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2005〜2009

2009:논문·잡지·책

1.Existing states of hydrogen in steels including various structural factors - experimental approach -
(각종 조직 인자를 포함한 강중수소의 존재 상태 분석에 관한 실험적 연구)

  • 타카이 켄이치*1, 스즈키 케이시*1
  • *1 소피아대학교 이공학부
  • 2009년 제1회 철강 재료의 혁신적 고강도·고기능화 기판 연구개발 프로젝트 심포지엄 발표 초록집

2.Detection of hydrogen in neutron-irradiated nickel using positron lifetime spectroscopy

  • C.He*1,T.Yoshiie*1,Q.Xu*1,K.Sato*1,S.Peneva*2,T.D.Troev*2
  • *1 Research Reactor Institute,Kyoto University *2 Institute for Nuclear Research and Nuclear Energy
  • Philosophia Magazine(Eng.), Vol89, No.14, 11 May 2009, 1183-1195

3.Suppression of Cu Oxidation Using Environmentally Friendly Inhibitors under Conditions of High Temperature and High Humidity for Cu/Low-k

  • Makoto Hara, Daisuke Watanabe, Chiharu Kimura, Hidemitsu Aoki, and Takashi Sugino
  • *Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University
  • Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 04C016 (4 pages)

4.Reaction Mechanism of SOFC Anode with Proton Conductor BCY
(양성자 전도체 BCY 첨가 SOFC 연료 전극의 반응 메커니즘)

  • *Kohei Masuda, Katsunori Hanamura
  • Research Center for Carbon Recycling and Energy, Tokyo Institute of Technology
  • 제18회 SOFC 연구 발표회 강연 요지집(159C)

5.High-Quality SiO2 Film Formation below 400℃ by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Tetraethoxysilane Source Gas

  • Hirokazu Ueda, Yusuke Ohsawa, Yoshinobu Tanaka, Toshihisa Nozawa
  • Tokyo Electron Technology Development Lnstitute Inc.
  • Japanese Journal of Applied Physics 48(2009)

6.Improvement of Dielectric Properties on Deposited Sio2 Caused by Stress Relaxation with Thermal Annealing

  • Mitsuru Sometani*1, Ryu Hasunuma*1*2, Masaaki Ogino*3, Hitoshi Kuribayashi*3, Yoshiyuki Sugahara*3, Kikuo Yamabe*1*2
  • *1)Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
  • *2)Tsukuba Research Center for Interdisciplinay Materials Science(TIMS), University of Tsukuba
  • *3)Semiconductor Process R&D Sectioin, Semiconductor Process R&D Department, Electron Device Laboratory, Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.,
  • Japanese Journal of Applied Physics 48(2009)

7.Study on thermal stability of Li1-x(NiaMnbCoc)O2
(Ni-Mn-Co 삼원계 양극 재료의 열안정성 검토)

  • 코니시 히로아키, 유아사 도요타카, 요시카와 마사노리, 히라노 타츠미, 테라다 쇼헤이, 타카마츠 다이코,
  • 히타치 제작소 히타치 연구소
  • 제50회 배터리 토론회 (2009년 11월 30일~12월 2일)

8.Nature of doped a-Si: H/ c-Si interface recombination

  • Stefaan De Wolf*1, Michio Kondo*2
  • *1)Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, *2)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
  • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 105, 103707 (2009)

9.Porous Carbon Obtained by Carbonization of PET Mixed with Basic Magnesium Carbonate: Pore Structure and Pore Creation Mechanism

  • Jacek Przepiorski*1, Justyna Karolczyk*1, Kazuhiro Takeda*2, Tomoki Tsumura*2, Masahiro Toyoda*2 and Antoni W. Morawski*1
  • *1)Institute of Chemical and Environmental Engineering, West Pomeranian University of Technology, *2)Faculty of Engineering, Oita University
  • Ind. Eng. Chem. Res., 2009, 48 (15), pp 7110-7116

2009:학회 초록

1.Hydrogen Desorption Spectra using Thermal Desorption Spectrometer Detected from Low-Temperature
(저온 승온 탈리 분석 장치를 이용한 수소 방출 스펙트럼)

