本资料基于平下与内山在《分析化学》期刊上的报告「N.Hirashita and T.Uchiyama, BUNSEKI KAGAKU, 43 , 757 (1994)」

通过升温脱附分析装置测得的升温脱附光谱，可实现脱附气体的定量分析。

当测量腔室的排气速率远大于脱附气体引起的腔室压力变化时，脱附气体组分的分压变化与单位时间内的脱附量（脱附速率）成正比。

由于质谱仪中离子电流与分压呈线性关系，最终离子电流与脱离速率亦成正比，故可通过离子电流积分后的面积强度计算总脱离量。
若预先使用注入定量H+的硅样品测定面积强度与脱离量的比例系数，即可通过m/z2的面积强度测定各类样品的氢脱离量。

对于氢以外的分子，可通过氢与目标分子的电离难度、碎裂因子、透射率等参数计算比例系数。 利用该比例系数即可实现非氢分子的定量分析。