2004：论文·期刊·书籍

1.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide transparent conducting films fabricated by dip coating process

• Y. Sawada*1, S. Seki*1, M. Sano*2, N. Miyabayashi*2, K. Ninomiya*3, A. Iwasawa*3, T. Tsugoshi*4, R. Ozao*5 and Y. Nishimoto*6
• *1)Tokyo Polytechnic University, *2)ESCO Co. Ltd., *3)TOTO Ltd., *4)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, *5)North Shore College of SONY Institute, *6)Kanagawa University
• Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 77 (2004) 751-757

2004：学会摘要

1.Water sorbability of low-k dielectrics measured by thermal desorption spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya Fukuda, Yoko Uchida, Ichiro Katou
• Association of Super-Advanced Electronic Technologies
• Surface Science,566-568(2004)pp566-570

2.Reaction of Hydrogen-Desorbed Si(100) Surfaces with Water during Heating and Cooling

• Shinichi URABE, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA and Mizuho MORITA
• Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
• Jpn. J. Appl. Phys,43,8242(2004)

3.Analysis of firing process of titania gel films fabricated by sol-gel process

• Nishide Toshikazu*1, Yabe Takayuki*1, Miyabayashi Nobuyoshi*2, Sano Makiko*2
• 1 Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Engineering, Nihon University, *2 ESCO Ltd.
• Thin Solid Films,467,43(2004)

4.升温脱附分析法中H₂O模式系数的测定方法

• 常盘聪子*1, 西出利一*2, 桥詰昭夫*3, 宫林延良*3
• *1 筑波大学应用物理研究所
• *1 日本大学工学部次世代工学技术研究中心, *2 日本大学工学部物质化学工学科, *3 电子科学株式会社
• J.Mass Spectrom.Soc.Jpn,52,45(2004)

 

2003：论文·期刊·专著

1.自组装法制备的噻吩与α-双噻吩薄膜间不同的吸附状态

• 伊藤英介、吴在根、原正彦
• 理化学研究所前沿研究系统局部时空功能实验室
• 日本应用物理学杂志,42,852(2003)

2.富硅多晶硅1-xGex与多晶硅反应性热化学气相沉积制备的底栅薄膜晶体管特性

• 清水康作、张建军、李正佑、半田淳一
• 日本东京都横滨市长津绿区4259 东京工业大学成像科学与工程实验室
• 材料研究学会会议论文集，第762卷，第253-258页(2003)

3.基于接触角倒数的TiO₂薄膜表面光诱导亲水转化性能定量评估

• 酒井信行、藤岛彰、渡边俊哉、桥本和仁
• *1)东京大学先端科学技术研究中心
• *2)东京大学工学院应用化学系
• J. Phys. Chem. B, 2003, 107(4), pp.1028-1035

2003：学会摘要

1.热脱附光谱法测定低介电常数介电材料的吸水性能

• Hiroshi Yanazawa, Takuya fukuda, Yoko Uchida and Ichiro Katou
• 超先进电子技术协会 (ASET)
• 欧洲表面科学会议 (ECOSS22), 摘要编号:17017(2003)

2.MgO保护膜表面氟化处理以降低其与H₂O及CO₂的化学反应性

• 樱井英昭、丰口银次郎、黑光义郎
• 三菱材料株式会社中央研究所
• 信息显示学会(SID) 03文摘, 23.3(2003)

3.电子注入层对有机EL/Si发光层的影响

• 三富豊, 高桥秀明, 岩崎好孝, 莲见真彦, 上野智雄, 黑岩绚一, 宫林延良*
• 东京农工大学工学部, *电子科学株式会社
• 第64届应用物理学会学术演讲会(2003年秋季)：31p-YL-11

4.利用4.H2O蚀刻降低CVD-SiOC薄膜的蚀刻损伤

• 山中通成，汤浅宽，大冢俊宏，坂森重则*
• 松下电器产业株式会社 导体事业部 工艺开发中心、*瑞萨科技株式会社 生产技术本部 晶圆工艺技术统括部
• 第64届应用物理学会学术研讨会(2003年秋季)：31a-ZK-8，p.669

5. 通过氮等离子体处理防止层间绝缘膜吸附水分

• 大塚俊宏，久都内知惠，今西贞之
• 松下电器产业株式会社 半导体事业部 工艺开发中心
• 第64届应用物理学会学术演讲会(2003年秋季)：2p-YC-1，p.706