  • (학)사토 유타*1,(원)후지타 케이*1,스즈키 케이시*1,타카이 켄이치*1,하기와라 유키토*1,이시카와 노부유키*2
  • 철강 재료의 혁신적 고강도·고기능화 기반 연구개발 연구체(JRCM: (재)금속계 재료 연구개발 센터) *1 소피아대학교 이공학부 *2 JFE 스틸 주식회사 스틸 연구소
  • 2009년 춘계 철강협회 학회대회 요지 (수소 취성) CAMP-ISIJ Vol.22(2009)-599

2008:논문·잡지·책

1.LaAlO3 gate dielectric with ultrathin equivalent oxide thickness and ultralow leakage current directly deposited on Si substrate

  • Masamichi Suzuki, Takeshi Yamaguchi, Noburu Fukushima, Masato Koyama
  • Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
  • J. Appl. Phys. 103, 034118 (2008); DOI:10.1063/1.2838470 Published 15 February 2008

2.Plasma damage mechanisms for low-k porous SiOCH films due to radiation, radicals, and ions in the plasma etching process

  • Saburo Uchida*1, Seigo Takashima*1, Masaru Hori*1, Masanaga Fukasawa*1, Keiji Ohshima*2, Kazunori Nagahata*2, Tetsuya Tatsumi*2
  • *1Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University,
  • 2Process Technology Department, Semiconductor Technology Development Division, Semiconductor Business Group, Sony Corporation
  • J. Appl. Phys. 103, 073303 (2008); DOI:10.1063/1.2891787 Published 7 April 2008

3.Thermal Stability of HfO2 Films Fabricated by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

  • Yoshitaka Nagasato, Yoshitaka Iwazaki, Masahiko Hasumi, Tomo Ueno, Koichi Kuroiwa
  • Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology
  • Japanese Journal of Applied Physics Vol. 47, No. 1, 2008, pp. 31-34

4.Highly Reliable Cu Interconnect Using Low-Hydrogen Silicon Nitride Film Deposited at Low Temperature as Cu-Diffusion Barrier

  • Tatsunori Murata, Kazushi Kono, Yoshikazu Tsunemine, Masahiko Fujisawa, Masazumi Matuura, Koyu Asai, Masayuki Kojima
  • Process Technology Development Division, Renesas Technology Corporation
  • Japanese Journal of Applied Physics Vol. 47, No. 4, 2008, pp. 2488-2491

5.Hydrogen Interaction with Single-Walled Carbon Nanotubes

  • Kumiko Yoshihara, Kazuhiro Ishida, Winadda Wongwiriyapan, Satoshi Inoue, Yusuke Okabayashi,Shin-ichi Honda, Yoshihiro Nishimoto*1, Yuji Kuwahara1, Kenjiro Oura*2, and Mitsuhiro Katayama
  • Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University,
  • *1Division of Precision Science and Technology and Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University, *2Research Center for Ultrahigh Voltage Electron Microscopy, Osaka University,
  • Applied Physics Express 1 (2008) 094001, May 15, 2008; accepted July 26, 2008; published online August 22, 2008

6.Defect passivation and homogenization of amorphous oxide thin-film transistor by wet O2 annealing

  • Kenji Nomura*1, Toshio Kamiya*1*2, Hiromichi Ohta*1, Masahiro Hirano*1*3, Hideo Hosono*1*2*3,
  • *1)ERATO-SORST, JST, in Frontier Research Center, Mail Box S2-13, Tokyo Institute of Technology, *2)Materials and Structures Laboratory, Mail Box R3-1, Tokyo Institute of Technology, *3)Frontier Research Center, Mail Box S2-13, Tokyo Institute of Technology,
  • APPLIED PHYSICS LETTERS 93, 192107 2008

7.Hydrogen desorption effect on cathodoluminescence of ZnO

  • B.Dierre*1*2, X.L. Yuan*1, T. Ishigaki*3, K. Ueda*4 and T. Sekiguchi*1*2
  • *1)Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science (NIMS), *2)Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, *3)Nano Ceramics Center, National Institute for Materials Science (NIMS), *4)Nano High-Tech Research Center, Graduate School of Engineering, Toyota Technological Institute
  • Superlattices and Microstructures, Volume 45, Issue 4-5, p. 321-325(2008)

