2009：论文·期刊·专著

1.含多种组织因子的钢中氢元素存在状态分析——实验研究方法——
（含多种组织因子的钢中氢存在状态解析的实验研究）

• 高井健一*1, 铃木启史*1
• *1上智大学理工学部
• 2009年 第1届 钢铁材料革新性高强度·高功能化基板研究开发项目 研讨会演讲预稿集

2.正电子寿命谱法检测中子辐照镍中的氢

• C.He*1,T.Yoshiie*1,Q.Xu*1,K.Sato*1,S.Peneva*2,T.D.Troev*2
• *1 京都大学研究反应堆研究所 *2 核研究与核能研究所
• 《Philosophia》英文版，第89卷第14期，2009年5月11日，1183-1195页

3.高温高湿条件下利用环保抑制剂抑制Cu氧化物在Cu/低介电常数介质中的形成

• 原 诚, 渡边 大辅, 木村 千春, 青木 秀光, 杉野 隆
• *大阪大学电气电子信息工程系
• Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 04C016 (4页)

4.含质子导体BCY的SOFC阳极反应机理
（添加质子导体BCY的SOFC燃料极反应机制）

• *增田康平、花村克典
• 东京工业大学碳循环与能源研究中心
• 第18届固体氧化物燃料电池研究发表会论文摘要集(159C)

5.采用四乙氧基硅烷源气通过等离子体增强化学气相沉积技术在400℃以下形成高品质SiO₂薄膜

• 上田浩和, 大泽祐介, 田中义信, 野泽俊久
• 东京电子技术开发研究所株式会社
• 日本应用物理学杂志 48(2009)

6.热退火应力松弛对沉积二氧化硅介电性能的改善

• Mitsuru Sometani*1, Ryu Hasunuma*1*2, Masaaki Ogino*3, Hitoshi Kuribayashi*3, Yoshiyuki Sugahara*3, Kikuo Yamabe*1*2
• *1)筑波大学应用物理研究所
• *2)筑波大学跨学科材料科学研究中心(TIMS)
• *3)富士电子器件技术株式会社 电子器件研究所 半导体工艺研发部 半导体工艺研发科
• 日本应用物理学杂志 48(2009)

7.Li1-x(NiaMnbCoc)O2的热稳定性研究
（Ni-Mn-Co三元系正极材料热稳定性探讨）

• 小西宏明, 汤浅丰隆, 吉川正则, 平野辰巳, 寺田尚平, 高松大郊,
• 日立制作所 日立研究所
• 第50届电池研讨会 (2009年11月30日-12月2日)

8.掺杂a-Si:H/c-Si界面复合的本质

• Stefaan De Wolf*1, Michio Kondo*2
• *1)洛桑联邦理工学院(EPFL)光伏与薄膜电子实验室, *2) 产业技术综合研究所（AIST）
• 《应用物理学杂志》105卷，103707页（2009年）

9.碳化PET与碱性碳酸镁混合物制备的多孔碳：孔隙结构与孔隙形成机制

• Jacek Przepiorski*1, Justyna Karolczyk*1, Kazuhiro Takeda*2, Tomoki Tsumura*2, Masahiro Toyoda*2 and Antoni W. Morawski*1
• *1)西波美拉尼亚理工大学化学与环境工程研究所,　*2)大分大学工学部
• Ind. Eng. Chem. Res., 2009, 48 (15), pp 7110-7116

2009：学会摘要

1.低温升温脱附分析装置测得的氢气脱附光谱
（低温升温脱附分析装置测得的氢脱附谱）

• (本科)佐藤勇太*1,(研究生)藤田圭*1,铃木启史*1,高井健一*1,萩原行人*1,石川信行*2
• 钢铁材料革新性高强度·高功能化基础研究开发研究体(JRCM：(财)金属系材料研究开发中心) *1上智大学理工学部　*2JFE钢铁株式会社钢铁研究所
• 2009年　春季钢铁协会学会大会摘要（氢脆化）CAMP-ISIJ Vol.22(2009)-599