6.适用于铜嵌入工艺的旋涂纳米发泡聚苯并噁唑材料特性与工艺兼容性

• 榎木孝，前岛健三，斋藤英典，胜村昭文
• 住友电木株式会社 研究部 基础研究所
• 材料研究学会会议论文集 第740卷, 2003年 材料研究学会, I12.9.1

2002年：论文·期刊·专著

1.驱动铜扩散进入介质层的力学机制

• Takuya Fukuda, Hirotaka Nishino, Azuma Matsuura and Nironori Matsunaga
• 超先进电子技术协会
• 日本应用物理学杂志,41,537(2002)

2.反应离子刻蚀工艺中铵盐的形成及其对铝布线与多晶硅栅制造中图案几何形状控制的影响

• 斋藤修一*1*2、杉田和之*1、户之谷淳一*2、山毛正志*2
• *1 千叶大学理工学研究科, *2 东芝公司制造技术中心
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,2220(2002)

3.不同沉积工艺制备的铟锡氧化物薄膜中水蒸气演变特性

• 关 胜*1, 青山 哲也*1, 泽田 洋*1, 小川 诚*1, 佐野 诚*2, 宫林 直树*2, 吉田 浩*3, 星 裕*1, 井出 诚*4 及 志田 彰*4
• *1 东京工业大学研究生院工学院, *2 ESCO有限公司, *3 Geomatec株式会社, *4 横滨市产业技术设计中心
• J.Therm.Anal.Cal.,69,1021(2002)

4.基于升温脱附法的透明导电膜评估

• 泽田丰, 关成之, 青山刚志, 佐野真纪子*, 宫林延良*
• 东京工艺大学, *电子科学系
• 透明导电膜的新发展·,第15章, 175(CMC出版)

5.氘掺杂实现超薄栅氧化膜高可靠性验证及可靠性提升机制解析

• 三谷祐一郎, 佐竹秀喜
• (株)东芝 研发中心
• 东芝评论, 57(11),34(2002)

6.蓝色发光BaAl₂S₄:Eu薄膜的热处理过程评估

• 永野真一, 川西光弘, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大学 理工学部 电子通信工学科
• 信学技报 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,EID2001-90,49(2002)

7.利用氢气对钛氧化膜升温脱附的定量动态评估

• 山内康弘, 水野善之**, 田中彰博*, 本间祯一
• 千叶工业大学, *阿尔巴克·菲株式会社, **斯坦福大学斯坦福线性加速器中心
• 真空,45(3),265(2002)

8.等离子显示面板用MgO的脱气特性

• 植田康弘, 黑川博志
• 三菱电机株式会社 尖端技术综合研究所
• 真空,45(2),97(2002)

9.表面科学——化学反应的物理学——

• 村田好正
• 东京大学名誉教授
• 岩波讲座 物理的世界（岩波书店）

2002：学会摘要

1.利用升温脱附法分析二氧化钛凝胶膜的烧结过程

• 矢部贵行，西出利一，*宫林延良，*佐野真纪子
• 日本大学工学院，*电子科学系
• 2002年日本陶瓷学会年会论文集(2002年3月)：2I21

^2.18O所含溶胶-凝胶法制备的二氧化钛凝胶膜烧结过程

• 西出利一，矢部贵行，*宫林延良，*佐野真纪子
• 日本大学工学院，*电子科学系
• 2002年日本陶瓷协会年会论文集(2002年3月)：2I22

3.析出相对铜合金中氢扩散行为的影响

• 冨田英昭, 仓本繁*, 菅野干宏**
• 东京大学研究生院, *丰田中央研究所, **东京大学工学院
• 日本金属学会春季大会演讲概要(2002)；(1384)

4.基于升温脱附气体分析的薄膜气体传感器研究

• 高桥修, 原和裕
• 东京电机大学
• 第63届应用物理学会学术演讲会预稿集(2002秋)：24p-K-2

5.基于TDS的Alq3分子蒸发沉积过程评估——Alq3纯化效果研究

• 平井敦, 三富丰, 岩崎好孝, 莲见真彦, 上野智雄, 黑岩绚一, ＊佐野真纪子, ＊宫林延良
• 东京农工大学, ＊电子科学系
• 第63届应用物理学会学术演讲会预稿集(2002年秋季)：26p-ZH-1

