式会社 日立研究所
• 第54届分析化学研讨会摘要集(1993.06)

3.等离子增强TEOS/O₂化学气相沉积系统中亚微米金属间距的单步间隙填充技术

• Katsuyuki MUSAKA, Shinsuke MIZUNO, Kiyoaki HARA
• 应用材料日本株式会社技术中心
• 1993年固态器件与材料国际会议扩展摘要集，幕张，1993年，第510-512页

4.Si(100)及(111)面SC1氧化膜的升温分解脱附光谱法

• 岩崎裕, 中尾基, 吉信达夫, 内山泰三*
• 大阪大学 产业科学研究所, *电子科学(株)
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993年秋季)

5.氢终止Si(111)表面氢的热脱附行为

• 高萩隆行, 名古屋浩贵, 中川善嗣, 永井直人, 石谷炯
• 东丽研究中心
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993年秋季)

6.基于TDS（升温脱附气体分析）的Al膜评估

• 针生武德, 大野秀树, 井上实
• 富士通株式会社
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993秋)：16a-ZR-11

7.高浓度BPSG薄膜缺陷析出及其抑制方法(3)——硅烷化处理的效果——

• 矢野航作, 寺井由佳, 杉山龙男, 远藤正孝, 上田哲也, 野村登
• 松下电器 半导体研究中心
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993秋)：16p-ZQ-16

8.热处理等离子体-CVD SiO膜的升温脱附气体分析(TDS)

• 时藤俊一, 内田英次, 平下纪夫
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993年秋季)：16p-ZQ-5

9.TEOS-O3 NSG底层P-SiO依赖性

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正树
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993年秋季)：16p-ZQ-7

10.绝缘膜的高温应力

• 星野和弘, 菅野幸保
• 索尼株式会社 超LSI开发本部
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993年秋季)：17p-ZQ-16

11.基于升温脱附气相色谱法的脱气定量分析方法研究

• 平下纪夫, 时藤俊一, 内山泰三*, 日永康*
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心, *电子科学株式会社
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993秋)：27a-ZL-8

12.基于TDS法的硅表面氢研究

• 高萩隆行, 名古屋浩贵, 长泽佳克, 石谷炯
• 东丽研究开发中心
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993秋)：28a-ZD-7

13.TiN/Ti薄膜覆盖通孔的气体释放特性

• 松浦正纯, 山口澄夫, 林出吉生, 古谷秀夫
• 三菱电机株式会社 LSI研究所
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993秋)：29a-X-1

14.过氢硅氮烷的成膜机制

• 长岛隆, 原田秀树
• 富士通株式会社
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993秋)：29a-X-10

15.基于升温热脱附分析的非倾斜(111)硅晶圆表面评估

• 龙田次郎, 小林弘之, 高桥功, 新行内隆之, 冈田千鹤子*
• 三菱材料 中研, *三菱材料硅业
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993秋)：29a-ZD-10

16.利用升温热脱附分析装置评估硅晶圆表面的有机物

• 冈田千鹤子, 森田悦郎, 井上文雄, 龙田次郎*, 新行内隆之*
• 三菱材料硅业, *三菱材料 中研
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993秋)：29a-ZD-11

17.接触孔底Si表面自然氧化膜的TDS观测

• 中森雅治, 寺冈有殿*, 青砥奈穗美, 青木秀充, 西山岩男*, 井川英治, 吉川公麿
• 日本电气(株) 微电子研究所, *光电子研究所
• 第54届应用物理学会学术演讲会预稿集(1993秋)：17p-ZP-8

1992：论文·期刊·专著

1.磷掺杂自旋玻璃薄膜的热脱附研究

• 平下纪夫, 小早川雅之, 有松明, 横山文孝, 安井冈恒雄
• 冲电气工业株式会社
• J.Electrochem.Soc.,139,794(1992)

2.二氧化硅氟碳干法刻蚀中的表面反应机理——热激发效应

• 池上信夫、小泽信夫、宫川洋、平下典夫、金森纯
• 冲电气工业株式会社 电子设备事业部 VLSI研发中心
• 日本应用物理学杂志,31,2020(1992)

3.Si(100)表面超薄氧化层的热分解

• Y.K.Sun, D.J.Bonser 和 Thomas Engel
• 华盛顿大学化学系 BG-10
• 真空科学与技术A辑,10,2314(1992)

4.预氧化硅清洗及其对金属氧化物半导体特性的影响

• S.R.Kasi 与 M.Liehr
• IBM研究部，托马斯·J·沃森研究中心
• 真空科学与技术A辑，10卷，795页(1992)

5.硅玻璃中气体分析方法

• 森本幸裕
• Ushio Electric Co., Ltd. 技术研究所
• New Ceramics,9,65(1992)

6.TEOS/O3氧化膜中水分导致的热载流子耐受性劣化及ECR-SiO2膜抑制劣化法

• 下山展弘, 高桥淳一, 町田克之, 村濑克实, 峰岸一茂*, 土屋敏章
• NTT LSI研究所, *NTT电子技术公司
• 电气电子学会技术报告 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM92-33,51(1992)

7.等离子体CVD SiO膜对MOSFET可靠性退化的抑制作用

• 下川公明, 宇佐美隆志, 时藤俊一, 平下纪夫, 吉丸正树
• 冲电气工业株式会社 VLSI研发中心
• 信学技报 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM92-133,89(1992)

8.表面吸附分子分析技术——升温脱附质谱法在ULSI中的应用——

• 岩崎裕
• 大阪大学 产业科学研究所
• Realize公司 突破性研讨会资料No2, 《构建ULSI制造的分析评估技术——尖端分析评估技术在生产线中的应用》(1992.11)