2008：论文·期刊·专著

1.直接沉积于硅衬底上的具有超薄等效氧化层厚度和超低漏电流的LaAlO₃栅极绝缘层

• Masamichi Suzuki, Takeshi Yamaguchi, Noburu Fukushima, Masato Koyama
• 东芝公司企业研发中心先进LSI技术实验室
• 《应用物理学杂志》103卷, 034118 (2008); DOI:10.1063/1.2838470 发表于2008年2月15日

2.等离子体刻蚀过程中辐射、自由基及离子对低介电常数多孔SiOCH薄膜的损伤机制

• 内田三郎*1, 高岛诚吾*1, 堀胜*1, 深泽正永*1, 大岛庆二*2, 长畑一典*2, 辰巳哲也*2
• *1名古屋大学工学研究科电气工程与计算机科学系
• 2索尼公司半导体事业部半导体技术开发部工艺技术部
• J. Appl. Phys. 103, 073303 (2008); DOI:10.1063/1.2891787 发表于2008年4月7日

3.金属有机化学气相沉积法制备的HfO₂薄膜热稳定性研究

• 长里义孝, 岩崎义孝, 桥见雅彦, 上野智, 黑岩浩一
• 东京农工大学电气电子工程系
• 日本应用物理学杂志 第47卷 第1期 2008年 31-34页

4.采用低温沉积低氢氮化硅薄膜作为铜扩散屏障的高可靠性铜互连技术

• 村田辰德, 河野一志, 常峰良和, 藤泽正彦, 松浦正澄, 浅井幸雄, 小岛雅之
• 瑞萨科技株式会社 工艺技术开发部
• 《日本应用物理学杂志》第47卷第4期，2008年，第2488-2491页

5.氢与单壁碳纳米管的相互作用

• 吉原久美子、石田和弘、Winadda Wongwiriyapan、井上聪、冈林祐介、本田真一、西本义弘*1、桑原雄二1、大浦健二郎*2、片山光弘
• 大阪大学研究生院工学研究科电气电子信息工程系
• *1大阪大学研究生院工学研究科精密科学技术与应用物理学系 *2大阪大学超高电压电子显微镜研究中心
• 《应用物理快报》1卷(2008) 094001, 2008年5月15日投稿; 2008年7月26日接受; 2008年8月22日在线发表

6. 湿法O₂退火对非晶氧化物薄膜晶体管缺陷钝化与均匀化的影响

• 野村健二*1, 神谷俊夫*1*2, 太田弘道*1, 平野正弘*1*3, 细野秀雄*1*2*3,
• *1)ERATO-SORST, JST, 尖端研究科学中心, 邮政信箱S2-13, 东京工业大学, *2)材料与结构实验室, 邮政信箱R3-1, 东京工业大学, *3)尖端研究科学中心, 邮政信箱S2-13, 东京工业大学,
• APPLIED PHYSICS LETTERS 93, 192107 2008

7.氢脱附效应对ZnO阴极发光的影响

• B.Dierre*1*2, X.L. Yuan*1, T. Ishigaki*3, 上田康弘*4 及 关口哲也*1*2
• *1)国立材料科学研究所 先进电子材料中心, *2)筑波大学 纯粹与应用科学研究生院, *3)国立材料科学研究所 纳米陶瓷中心, *4) 丰田技术研究所工程学研究生院纳米高科技研究中心
• 超晶格与微结构，第45卷，第4-5期，第321-325页(2008)

8.利用动态二次离子质谱分析检测喷墨墨水组分局域化的方法

• Masaya Shibatani*1*2, Tsutomu Asakawa*3, Toshiharu Enomae*1, Akira Isogai*1
• *1)Paper Science Laboratory,Graduate School of Agricultural and Life Sciences,The University of Tokyo, *2)IJ Industrial Applications R&D Department,Production Engineering &Development Div.,Seiko Epson Corporation,
• *3)Material Analysis &Research Center,R&D Department,Seiko Epson Corporation,Japan
• Colloids and Surfaces A:Physicochem.Eng.Aspects 326 (2008)61 ‐66

9.In-Line Wafer Level Hermetic Packages for MEMS Variable Capacitor

• Susumu Obata*1, Michinobu Inoue*1, Takeshi Miyagi*1, Ikuo Mori*1,Yoshiaki
• Sugizaki*2,Yoshiaki Shimooka*2, Akihiro Kojima*2, Mitsuyoshi Endo*2, Hideki Shibata*2
• *1)Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation.
• *2) Center for Semiconductor Research and Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
• 2008 Electronic Components and Technology Conference (P.163)