6.蓝色发光BaAl₂S₄：Eu　EL元件的水定量分析

• 永野真一, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大学理工学部
• 第63届应用物理学会学术演讲会预稿集(2002年秋季)：26p-ZD-14

2001：论文·期刊·专著

1.CVD-TiN栅极电极中残留氯对多层氧化技术中栅氧化层可靠性的影响

• Masaru Moriwaki, Takayuki Yamada
• 松下电器产业株式会社 超大规模集成电路工艺技术开发中心
• 日本应用物理学杂志,40,2679(2001)

2.基于ZrO2载体的FeOOH催化剂从油棕废料中回收有用烃类物质

• T.Masuda, Y.Kondo, M.Miwa, T.Shimotori, S.R.Mukai, K.Hashimoto, M.Takano*, S.Kawasaki*, S.Yoshida**
• 京都大学研究生院工学研究科, 京都大学化学研究所*, NGK绝缘子株式会社**
• 化学工程科学,56,897(2001)

3.Ni催化剂下Mg掺杂GaN的低温活化机理

• (1)I.Waki, H.Fujioka, M.Oshima, (2)三木博、奥山正树
• (1)东京大学应用化学系，(2)昭和电工株式会社中央研究所秩父研究所
• 《应用物理学杂志》，90(12)，6500(2001)

4.硅基片在程序升温脱附分析中的温度校准研究

• 平下直树、神保哲也、松永哲也、松浦正树、森田真、西山一、西塚真、奥村英树、岛崎明、苫本直树
• 超洁净学会超洁净标准化委员会设备工作组
• J.Vac.Sci.Technol.A,19,1255(2001)

2001：学会摘要

1.基于升温脱附分析的材料评估

• 宫林延良
• 电子科学
• 2001年度 神奈川县产学研交流研究发表会(2001.10.19)

2.表面分析与TDS

• 佐野真纪子
• 电子科学
• 第4届实用表面分析研讨会(2001.11.9)

3.基于溶胶-凝胶法的二氧化钛凝胶膜升温脱附法烧结工艺解析

• 矢部贵行, 西出利一, ＊宫林延良, ＊佐野真纪子
• 日本大学　工学部, ＊电子科学
• 日本陶瓷协会 第14届秋季研讨会论文集：2B04

4.具有气体选择性吸附特性的无机-有机杂化材料制备与评估

• 山田纪子, 久保祐治, 片山真吾
• 新日本制铁株式会社　尖端技术研究所
• 日本陶瓷协会 第14届秋季研讨会演讲预稿集：3B07

5.Environmental Embrittlement of Vitreous Silica Fibers

• Ken-ichi Takai, Takeshi Noda, Daisaku Yamada, Noriyuki Hisamori and Akira Nozue
• Department of Mechanical Engineering, Sophia University
• 日本材料学会50周年国际研讨会(2001.05)

6.Al₂O₃、ZrO₂的环境脆化及水、氢存在状态解析

• 野口和彦, 高井健一, 久森纪之, 野末章
• 上智大学　理工学部
• 第129届日本金属学会秋季演讲大会、No.100.

7.石英玻璃纤维的环境脆化及水、氢的存在状态解析

• 山田大策, 高井健一, 野末章
• 上智大学　理工学部
• 第129届日本金属学会秋季演讲大会、No.99.

8.溶胶-凝胶法制备铪薄膜的升温脱附烧结过程研究

• 阿达金哉，西出利一，*宫林延良，*佐野真纪子
• 日本大学工学部，*电子科学系
• 2001年日本陶瓷协会年会论文集(2001年3月)：2K26

9.含18O溶胶-凝胶法制铪薄膜的烧结过程

• 西出利一，阿达金哉，*宫林延良，*佐野真纪子
• 日本大学工学部，*电子科学
• 2001年日本陶瓷协会年会演讲预稿集(2001年3月)：2K27

10.升温脱附法制备ITO透明导电膜的研究

• 关成之，泽田丰，*宫林延良，*佐野真纪子，**井出美江子
• 东京工艺大学，*电子科学系，**横滨市工业技术支援中心
• 2001年日本陶瓷协会年会论文集(2001年3月)：2K28

11.氮化硅粉末的氧行为(Ⅱ)