8.Approach for detecting localization of inkjet ink components using dynamic-SIMS analysis

  • Masaya Shibatani*1*2, Tsutomu Asakawa*3, Toshiharu Enomae*1, Akira Isogai*1
  • *1)Paper Science Laboratory,Graduate School of Agricultural and Life Sciences,The University of Tokyo, *2)IJ Industrial Applications R&D Department,Production Engineering &Development Div.,Seiko Epson Corporation,
  • *3)Material Analysis &Research Center,R&D Department,Seiko Epson Corporation,Japan
  • Colloids and Surfaces A:Physicochem.Eng.Aspects 326 (2008)61 ‐66

9.In-Line Wafer Level Hermetic Packages for MEMS Variable Capacitor

  • Susumu Obata*1, Michinobu Inoue*1, Takeshi Miyagi*1, Ikuo Mori*1,Yoshiaki
  • Sugizaki*2,Yoshiaki Shimooka*2, Akihiro Kojima*2, Mitsuyoshi Endo*2, Hideki Shibata*2
  • *1)Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation.
  • *2) Center for Semiconductor Research and Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
  • 2008 Electronic Components and Technology Conference (P.163)

2008:학회 초록

1.Hydrogen Desorption Spectra using Thermal Desorption Spectrometer Detected from Low-Temperature
(저온 승온 탈리 분석 장치를 이용한 수소 방출 스펙트럼)

  • 사토 유타*1, 후지타 케이*1, 스즈키 케이시*1, 타카이 켄이치*1, 하기와라 유키토*1, 마에지마 쿠니미츠*2, 미야바야시 노부요시*2
  • 철강 재료의 혁신적 고강도·고기능화 기반 연구 개발 연구체(JRCM: (재)금속계 재료 연구 개발 센터)
  • *1 소피아대학교 이공학부 *2 전자과학 주식회사
  • 2008년 가을 철강협회 학회대회 요지 (수소 취성) CAMP-ISIJ Vol.21(2008)-1375

2.저온 승온 탈리 분석법에 의한 각종 격자 결함을 가진 순철의 수소 방출 스펙트럼
(Hydrogen evolution spectra of pure iron including various lattice defects using low-thermal desorption spectrometry)

  • 후지타 케이*1, 사토 유타*1, 스즈키 케이시*1, 타카이 켄이치*1, 하기와라 유키토*1,
  • 철강 재료의 혁신적 고강도·고기능화 기반 연구 개발 연구체(JRCM: (재)금속계 재료 연구 개발 센터) 
  • *1 소피아대학 이공학부
  • 2008년 가을 철강협회 학회 대회 요지 (수소 취성화) CAMP-ISIJ Vol.21(2008)-1376

3. 이종접합 c-Si 태양전지의 패시베이션 메커니즘 이해

  • Michio Kondo*1, Stefaan De Wolf*1*2, and Hiroyuki Fujiwara*1
  • *1)RCPV, AIST, Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan, *2)Institute of Microtechnique, University of Neuchatel
  • Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.1066, 2008 Materials Research Society, 1066-A03-01

2007: 논문·잡지·책

1. 전자빔 조사에 의한 스핀온 글라스의 내부 구조 전이

  • Makoto Araki*1, Jun Taniguchi*2, Nobuo Sawada*3, Takayuki Utsumi*1, Iwao Miyamoto*2
  • *1 전자공학과, 도쿄과학대학, *2 응용전자학과, 도쿄과학대학, *3 ESCO Ltd.
  • Applied Surface Science,253,5191-5195(2007)

2. 티타늄의 특성 분석 및 생체 내에서의 지연 파괴

  • 아사오카 겐조
  • 도쿠시마 대학 대학원 헬스 바이오 사이언스 연구부 생체 재료 공학 분야
  • 치과 재료・기기, 26,334(2007)

3.Influence of Thermal Annealing on Microstructures of Zinc Oxide Films Deposited by RF Magnetron Sputtering

  • Takahiro HIRAMATSU*1*3, Mamoru FURUTA*2*3, Hiroshi FURUTA*2*3,Tokiyoshi MATSUDA*2*3, and Takashi HIRAO*2*3
  • *1 Kochi Casio Co., Ltd., Nankoku, Kochi 783-0062, Japan *2 Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan *3 Kochi Industrial Promotion Center, Kami, Kochi 782-8502, Japan
  • Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 6A, 2007, pp. 3319?3323

4.Diffusion properties of point defects in barium strontium titanate thin films.

