광 여기 탈리는 세 가지 과정(①광 여기, ②결합 절단, ③탈리)을 거쳐 발생합니다.

①광 여기
σ궤도(결합성 궤도)에 있는 전자는 σ궤도-σ*궤도의 에너지 차이에 해당하는 파장의 빛을 흡수하면 σ*궤도(반결합성 궤도)로 여기됩니다.
광속 밀도가 높은 진공 자외선을 사용함으로써, 광로 길이가 짧은 박막 시료에서도 효율적으로 시료를 여기합니다.

②결합 절단 σ궤도와 σ*궤도에 각각 하나의 전자가 들어간 경우, 그 결합 에너지는 양 궤도 준위를 더한 값이 됩니다. 결합 에너지가 음일 때, σ결합에 개열이 일어납니다. ③ 이탈
σ 결합의 개열에 의해 다양한 단편이 생성됩니다. 일부 분자는 표면에서 재결합이 일어납니다. 생성된 단편이 시료 내에 구속되지 않은 경우에는 이탈이 일어납니다.
다음으로, 이를 포텐셜 곡선(그림 1)으로 설명합니다.

　그림 1　포텐셜 곡선

2개의 전자가 결합성 궤도에 있는 상태(그림 1 녹색 포텐셜 곡선)에서는 각 진동 준위에 볼츠만 분포합니다.
이 결합에 전자 전이를 일으키는 파장의 진공 자외선이 닿으면, 결합성 궤도와 반결합성 궤에 각각 1개씩 전자가 있는 상태(그림 1 빨간색 포텐셜 곡선)가 됩니다.
0 이상의 포텐셜 에너지에 있는 분자는 결합이 개열을 일으킵니다.


　그림 2. 진공 자외선에 의한 절단

한편, 다중 결합이나 단편이 결합되어 있는 경우, 결합이 완전히 절단되지 않거나 절단되어도 이탈되지 않을 수 있습니다.


　그림3　절단되지만 이탈이 성립되지 않는 경우①


　그림4 절단되지만 이탈이 성립되지 않는 경우②