• 别府义久，安藤元英，大司达树*
• 协同研究所，*名古屋工业技术研究所
• 2001年日本陶瓷协会年会论文集(2001年3月)：2A34

12.升温脱附法解析Al₂O₃与ZrO₂中水、氢的存在状态

• 野口和彦，太田雅人，高井健一，久森纪之，野末章
• 上智大学理工学院
• 日本金属学会春季大会演讲概要(2001)；(1002)

13.H₂O与H₂对石英玻璃纤维环境脆化的影响

• 山田大策，野田武，高井健一，野末章
• 上智大学理工学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(1071)

14.Ni-Ti合金的氢扩散速率与体内脆化

• 浅冈宪三，横山贤一
• 德岛大学·牙科
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(126)

15.Fe含量对fcc Pd-Fe合金中氢释放谱的影响

• 山下博史，*原田修治
• 新潟大学研究生，*新潟大学工学部
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(194)

16.BCC型Ti-Al-Zr合金的氢诱导非晶化

• 宫岛启将，*石川和宏，*青木清
• 北见工大，*北见工大工
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(211)

17.纳米结构石墨-氢体系的脱氢过程

• 松岛智善，折茂慎一，藤井博信
• 广岛大学综合科学部
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(212)

18.Ti3Al基合金的氢储存特性(化学计量比偏差的影响)

• 小岛佑介，渡边宗能，*田中一英
• 名古屋工业大学(院)，*名古屋工业大学･工学部
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(214)

19.二元Ti-Al合金的氢吸附·释放特性

• 桥邦彦，*石川和宏，**铃木清策，*青木清
• 北见工大院，*北见工大工，**新南威尔士大学，
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(215)

20.LaNi5的相变诱导与氚捕获效应

• 山本笃史郎，*乾晴行，*山口正治
• 京都大学工学院･研究生院，*京都大学･工学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(218)

21.晶格缺陷对LaNi5中残留氢的影响

• 榊浩司，*竹下博之，*栗山信宏，**村上幸男，**水林博，***荒木秀树，***白井泰治
• 阪大･院，*大工研，**筑波大，***阪大･工
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(219)

22.机械合金化法制备的Ti-Zr-Ni系准晶与非晶粉末氢吸附释放特性比较

• 高崎明人，*韩昶浩，**古谷吉男
• 芝浦工业大学工学部，*芝浦工业大学研究生院，**长崎大学教育学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(222)

23.(Mg，Yb)Ni2合金的氢储存性能

• 大津秀贵，神田和幸，*石川和宏，*青木清
• 北见工大院，*北见工大工
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(230)

24.可在低温下吸放氢的高容量纳米复合化Mg薄膜

• 樋口浩一，梶冈秀，间岛清和，本多正英，*山本研一，**折茂慎一，藤井博信
• 广岛县西部工业技术中心，*马自达株式会社，**广岛大学综合科学系
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(231)

25.氢吸附处理对5083铝材晶粒细化及力学性能的影响

• 船见国男，*佐野龙圣
• 千叶工业大学工学部，*千叶工业大学研究生
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(256)

26.阴极氢吸收对SUS304不锈钢硬度增大的影响

• 羽木秀树
• 福井工业大学
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(264)

27.铁素体钢的氦·氘吸附特性

• 高尾康之，*岩切宏友，*吉田直亮
• 九州大学研究生院，*九州大学应力研究所
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(64)

28.Mg2Ni/LaNi5复合材料的组织及氕吸附·脱附特性

• 奥村勇人，松井旭紘，山际真太郎，镰土重晴，小岛阳
• 长冈技术科学大学(工)
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(928)

29.催化氮化SiO2薄膜的电学与结构特性

• 泉明，佐藤英和，松村英树
• JAIST（日本先进科学技术研究院）
• 材料研究学会研讨会论文集，第670卷，K7.8.1-K7.8.6页，2001年

30.镍催化剂介导的Mg掺杂GaN低温活化机理

• 脇一太郎, 藤冈洋, 尾嶋正治, ＊三木久幸, ＊奥山峰夫　
• 东京大学工学部, ＊昭和电工　　
• 第62届应用物理学会学术演讲会预稿集(2001年秋季)：11p-Q-2

31. 采用过渡金属催化层实现Mg掺杂GaN的低温活化

• 脇一太郎, 藤冈洋, 尾嶋正治, ＊三木久幸, ＊奥山峰夫　
• 东京大学工学部, ＊昭和电工　　
• 第62届应用物理学会学术会议论文集(2001秋)：11p-Q-3