  • Morito K*1, Suzuki T*1, Kishi H, Sakaguchi I*2, Ohashi N*2*3, Haneda H*2*3
  • *1)Taiyo Yuden Company Ltd.,*2)Nat. Inst. for Mater. Sci.,*3)Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyusyu University
  • IEEE Trans Ultrason Ferroelectrorics Freq Control. 2007 Dec;54(12):2567-73.

5.Chlorinated Nanocrystalline TiO2 Powders via One-Step Ar/O2 Radio Frequency Thermal Plasma Oxidizing Mists of TiCl3 Solution: Phase Structure and Photocatalytic Performance

  • Ji-Guang Li, Masashi Ikeda, Chengchun Tang, Yusuke Moriyoshi, Hiromi Hamanaka, and Takamasa Ishigaki
  • *1)Nano Ceramics Center, National Institute for Materials Science, *2)Department of Materials Science, Hosei University, *3)Nanoscale Materials Center, National Institute for Materials Science
  • J. Phys. Chem. C, 2007, 111 (49), pp 18018-18024

6.Internal structure transition of spin-on glass by electron beam irradiation.

  • Makoto Araki*1, Jun Taniguchi*2, Nobuo Sawada*3, Takayuki Utsumi*1 and Iwao Miyamoto*2
  • *1)Department of Electronics and Computer Science, Tokyo University of Science, *2)Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, *3)ESCO Ltd.
  • Applied Surface Science, 253(12), pp.5191-5195(2007)

7.Metal induced hydrogen effusion from amorphous silicon

  • Hiromasa Ohmi*1, Kiyoshi Yasutake*1, Yoshinori Hamaoka*2, and Hiroaki Kakiuchi*2
  • *1)Department of Precision Science and Technology and Research Center for Ultra Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University *2)Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
  • Appl. Phys. Lett. 91, 241901 (2007)

2007:학회 초록

 

1.온도 상승 탈리법을 이용한 중강도 알루미늄 합금 내 수소 분석
(Assessment of the hydrogen in some medium-strength aluminum alloys)

  • 이토 고로(G.Itoh)*1, 스즈키 토모야(T.Suzuki)*1, 이즈미 다카히로(T.Izumi)*1, 이토 노부히데(N.Itoh)*1, 최 기(Q.Cui)*2, 호리카와 슈헤이(S.Horikawa)*3, 이나미 다카오(T.Inami)*4
  • *1 이바라키 대학(Ibaraki University), *2 미쓰비시 알루미늄(주)(Mitsubishi Aluminum Company, Ltd.), *3 전자과학(주)(ESCO, Ltd.), *4 (사)일본 알루미늄 협회(Japan Aluminium Association)
  • (사)경금속학회 주최 제112회 춘계 강연 대회(The 112th Conference of Japan Institute of Light Metals by The Japan Institute of Light Metals)

2. 승온 탈리법을 이용한 순수 알루미늄 내 수소의 트랩 상태 조사
(Thermal desorption spectroscopy study on the hydrogen trapping states in a pure aluminum.)

  • 이토 고로(G.Itoh)*1, 이즈미 다카히로(T.Izumi)*1, 호리카와 슈헤이(S.Horikawa)*2
  • *1이바라키 대학(Ibaraki University), *2전자과학(주)(ESCO,Ltd.)
  • (사)경금속학회 주최 제113회 가을 학술대회(The 113th Conference of Japan Institute of Light Metals by The Japan Institute of Light Metals)