2008：学会摘要

1.低温升温脱附分析装置测得的氢脱附光谱
（低温升温脱离分析装置测得的氢释放谱）

• 佐藤勇太*1, 藤田圭*1, 铃木启史*1, 高井健一*1, 萩原行人*1, 前岛邦光*2, 宫林延良*2
• 钢铁材料革新性高强度·高功能化基础研究开发研究体(JRCM：(财)金属系材料研究开发中心)
• *1上智大学理工学部　*2电子科学株式会社
• 2008年　秋季钢铁协会学会大会摘要（氢脆化）CAMP-ISIJ Vol.21(2008)-1375

2.采用低温升温脱附分析法测定含多种晶格缺陷的纯铁氢释放谱谱图
（低温升温脱附分析法测定含多种晶格缺陷的纯铁氢释放谱谱图）

• 藤田圭*1, 佐藤勇太*1, 铃木启史*1, 高井健一*1, 萩原行人*1,
• 钢铁材料革新性高强度·高性能化基础研究开发研究体(JRCM：(财)金属系材料研究开发中心) 
• *1上智大学理工学部
• 2008年　秋季钢铁协会学会大会摘要（氢脆化）CAMP-ISIJ Vol.21(2008)-1376

3.异质结c-Si太阳能电池钝化机制解析

• Michio Kondo*1, Stefaan De Wolf*1*2, and Hiroyuki Fujiwara*1
• *1)RCPV, AIST, Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan, *2)Institute of Microtechnique, University of Neuchatel
• 材料研究学会会议论文集 Vol.1066, 2008 Materials Research Society, 1066-A03-01

2007：论文·期刊·专著

1.电子束辐照下自旋涂覆玻璃的内部结构转变

• 荒木 诚*1, 谷口 淳*2, 澤田 信夫*3, 内海 隆之*1, 宫本 岩男*2
• *1 东京理科大学 电子与计算机科学系, *2 东京理科大学 应用电子系, *3 ESCO有限公司
• 应用表面科学,253,5191-5195(2007)

2.钛材料特性分析及其体内延迟断裂行为

• 浅冈宪三
• 德岛大学研究生院健康生物科学研究科生物材料工程学领域
• 牙科材料与器械, 26,334(2007)

3.射频磁控溅射沉积氧化锌薄膜中热退火对微观结构的影响

• 平松孝弘*1*3、古田守*2*3、古田弘*2*3、松田时义*2*3、平尾孝志*2*3
• *1 高知卡西欧株式会社， 高知县南国市783-0062 *2 高知工科大学研究所，高知县上土佐町782-8502 *3 高知县产业振兴中心，高知县上土佐町782-8502
• 《日本应用物理学杂志》第46卷第6A期，2007年， 第3319-3323页

4.钡锶钛酸盐薄膜中点缺陷的扩散特性

• 森藤 健*1, 铃木 拓也*1, 岸 宏, 坂口 郁夫*2, 大桥 直树*2*3, 羽田 浩*2*3
• *1)太阳诱电株式会社,*2)国立材料科学研究所,*3)九州大学电子材料应用科学系
• IEEE超声铁电学与频率控制汇刊. 2007年12月;54(12):2567-73.

5.通过一步Ar/O₂射频热等离子体雾化TiCl₃溶液制备氯化纳米晶TiO₂粉末：相结构与光催化性能

• 李继光, 池田雅史, 唐成春, 森吉祐介, 滨中弘美, 石垣孝昌
• *1)国立材料科学研究所纳米陶瓷中心, *2)法政大学材料科学系, *3)国立材料科学研究所纳米尺度材料中心
• J. Phys. Chem. C, 2007, 111 (49), pp 18018-18024

6.电子束照射下自旋涂覆玻璃的内部结构转变

• 荒木 诚*1, 谷口 淳*2, 澤田 信夫*3, 内海 隆之*1, 宫本 岩男*2
• *1)东京科学大学电子与计算机科学系, *2)东京科学大学应用电子系, *3)ESCO有限公司
• 《应用表面科学》, 253(12), pp.5191-5195(2007)