32.H⁺离子注入引起的Si剥离现象(ESR评估)

• 佐佐木志保, 和泉富雄, ＊原彻
• 东海大学工学部, ＊法政大学工学部　
• 第62届应用物理学会学术演讲会预稿集(2001年秋季)：12a-V-7

33.碳纳米管脱离气体的TDS分析

• 冈井诚, 宗吉恭彦, 矢口富雄, 林伸明
• 日立显示器集团
• 第62届应用物理学会学术演讲会预稿集(2001秋)：12a-ZT-4

34.自由基淋浴化学气相沉积中的薄膜特性调控

• 熊谷晃, 石桥启次, 张宏, 田中雅彦, 北野尚武, 徐舸, 横川直明, 池本学
• Anelva
• 第62届应用物理学会学术演讲会预稿集(2001年秋季)：13a-C-7

35.外延生长SrRuO3薄膜特性对成膜方法的依赖性

• 高桥健治, 及川贵弘, ＊斋藤启介, 舟洼浩
• 东京工业大学材料科学与工程学院, ＊日本飞利浦公司
• 第62届应用物理学会学术演讲会预稿集(2001年秋季)：13a-ZR-8

36.基于升温脱附气体光谱法的蓝色发光BaAl₂S₄：Eu薄膜热处理过程分析

• 永野真一, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大学　
• 第62届应用物理学会学术演讲会预稿集(2001秋)：14a-P14-12

37.基于流量调制CVD的TiN薄膜合成中氯脱附过程解析

• 霜垣幸浩, 滨村浩孝
• 东京大学工学部　
• 第62届应用物理学会学术演讲会预稿集(2001年秋季)：14a-X-3

38.基于TDS技术的Alq3分子蒸发过程评估及其应用

• *平井敦, *岩崎好孝，*逢見真彦，*，**上野智雄，*黑岩紘一，***佐野真紀子，***宫林延良
• *东京农工大学工学部，**现任职于新能源产业技术综合开发机构(NEDO)，***电子科学研究所
• 第48届应用物理学联合研讨会论文集(2001.3　明治大学)；29p-ZN-12

39.SiO2薄膜介质下H+离子注入硅薄膜的剥离现象(ESR评估)

• 佐佐木志保，和泉富雄，*原彻
• 东海大学工学部，*法政大学工学部
• 第48届应用物理学联合研讨会论文集(2001.3　明治大学)；30a-P11-7

40.基于升温脱附分析法的环境测量传感器工作解析

• 横山达也，原和裕
• 东京电机大学
• 第48届应用物理学联合研讨会论文集(2001.3　明治大学)；30p-ZR-10

41.镁掺杂GaN的低温活化(1)-O3、N2O中热处理效应-

• 脇一太郎，藤冈洋，尾嶋正治，*三木久幸，*蕗泽朗
• 东京大学研究生院工学院，*昭和电工株式会社秩父研究室
• 第48届应用物理学联合研讨会论文集(2001.3　明治大学)；31p-K-2

42.真空升温条件下a-Ge:H薄膜的氢键状态与膜质评估(Ⅲ)

• 井関克登，小林信一，青木彪
• 东京工艺大学研究生院·联合尖端技术研究中心
• 第48届应用物理学联合研讨会论文集(2001.3　明治大学)；28a-ZL-8

43.利用氢气对钛氧化膜进行升温脱附动态评估

• 山内康弘，水野善之，*田中彰博，本间祯一
• 千叶工业大学，*阿尔巴克·菲株式会社
• 第48届应用物理学联合会议论文集(2001.3　明治大学)；29p-ZF-6

44.石英玻璃的反跳氚气释放现象

• 那须昭一，文雅司，*谷藤隆昭，*实川资郎
• 金泽工业大学，*日本原子能研究所
• 第48届应用物理学联合会议论文集(2001.3　明治大学)；29p-ZL-11

45.利用氢原子固态隧道反应开发用于半导体薄膜形成的极低温反应装置(Ⅱ)

• 佐藤哲也，铃木克宪，高桥幸则，菱木繁臣，冈崎重光，中川清和，平冈贤三，*佐藤昇司，*宫田千治，**高松利行
• 山梨大学工学部，*宫通信工业，**SST
• 第48届应用物理学联合研讨会论文集(2001.3　明治大学)；30a-ZT-7