3. 스플릿 게이트형 플래시 EEPROM의 프로그램/지우기 내구성에 대한 라이너 질화막 수소 투과성의 영향

  • Ziyuan Liu*1, Shinji Fujieda*2, Fumihiko Hayashi*3, Masakuni Shimizu*3, Masashi Nakata*3, Hirokazu Ishigaki*3, Markus Wilde*4, Katsuyuki Fukutan*4
  • *1테스트 및 분석 엔지니어링 부문, NEC Electronics Corporation, *2 시스템 디바이스 연구소, NEC Corporation, *3 2차 마이크로컴퓨터 부문, NEC Electronics Corporation, *4도쿄 대학 산업 과학 연구소
  • 2007 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM:3A.6_190-196

4.6061 알루미늄 합금에서 수소 존재 상태에 미치는 소성 가공의 영향
(Effect of plastic deformation on the states of hydrogen in a 6061 alminum alloy)

  • 이토 고로(G.Itoh)*1, 스즈키 토모야(T.Suzuki)*1, 이즈미 다카히로(T.Izumi)*1, 이토 노부히데(N.Itoh)*1, 야부타 히토시(H.Yabuta)*2
  • *1 이바라키 대학(Ibaraki University), *2 (사)일본 알루미늄 협회(Japan Aluminium Association)
  • (사)경금속학회 주최 제113회 가을 학술대회(The 113th Conference of Japan Institute of Light Metals by The Japan Institute of Light Metals)

5. 중성빔을 이용한 저유전율(Low-k) 필름의 무손상 에칭 공정

  • 사무카와 세이지(Seiji Samukawa)*1, 진나이 부츠린(Butsurin Jinnai)*1
  • *1도호쿠대학 유체과학연구소
  • Materials Research Society 2007 SPRING MEETING

6.전기화학적 충전 알루미늄의 수소 열화 특성

  • Hiroshi Suzuki, Daisuke Kobayashi, Kenichi Takai and Yukito Hagihara
  • 소피아대학교 이공학부 기능창조이공학과
  • Materials Research Society 2007 FALL MEETING

2006:논문·잡지·책

1.P-type activation of AlGaN by hydrogen desorption using catalytic Ni films

  • T.Naono*1,H.Fujioka*2,J.Okabayashi*3,M.Oshima*3,H.miki*4
  • *1)Department of Applied Chemistry,The University of Tokyo, *2)Institute of Industrial Science,The University of Tokyo and Kanagawa Academy of Science and Technology, *3)Department of Applied Chemistry,The University of Tokyo, *4)Showa Denko KK
  • APPLIED PHYSICS LETTERS,88(15),152114(2006)

2.Modeling Thermal Desorption Analysis of Hydrogen in Steel

  • M.Enomoto*1, D.Hirakami*2, T.Tarui*2
  • *1 Department of Materials Science and Engineering, Ibaraki University, Hitachi 316-8511 Japan *2 Stell Research Laboratories, Nippon Steel Corporation, Chiba 293-8511 Japan
  • ISIJ International, Vol46(2006),No.9pp.1381-1387

3.Step-wise decomposition process of azobenzene self-assembled monolayers

  • M. Onoue*1, M.R. Han*1, E. Ito*1 and M. Hara*1*2
  • *1)Local Spatio-Temporal Functions Laboratory, Frontier Research System, RIKEN, *2)Interdisciplinary School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
  • Surface Science, 600(18), pp.3999-4003(2006)

4.Urea Coordinated Titanium Trichloride TiIII[OC(NH)2]6Cl3: A Single Molecular Precursor Yielding Highly Visible Light Responsive TiO2 Nanocrystallites

  • Ji-Guang Li, Xiaojing Yang, and Takamasa Ishigaki
  • *1)National Institute for Materials Science, Nano Ceramics Center, *2)National Institute for Materials Science, Advanced Materials Laboratory, *3)College of Chemistry, P.O. Box S-46, Beijing Normal University
  • J. Phys. Chem. B, 2006, 110 (30), pp 14611-14618

5.Thermal-desorption induced enhancement and patterning of ultraviolet emission in chemically grown ZnO

  • Rongguo Xie*1*2, Dongsheng Li*1, Deren Yang*1*4, Takashi Sekiguchi*2 and Minhua Jiang*1*3
  • *1)State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, People’s Republic of China, *2)Nanomaterials Laboratory, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0047, Japan, *3)State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, People’s Republic of China ,*4)Author to whom any correspondence should be addressed
  • Nanotechnology 17(2006)2789-2793