7.金属诱导非晶硅氢扩散

• Hiromasa Ohmi*1, Kiyoshi Yasutake*1, Yoshinori Hamaoka*2, and Hiroaki Kakiuchi*2
• *1)大阪大学研究生院工学研究科精密科学技术系及超精密科学技术研究中心 *2)大阪大学研究生院工学研究科精密科学技术系
• Appl. Phys. Lett. 91, 241901 (2007)

2007：学会摘要

 

1.升温脱附法解析中强度铝合金中的氢含量
（Assessment of the hydrogen in some medium-strength aluminum alloys）

• 伊藤吾朗(G.Itoh)*1, 铃木智弥(T.Suzuki)*1, 泉孝裕(T.Izumi)*1, 伊藤伸英(N.Itoh)*1, 崔祺(Q.Cui)*2, 堀川修平(S.Horikawa)*3, 井波隆夫(T.Inami)*4
• *1茨城大学(Ibaraki University), *2三菱铝业株式会社(Mitsubishi Aluminum Company, Ltd.), *3电子科学株式会社(ESCO,Ltd.), *4(社)日本铝业协会(Japan Aluminium Association)
• (社)轻金属学会主办 第112届春季演讲大会(The 112th Conference of Japan Institute of Light Metals by The Japan Institute of Light Metals)

2. 升温脱附法研究纯铝中氢的捕获状态
（Thermal desorption spectroscopy study on the hydrogen trapping states in a pure aluminum.）

• 伊藤吾朗(G.Itoh)*1, 泉孝裕(T.Izumi)*1, 堀川修平(S.Horikawa)*2
• *1茨城大学(Ibaraki University), *2电子科学(株)(ESCO,Ltd.)
• (社)轻金属学会主办 第113届秋季演讲大会(The 113th Conference of Japan Institute of Light Metals by The Japan Institute of Light Metals)

3.氮化物衬底膜氢渗透性对分立栅极型闪存EEPROM编程/擦除耐久性的影响

• 刘子源*1, 藤枝慎二*2, 林文彦*3, 清水正邦*3, 中田雅史*3, 石垣弘和*3, Markus Wilde*4, 福田克之*4
• *1日本电气电子公司测试分析工程部, *2日本电气公司系统设备研究所, *3日本电气电子公司第二微计算机事业部, *4东京大学工业科学研究所
• 2007 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM:3A.6_190-196

4.6061铝合金中塑性加工对氢态分布的影响
（Effect of plastic deformation on the states of hydrogen in a 6061 alminum alloy）

• 伊藤吾朗(G.Itoh)*1, 铃木智弥(T.Suzuki)*1, 泉孝裕(T.Izumi)*1, 伊藤伸英(N.Itoh)*1, 薮田均(H.Yabuta)*2
• *1茨城大学, *2 (社)日本铝业协会
• (社)轻金属学会主办 第113届秋季演讲大会

5.中性束技术实现的低介电常数薄膜无损蚀刻工艺

• 寒川诚二(Seiji Samukawa)*1, 阵内佛霖(Butsurin Jinnai)*1
• *1东北大学　流体科学研究所
• 材料研究学会2007春季会议

6.电化学充电铝的氢降解特性

• 铃木弘、小林大辅、高井健一、萩原幸人
• 上智大学　理工学部功能创造理工学科

• 材料研究学会2007秋季会议

2006：论文·期刊·专著

1.利用催化性Ni薄膜通过氢脱附实现AlGaN的P型激活

• T.Naono*1，H.Fujioka*2，J.Okabayashi*3，M.Oshima*3，H.miki*4
• *1)东京大学应用化学系，*2)东京大学工业科学研究所与神奈川科学技术学院，*3)东京大学应用化学系，*4)昭和电工株式会社
• 应用物理快报,88(15),152114(2006)

2.钢材中氢元素热脱附分析建模

• M.榎本*1, D.平上*2, T.樽井*2
• *1 茨城大学材料科学工程系，日本常陆市316-8511 *2 新日铁住金株式会社Stell研究所，日本千叶市293-8511
• 《ISIJ国际版》第46卷(2006年)，第9期，第1381-1387页