2000：论文·期刊·专著

1.烃基硅氧烷聚合物与氢化硅氧烷的比较研究

• 郑成雄、金洙英、申周翰、金俊基、朴振元
• 现代电子工业株式会社 存储器研发部
• 日本应用物理学杂志,39,5909(2000)

2.基于升温脱附分析法的分子污染评估及其对器件的影响

• 平下纪夫
• 冲电气工业株式会社超LSI研发中心
• Realize公司，半导体清洁化技术系列基础讲座[UCT-10]

3.恒温变形温度及拉丝加工对分析钢氢吸附特性的影响

• 高井健一, 野末章
• 上智大学理工学部机械工程学科
• 日本金属学会杂志,64,669(2000)

4.DRAM用Ta₂O₅电容器形成技术

• 神山聪
• 日本电气(株) 系统设备基础研究本部
• 应用物理,69,1067(2000)

5.等离子显示面板用MgO薄膜蒸镀时的氧分压与气体吸附特性

• 泽田隆夫, 渡部劲二*, 福山敬二, 大平卓也, 衣川胜, 佐野耕**
• 三菱电机株式会社 尖端技术综合研究所, *株式会社Everem, **三菱电机株式会社 显示器件统括事业部
• 真空,43(10),973(2000)

6.低介电常数甲基硅氧烷自旋涂覆玻璃薄膜的表征

• 山田典子与高桥彻
• 新日铁株式会社 先进技术研究所
• 日本应用物理学报 39 (2000) pp. 1070-1073

2000：学会摘要

1.不同结晶性AlOOH的加热相变

• 永岛彻, 龟岛欣一, 安盛敦雄, 冈田清, *佐野真纪子
• 东京工业大学理工学院, *电子科学系
• 日本陶瓷协会第13届秋季研讨会摘要集

2.固体核磁共振法解析氧化硅及其结构

• 荒又幹夫，福岡宏文，藤岡一俊
• 信越化学群马事业所
• 第61届分析化学研讨会(2000.05.18长冈Lyrical Hall)：2H14

3.SiO2-Si界面附近的氢分布

• Y.Kawashima, Z.Liu, H.Kawano and M.Kudo*
• 分析技术开发部, NEC株式会社, *成实大学工学部
• 第二届SIMS及相关技术国际研讨会论文集(2000.11)

4.基于升温脱附法的HfO2薄膜烧结过程研究

• 阿达金哉, 西出利一, 宫林延良*, 佐野真纪子*
• 日本大学工学院, 电子科学*
• 日本陶瓷协会东北北海道支部研究发表会 第20届基础科学部会东北北海道地区恳谈会(2000年秋季)：1P19

5.升温脱附法对HfO2薄膜的解析

• 佐野真纪子, 宫林延良, 阿达金哉*, 西出利一*,
• 电子科学, *日本大学工学部
• 第4届实用表面分析研讨会(2000.12.8)：P1-10

6.H2O与H2对石英玻璃纤维环境脆化的影响

• 野田武, 山田大策, 高井健一, 野末章
• 上智大学理工学部
• 日本金属学会秋季大会演讲摘要(2000) p509

7.水与氢对石英玻璃纤维环境脆化的影响

• 高井健一, 野田武, 野末章
• 上智大学 理工学部
• (社)日本钢铁协会 材料组织与特性分会 科学技术振兴调整费综合研究 第5次成果报告会研讨会 概要集p7(2000年秋季)

8.H₂O与H₂对石英玻璃纤维环境脆化的影响

• 高井健一, 野田武, 河村真次, 野末章
• 上智大学 理工学部
• 第1届微材料研讨会论文集p43(2000年秋季)

9.ICP氧等离子照射对低介电常数多孔膜的膜质变化影响

• 藤内笃, 荒尾弘树, 江上美纪, 中岛昭, 近藤英一*, 浅野种正*
• 触媒化成工业株式会社精细研究所, 九州工业大学微型化综合技术中心*
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集(2000年秋季)：4a-P4-18

10.升温脱附分析法中硅基板温度校准法1 UC标准规范

• 平下纪夫(冲电气), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治树(东丽研究中心), 嶋崎绫子(东芝), 神保智子(日立), 西塚胜(东芝微电子), 西山岩男(NEC), 松浦正纯(三菱电机), 松永利之(松下技术研究所), 森田瑞穗(大阪大学)
• UCS半导体基础技术研究会标准化委员会设备分会
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集(2000年秋季)：4p-ZC-10