6.Temperature programmed desorption of F-doped SnO2 films deposited by inverted pyrosol technique

  • S. Aukkaravittayapun*1, C. Thanachayanont*1, T. Theapsiri*2, W. Veerasai*2, Y. Sawada*3, T. Kondo*3, S. Tokiwa*4 and T. Nishide*4
  • *1)National Metal and Materials Technology Center (MTEC), *2)Department of Chemistry, Faculty of Science, Mahidol University, *3)Department of Industrial Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo Polytechnic University, *4)Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Nihon University
  • Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 85 (2006) 3, 811-815

7.Pure germanium nitride formation by atomic nitrogen radicals for application to Ge metal-insulator-semiconductor structures

  • Tatsuro Maeda*1, Tetsuji Yasuda*1, Masayasu Nishizawa*1, Noriyuki Miyata*1, Yukinori Morita*1, Shinichi Takagi*1*2
  • *1)MIRAI Project, ASRC-AIST, *2)The University of Tokyo
  • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100,014101 (2006)

8.Solution-processed silicon films and transistors

  • Tatsuya Shimoda*1, Yasuo Matsuki*2, Masahiro Furusawa*1, Takashi Aoki*1, Ichio Yudasaka*1, Hideki Tanaka*1, Haruo Iwasawa*2, Daohai Wang*2, Masami Miyasaka*1, Yasumasa Takeuchi*2
  • *1)Technology Platform Research Center, Seiko Epson Corporation, *2)Fine Electronic Research Laboratories, JSR Corporation
  • Nature LETTERS, Vol.440, 6 April 2006, doi;10.1038/nature04613

2006:학회 초록

1.순수 티타늄 내의 고체 용질 수소와 수화물의 상태 분리 및 취성화·회복 거동

  • 키리하라 노조미, 야마다 히로키, 스즈키 케이시, 타카이 켄이치, 하기와라 유키토
  • 소피아대학교 이공학부 기능창조이공학과
  • 제138회 일본금속학회 강연개요(2006년 봄): J1

2. Au(111) 표면에서의 티오펜티올 자기조립 단분자막의 흡착 상태

  • 이토 에이스케*1, 노재근*2, 하라 마사히코*1,*3
  • *1 (독립행정법인) 이화학연구소 국소 시공간, *2 한양대 화학, *3 동경공대 종합이공
  • 제53회 응용물리학 관계 연합강연회(2006년 봄): 24p-N-8

3. 수분에 의한 질화붕소탄소(BCN) 박막의 특성 변화

  • 시마 히데카즈, 기무라 치하루, 아오키 히데미츠, 스기노 타카시
  • 오사카 대학 대학원 공학연구과
  • 제53회 응용물리학 관계 연합 강연회(2006년 봄): 24a-Q-9

4. 표면 산화막이 티타늄 열화(Degradation)에 미치는 영향

  • 아사오카 겐조*1, 마에지마 쿠니미츠*2
  • *1 도쿠시마 대학 대학원 헬스 바이오 사이언스 연구부, *2 전자 과학(주)
  • THERMEC'2006 International Conference on PROCESSING & MANUFACTURING OF ADVANCED MATERIALS: SESSION E5: TITANIUM ALLOYS & AEROSPACE STRUCTURAL METALLIC MATERIALS

5. 이종 구조 c-Si 태양전지를 위한 적층 도핑 PECVD a-Si:H 층의 표면 패시베이션 특성.

  • Stefaan De Wolf Michio Kondo
  • 광전지 연구센터, 국립 첨단 산업 과학 기술 연구소
  • 제4회 태양광 에너지 변환 세계 컨퍼런스, pp.1469-1472(2006)

2005: 논문·잡지·책

1.산소 분위기 하에서의 수산화 아파타이트의 소성成

  • 이시카와 고우
  • 펜탁스(주) 뉴세라믹스 사업부 개발부
  • J. Ceram. Soc. Japan, 113,788(2005)

