1991：论文、期刊、书籍

1.Oxidation Process of Hydrogen Terminated Silicon Surface Studied by Thermal Desorption Spectroscopy

• Norikuni Yabumoto, Kazuyuki Saito, Mizuho Morita* and Tadahiro Ohmi*
• NTT LSI Laboratories, *Faculty of Engineering,Tohoku University
• Jpn.J.Appl.Phys.,30,L419(1991)

2.新型升温脱附气体分析仪的开发及其在VLSI材料与工艺评估中的应用

• 平下紀夫, 味岡恒夫, 日永康*
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路开发中心, *電子科学(株)
• 真空,34,813(1991)

～1991：会议摘要

1.清洗硅表面物理性质及其分析

• 藪本周邦, 斎藤和之, 森田瑞穂*, 大見忠弘*
• NTT LSI研究所, *东北大学 工学部
• 1991年电子信息通信学会春季全国大会摘要集,5-331,(1991)：SC-9-1

发布年份不详：论文、期刊、书籍

1.利用APIMS进行升温脱附气体分析

• 沟上员章、中野和男、小池让治、小川哲也
• 日立东电 电子设备事业部
• 日立东电 TECHNICAL REPORT,11,10(????)

2.升温脱附气相分析法（TDS）的应用

• 东丽研究中⼼
• 东丽研究中⼼
• Technical Information

3.Improved Interconnect Yield Through Surface Control By Silylation (SCS) Method

• K.Yano, M.Yamanaka, Y.Terai, T.Sugiyama, M.Kubota, M.Endo and N.Nomura
• Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.
• Symposium 1993 on VLSI Technology

4.电解铜箔上超薄锡镀层的扩散行为

• 山下勝, 大熊秀雄*
• （株）AITES 可靠性与材料技术部，日本IBM（株）野洲事业所 液晶技术部
• 来源不明

5.利用硫沉积的各向异性蚀刻

• 門村新吾, 辰巳哲也, 長山哲治, 佐藤淳一
• 索尼株式会社
• Semiconductor World 12：1993年01月

6.利用升温热脱附分析仪对硅片表面有机物进行评估

• 岡田千鶴子, 龍田次郎, 新行内隆行
• 三菱材料株式会社 中央研究所
• 来源不明

7.MODEL STUDIES OF DIELECTRIC THIN FILM GROWTH CVD DEPOSITION OF SiO2 FROM TEOS

• J.E.Crowell, H-C.Cho, F.M.Cascarano, L.L.Tedder and M.A.Logan*
• Department of Chemistry, University of California, San diego, *Lam Reserch Corporation, Advanced Research Center
• 来源不明

8.Evaluation of adsorbed molecules on silicon wafers

• Norikuni YABUMOTO
• NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• 来源不明

9.基于TDS的O₂+H₂O下流腐蚀抑制机制研究

• 小尻英博, 松尾二郎*, 渡辺孝二, 中村守孝
• 富士通, *富士通研究所
• 电子信息通信学会技术研究报告. SDM, 硅材料与器件 94(11), 39-46, 1994-04-21

10.硅片表面吸附成分——基于升温脱附法的分析

• 藪本周邦
• NTT LSI研
• 来源不明

发布年份不详：会议摘要

1.着色羟基磷灰石的表征

• 石川剛
• 旭光学工业株式会社 新陶瓷事业部
• 磷灰石研究会

2.Recovery of Useful Hydrocarbons from Oil Palm Waste Using ZrO2 Supporting FeOOH Catalyst

• Takao MASUDA, Yumi KONDO, Masahiro MIWA, Shin R. MUKAI, Kenji HASHIMOTO and *Mikio TAKANO
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University and *Institute for Chemical Research, Kyoto University
• Book of Abstracts, 16th International Symposium on Chemical Reaction Engineering

3.SiO₂孔内蚀刻表面反应

• 平下紀夫, 池上尚克
• 冲电气工业株式会社 超LSI研发中心
• 第44届半导体专业研讨会论文集,139