11.升温脱附分析法中硅基板温度的校准方法2 UC标准规范

• 平下纪夫(冲电气), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治树(东丽研究中心), 嶋崎绫子(东芝), 神保智子(日立), 西塚胜(东芝微电子), 西山岩男(NEC), 松浦正纯(三菱电机), 松永利之(松下技术研究所), 森田瑞穗(阪大)
• UCS半导体基础技术研究会标准化委员会设备分会
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集(2000年秋季)：4p-ZC-11

12.升温脱附分析法中硅基板温度的校准方法3 UC标准规范

• 平下纪夫(冲电气), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治树(东丽研究中心), 嶋崎绫子(东芝), 神保智子(日立), 西塚胜(东芝微电子), 西山岩男(NEC), 松浦正纯(三菱电机), 松永利之(松下技术研究所), 森田瑞穗(大阪大学)
• UCS半导体基础技术研究会 标准化委员会 设备分会
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集(2000年秋季)：4p-ZC-12

13.升温脱附分析法中硅基板温度的校准方法4 UC标准规范

• 平下纪夫(冲电气), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治树(东丽研究中心), 嶋崎绫子(东芝), 神保智子(日立), 西塚胜(东芝微电子), 西山岩男(NEC), 松浦正纯(三菱电机), 松永利之(松下技术研究所), 森田瑞穗(阪大)
• UCS半导体基础技术研究会 标准化委员会 设备分会
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集(2000年秋季)：4p-ZC-13

14.高选择比氧化膜蚀刻中表面反应层的解析

• 小泽信夫, 辰巳哲也, 石川健治, 栗原一彰, 关根诚
• ASET等离子体研究所
• 第61届应用物理学联合学术研讨会预稿集(2000年秋季)：6a-ZF-8

15.通过薄SIO2膜注入高浓度H+离子后的硅退火特性

• 佐佐木志保, 宇治川浩章, 乔杜里·埃尔沙德·阿里, 和泉富雄, 原彻*
• 东海大学工学部, 法政大学工学部*
• 第61届应用物理学联合学术研讨会预稿集(2000年秋季)：6p-ZD-17

16.W聚硅氧烷膜的蚀刻特性

• 福永裕之, 长友美树, 斋藤秀一
• 东芝株式会社 生产技术中心
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集(2000年秋季)：7a-W-8

17.晶圆表面吸附有机物的吸附/脱附行为2

• 白水好美, 高田俊和, 驹田香织*
• 日本电气(株), NEC软件(株)*
• 第61届应用物理学会联合学术研讨会论文集(2000年秋季)：3p-ZC-7

18.采用HMDSO的等离子体化学气相沉积法制备低介电常数薄膜(1)－使用N2O作为氧化剂－

• 山本阳一, 猪鹿仓博志, 石丸智美, 小竹勇一郎, 大河原昭司, 盐谷喜美*, 大平浩一*, 前田和夫*
• 佳能销售株式会社, 半导体工艺研究所株式会社*
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集(2000秋)：4a-P4-21

19.NH3/SiF4系a-SiNx:F栅极氮化膜的极低温形成(II)

• 大田裕之, 堀胜, 后藤俊夫
• 名古屋大学工学部
• 第61届应用物理学联合学术研讨会预稿集(2000秋)：5a-ZD-4

20.Si(100)2×1表面铯氧化物的TDS与UPS研究

• 石跃晶彦, 藤井孝司, 丰岛诚也, 浦野俊夫, 本乡昭三
• 神户大学工学部
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集(2000年秋季)：6a-S-1

21.溶胶-凝胶法制备的HfO₂薄膜对氟醇类化合物的吸附行为

• 阿达金哉，西出利一，渡部修*，高濑次子*，宫林延良**
• 日本大学工学部，福岛县高科技广场*，电子科学株式会社**
• 第47届应用物理学联合学术会议论文集(2000年春季)：29a-ZG-3

22.采用低介电常数绝缘膜的微加工布线结构中电容的温度依赖性

• 东和幸，松永范昭，中田镇平，柴田英毅
• 东芝半导体株式会社微电子技术研究所
• 第47届应用物理学联合会议论文集(2000年春季)：29p-YA-11

23. 湿法工艺处理对有机聚合物系低介电常数绝缘膜PAE的影响

• 北泽良幸，友久伸悟，西冈康隆，保田直纪，村中诚志*，后藤欣哉*，松浦正纯*，丰田良彦，大森达夫
• 三菱电机株式会社尖端技术综合研究所，超大规模集成电路技术开发中心*
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集(2000年春季)：29p-YA-16