2. 온도 상승 탈리 분석을 통한 티타늄 침식에 대한 산화막의 역할 평가

  • 아사오카 겐조*1, 마에지마 쿠니미츠*2
  • *1 도쿠시마 대학 대학원 헬스 바이오 사이언스 연구부 생체 재료 공학 분야, *2 전자 과학 주식회사
  • 치과 재료・기기, 24,439(2005)

3. 에틸렌 그룹을 포함하는 저유전율 다공성 실리카 필름으로부터의 기공 생성제 탈착의 온도 의존성

  • 우치다 야스타카, 마루야마 요시유키, 카토 토모히로, 이토 요시토, 이시다 코이치
  • 제쿄 과학기술대학 이공학부 미디어과학과
  • Jpn. J. Appl. Phys., 44,2316(2005)

4.에틸렌기를 함유한 다공성 실리카 막의 공극 평가

  • 우치다 요시타카*1, 오오히라 토시유키*2, 스즈키 료이치*2, 마루야마 요시유키*1, 가토 토모히로*1, 이시다 코이치*1
  • *1 제이쿄 과학대학 이공학부, *2 산업기술종합연구소 계측프론티어연구부문
  • 신학기술보고 TECHNICAL REPORT OF IEICE.SDM2004-238.17(2007)

5. 비정질 SiO2 내 공극 산소 분자. I. 열탈착, 적외선 광발광 및 진공 자외선 광흡수에 의한 정량적 농도 분석

  • Koichi Kajihara*1, Masahiro Hirano*1, Motoko Uramoto*2, Yukihiro Morimoto*2, Linards Skuja*3, Hideo Hosono*4
  • *1 도쿄 공과대학, *2우시오 주식회사 연구개발센터, *3라트비아 대학교 고체물리연구소, *4재료 및 구조 연구실 및 프론티어 공동연구센터
  • J. Appl. Phys. 98, 013527 (2005); DOI:10.1063/1.1943504 Published 11 July 2005

2005: 학회 초록

1. TDS를 이용한 SOG의 전자빔 노출 메커니즘 분석

  • 아라키 신*1, 타니구치 준*2, 미야모토 이와오*2, 사와다 노부오*3
  • *1 도쿄 이과대학 기초공학연구과 전자응용공학전공, *2 도쿄 이과대학 기초공학부 전자응용공학과, *3전자과학(주)
  • 2005년도 정밀공학회 춘계대회

2. 티타늄 산화막과 수소의 가열 탈리 거동

  • 아사오카 겐조*1, 마에지마 쿠니미츠*2
  • *1 도쿠시마대·생체재료, *2 전자과학(주)
  • 제27회 일본 바이오재료학회 대회(2005): B-405

3.아조벤젠기를 가진 디티올 분자 SAM의 TDS 및 XPS에 의한 열안정성 평가

  • 오노에 미키*1,미나 한*1,이토 에이스케*1,하라 마사히코*1,*2
  • *1 이토카쿠소 시공간 기능, *2 동경공대 종합이공
  • 제52회 응용물리학관계연합강연회(2005): 29p-YB-9

4. 티타늄의 침식과 산화 피막의 작용

  • 아사오카 겐조*1, 마에지마 쿠니미츠*2, 세자키 히데타카*3
  • *1 도쿠시마대·생체재료, *2 전자과학(주), *3 도쿠시마대·공·기계
  • 제45회 일본치과이공학회 학술강연회(2005): A-13
  • 치과재료·기기, 24(2),79(2005) 게재

5. 에틸렌기를 함유한 다공성 실리카 막의 공극 평가

  • 우치다 교케이*1, 오오히라 토시유키*2, 스즈키 료이치*2, 마루야마 요시유키*1, 가토 토모히로*1, 이시다 코이치*1
  • *1 제경과학대학 이공학부, *2 산업기술종합연구소 계측프론티어연구부문
  • 응용물리학회 실리콘기술분과회 요지집,16(2005)

6.Application of Gold-Tin Solder Paste for Fine Parts and Devices

  • Masayuki Ishikawa, Hayato Sasaki, *Satoko Ogawa, Masayoshi Kohinata, Akifumi Mishima, Hideaki Yoshida
  • Development Section, Sanda Plant, Advanced Products Strategic Company, Mitsubishi Materials Corporation
  • 2005 Electronic Components and Technology Conference, 701

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