3.偶氮苯自组装单分子层的阶梯式分解过程

• M. Onoue*1, M.R. Han*1, E. Ito*1 和 M. Hara*1*2
• *1)理化学研究所前沿研究系统时空局部函数实验室, *2)东京工业大学理工学系
• Surface Science, 600(18), pp.3999-4003(2006)

4.尿素配位三氯化钛TiIII[OC(NH)₂]₆Cl₃：可生成高可见光响应性TiO₂纳米晶体的单分子前驱体

• 李继光、杨晓静、石垣孝昌
• *1) 日本国立材料科学研究所纳米陶瓷中心, *2)日本国立材料科学研究所先进材料实验室, *3)北京师范大学化学学院 S-46号信箱
• J. Phys. Chem. B, 2006, 110 (30), pp 14611-14618

5.热脱附诱导化学法生长ZnO的紫外发光增强与图案化效应

• 谢荣国*1*2, 李东升*1, 杨德仁*1*4, 关口孝志*2, 江明华*1*3
• *1)浙江大学硅材料国家重点实验室，中国杭州 310027；*2)日本筑波大学国家材料科学研究所纳米材料实验室，日本筑波 305-0047；*3)山东大学晶体材料国家重点实验室，中国济南 250100； 中国济南250100，*4)通讯作者
• 《纳米技术》17(2006)2789-2793

6.反向热喷雾技术沉积的氟掺杂SnO2薄膜的程序升温脱附研究

• S. Aukkaravittayapun*1, C. Thanachayanont*1, T. Theapsiri*2, W. Veerasai*2, Y. Sawada*3, T. Kondo*3, S. Tokiwa*4 and T. Nishide*4
• *1)国立金属与材料技术中心（MTEC），*2)玛希隆大学理学院化学系，*3)东京工业大学研究生院工业化学系，*4)日本大学学院材料化学与工程系
• 《热分析与量热学杂志》第85卷（2006）第3期，811-815页

7.原子氮自由基法合成纯氮化锗及其在锗金属-绝缘体-半导体结构中的应用

• 前田达郎*1, 安田哲司*1, 西泽雅康*1, 宮田纪之*1, 森田幸典*1, 高木真一*1*2
• *1)未来项目, ASRC-AIST, *2)东京大学
• 《应用物理学杂志》100卷, 014101 (2006)

8.溶液加工硅薄膜与晶体管

• Tatsuya Shimoda*1, Yasuo Matsuki*2, Masahiro Furusawa*1, Takashi Aoki*1, Ichio Yudasaka*1, Hideki Tanaka*1, Haruo Iwasawa*2, Daohai Wang*2, Masami Miyasaka*1, Yasumasa Takeuchi*2
• *1)Technology Platform Research Center, Seiko Epson Corporation, *2)Fine Electronic Research Laboratories, JSR Corporation
• Nature LETTERS, Vol.440, 6 April 2006, doi;10.1038/nature04613

2006：学会摘要

1.纯钛中固溶氢与氢化物的状态分离及脆化·恢复行为

• 桐原望，山田紘树，铃木启史，高井健一，萩原行人
• 上智大学理工学部功能创造理工学科
• 第138届日本金属学会演讲摘要(2006春)：J1

2.噻吩硫醇在Au(111)表面自组装单分子膜的吸附状态

• 伊藤英辅*1，Jaegeun Noh*2，原　正彦*1,*3
• *1 理化学研究所时空物理学研究部，*2 韩阳大学化学系，*3 东京工业大学综合理工学院
• 第53届应用物理学联合研讨会(2006年春季)：24p-N-8

3.水分对氮化硼碳(BCN)薄膜特性的影响

• 志摩秀和，木村千春，青木秀充，杉野隆
• 大阪大学研究生院工学研究科
• 第53届应用物理学联合研讨会(2006年春季)：24a-Q-9

4.表面氧化膜对钛材料降解的影响

• 浅冈宪三*1，前岛邦光*2
• *1 德岛大学研究生院健康生物科学研究部，*2电子科学株式会社
• THERMEC'2006 先进材料加工与制造国际会议：专题E5：钛合金与航空航天结构金属材料