24.等离子重合法降低BCB膜介电常数

• 多田宗弘，川原润，林喜宏
• NEC硅系统研究所
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集(2000年春季)：29p-YA-8

25.金(111)表面烷基硫醇自组装单分子层结构与吸附态相关性研究

• J.Noh, T.Araki*, K.Nakajima and M.Hara
• 理化学研究所, 埼玉大学*
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集(2000年春季)：29p-YA-8

26.含氟烷硫醇自组装单分子膜吸附与脱附过程研究

• 铃木章弘1，奥出由利子1，中村史夫2，原正彦12，玉田薰3，福岛均4，T.R.Lee5
• 东京工业大学综合理工学院1，理化学研究所2，物质材料研究机构3，精工爱普生4，休斯顿大学5
• 第47届应用物理学联合会议论文集(2000年春季)：29p-YA-8

27.硅晶圆表面水分及有机物吸附状态解析

• 森本敏弘，上村贤一
• 新日本製铁(株)尖端技术研究所
• 第47届应用物理学相关联合研讨会预稿集(2000年春季)：28p-YH-7

28.低介电常数SOG中官能基的等离子体反应性

• 近藤英一，弓井俊哉，浅野种正，荒尾弘树*，中岛昭*
• 九州工业大学微型化综合技术中心，触媒化成工业株式会社，Fine研究所*
• 第47届应用物理学联合会议论文集(2000年春季)：29a-YA-10

29.钛表面研磨对气体释放特性的影响

• 冈田隆弘，田中彰博，水野善之，本间祯一
• 千叶工业大学，阿尔巴克·菲株式会社*，日本巴尔卡工业株式会社**
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集(2000春)：29a-ZG-1

30.Ta2O5/TiNx/Si(x>1)退火过程中TiN层释放的过量氮

• N.Yasuda*,***，H.C.Lu*，E.Garfunnkel*，T.Gustafsson*，J.P.Chang**，G.Alers**
• 罗格斯大学*，朗讯科技**，东田株式会社休假中***
• 第47届应用物理学联合会议论文集(2000年春季)：29a-ZG-3

31.基于升温脱附法的非晶硅膜中氢含量定量分析

• 稻吉荣，齐藤一也，桥本征典*，浅利伸*
• 日本真空技术株式会社筑波超材料研究所、千叶超材料研究所*
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集(2000年春季)：29p-ZH-1

32. 真空升温条件下a-Ge:H薄膜的氢键状态与膜质评估

• 井関克登，小林信一，青木彪
• 东京工艺大学研究生院·联合尖端技术研究中心
• 第47届应用物理学联合会议论文集(2000年春季)：29p-ZH-6

33.通过辉光放电法制备的a-SiC:H薄膜结构与表面观测（II）

• 本桥光也，曾江久美，本间和明
• 东京电机大学工学部
• 第47届应用物理学联合研讨会预稿集(2000年春季)：29p-ZH-9

34.通过氢终止Si(111)表面选择性氢脱附形成悬空键线阵列

• 井上浩介，坂上弘之，新宫原正三，高萩隆行
• 广岛大学工学部
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集(2000年春季)：30p-YH-11

35.固态核磁共振在硅系化合物状态解析中的应用

• 荒又干夫
• 信越化学群马事业所
• 第26届固态核磁共振·材料研究会(2000.05.08京都平安会馆)

36.基于升温脱附法的HfO₂薄膜烧结工艺及表面状态研究

• 阿达金哉, 西出利一, *宫林延良, *佐野真纪子
• 日本大学工学院, *电子科学系
• 第36届热分析研讨会论文摘要集,90(2000年秋季)

37.CeO₂薄膜升温脱附法表面状态研究

• 西出利一, 常磐聪子, *宫林延良, *佐野真纪子, **佐藤誓
• 日本大学工学部, *电子科学, **日产电弧
• 第36届热测量研讨会论文摘要集,92(2000年秋季)

38.金属氧化物薄膜的TDS表面分析

• 西出利一
• 日本大学工学部
• 第8届TMS研究会预稿集p4(2000.4.28)