5.异质结c-Si太阳能电池中堆叠掺杂PECVD a-Si:H层的表面钝化特性

• Stefaan De Wolf Michio Kondo
• 日本产业技术综合研究所光伏研究中心
• 第四届光伏能源转换世界大会，第1469-1472页(2006)

2005：论文·期刊·专著

1.氧气气氛下水合磷灰石的烧结

• 石川刚
• 宾得株式会社 新陶瓷事业部 开发部
• 日本陶瓷学会会刊, 113,788(2005)

2.基于升温脱附分析的氧化膜对钛侵蚀作用的评估

• 浅冈宪三*1, 前岛邦光*2
• *1 德岛大学研究生院健康生物科学研究科生物材料工程学专业, *2 电子科学株式会社
• 牙科材料与器械, 24,439(2005)

3.含乙烯基的低介电常数多孔二氧化硅薄膜中孔隙形成剂脱附的温度依赖性

• 内田康孝, 丸山良之, 加藤智弘, 伊藤良人, 石田浩一
• 帝京科学技术大学理工学部媒体科学系
• 日本应用物理学杂志, 44,2316(2005)

4.含乙烯基多孔硅胶膜的孔隙评估

• 内田恭敬*1, 大平俊行*2, 铃木良一*2, 丸山喜之*1, 加藤智博*1, 石田宏一*1
• *1 帝京科学大学理工学部, *2 产业技术综合研究所测量前沿研究部门
• 电气电子工程师学会技术报告 TECHNICAL REPORT OF IEICE.SDM2004-238.17(2007)

5.非晶态SiO₂中的间隙氧分子. I. 基于热脱附、红外光致发光及真空紫外光吸收的定量浓度分析

• 梶原浩一*1, 平野正弘*1, 浦本元子*2, 森本幸弘*2, 林纳兹·斯库亚*3, 细野英夫*4
• *1 东京工业大学, *2潮汐株式会社研发中心, *3拉脱维亚大学固体物理研究所, *4材料与结构实验室及前沿协同研究中心
• 《应用物理学杂志》98卷，013527页（2005）；DOI:10.1063/1.1943504 发表于2005年7月11日

2005：学会摘要

1.基于TDS技术解析SOG电子束曝光机制

• 荒木真*1，谷口淳*2，宫本岩男*2，泽田信雄*3
• *1 东京理科大学 基础工学研究科 电子应用工学专业, *2 东京理科大学 基础工学部 电子应用工学科, *3 电子科学株式会社
• 2005年度精密工学会春季大会

2.钛氧化膜与氢气的升温脱附行为

• 浅冈宪三*1, 前岛邦光*2
• *1 德岛大学·生物材料, *2 电子科学(株)
• 第27届 日本生物材料学会大会(2005)：B-405

3.含偶氮苯基二硫醇分子自组装单分子层的TDS与XPS热稳定性评估

• 尾上美纪*1，韩敏*1，伊藤英辅*1，原正彦*1,*2
• *1 理研时空功能研究所，*2 东京工业大学综合理工学院
• 第52届应用物理学联合研讨会(2005)：29p-YB-9

4.钛金属侵蚀与氧化膜的作用机制

• 浅冈宪三*1, 前岛邦光*2, 濑崎英孝*3
• *1 德岛大学·生物材料系, *2 电子科学株式会社, *3 德岛大学工学部机械工程系
• 第45届 日本齿科理工学会学术研讨会(2005)：A-13
• 发表于《齿科材料·器械》24(2),79(2005)

5.含乙烯基多孔硅胶膜的空隙评估

• 内田恭敬*1, 大平俊行*2, 铃木良一*2, 丸山喜之*1, 加藤智博*1, 石田宏一*1
• *1 帝京科学大学理工学部, *2 产业技术综合研究所测量前沿研究部门
• 应用物理学会硅技术分会摘要集,16(2005)

6.金锡焊膏在精密零件与器件中的应用

• 石川雅之, 佐佐木隼人, *小川聪子, 小日向正义, 三岛昭文, 吉田英昭
• 三菱材料株式会社 三田工厂 先进产品战略公司 开发部
• 2005年电子元件与技术大会, 701