1999：论文、期刊、书籍

1.Desorption Kinetics of Ar Implanted into Si

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

2.Effects of Halogen Ions on the X-Ray Characteristics of Gd₂O₂S:Pr Ceramic Scintillators

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

3.Process integration induced thermodesorption from SiO₂/SiLK resin dielectric based interconnects

• M.R.Baklanov*, M.Muroyama**, M.Judelewicz*, E.Kondoh*, H.Li*, J.Waeterloos***, S.Vanhaelemeersch* and K.Maex
• IMEC*, Sony Corporation**, The Dow Chemical Company***
• J.Vac.Sci.Technol.B,17,2136(1999)

1999：会议摘要

1.基于二维相关光谱法的升温脱附分析数据解析

• 杉田記男，阿部英次，宮林延良*
• 丰桥技术科学大学，*電子科学
• 第22届信息化学研讨会论文摘要集（1999年秋季）：JP12

2.关于采用升温脱附法研究烷硫醇SAM膜吸附状态的研究

• 荒木暢*，盧載根*，原正彦*,**，W. Knoll*
• *理研前沿研究所，**东京工业大学综合理工学院
• 第60届应用物理学会学术研讨会论文集（1999年秋季）：2p-Q-8

3.Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki, M.Hara, H.Sazabe, W.Knoll
• FRP RIKEN（理研前沿）
• 第60届应用物理学会学术研讨会论文集（1999年秋季）：2p-Q-9

4.对通过感应耦合等离子体化学气相沉积法制备的SiO₂薄膜进行升温脱附气体分析

• 服部哲也，瀬村滋，福田智恵，赤坂伸宏
• 住友电工株式会社
• 第60届应用物理学会学术研讨会论文集（1999年秋季）：3p-H-1

5.SiN/SiO2膜中水素の熱的挙動

• 川島義也，劉紫園，川野英夫，平田剛*
• NEC器件评估技术研究所，*NEC半导体生产技术本部
• 第60届应用物理学会学术研讨会论文集（1999年秋季）：3p-ZT-16

6.无机CVD-TiN膜中Cl导致Al布线腐蚀的机理

• 平沢賢斎，中村吉孝，田丸剛，関口敏宏，福田琢也
• 日立制作所株式会社器件开发中心
• 第60届应用物理学会学术研讨会论文集（1999年秋季）：3a-ZN-2

7.Co/a-Si:H/c-Si中的硅化过程

• 草村一文，土屋正彦，吉田陽子，曽江久美，本橋光也，本間和明
• 东京电机大学工学院
• 第60届应用物理学会学术研讨会论文集（1999年秋季）：3a-ZN-6

8.利用APIMS-TDS分析硅片表面吸附水分（IV）

• 森本敏弘，上村賢一
• 新日本制铁株式会社尖端技术研究所
• 第60届应用物理学会学术研讨会论文集（1999年秋季）：3a-ZQ-9

9.真空环境下S端处理GaAs(001)表面升温脱附过程的分析

• 塚本史郎，杉山宗弘*，下田正彦，前山智*，渡辺義夫*，大野隆央，小口信行
• 金材技研，*NTT基础研究所
• 第60届应用物理学会学术研讨会论文集（1999年秋季）：4a-ZK-3

10.高通量准分子激光照射下非晶硅薄膜的脱氢行为

• 高橋道子，斎藤雅和，鈴木堅吉
• 日立制作所显示器事业部
• 第60届应用物理学会学术研讨会论文集（1999年秋季）：4a-ZS-4

11.PDP用MgO膜的蒸镀过程中的氧分压与气体吸附特性

• 沢田隆夫，渡部勁二，福山敬二，大平卓也，衣川勝
• 三菱电机 先端综合研究所
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：28p-M-4

12.升温脱附光谱中样品边缘低温部分的校正

• 尾高憲二
• 日立制作所株式会社 机械研究所
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：30p-R-7

13.二氟对二甲苯制备的有机低介电常数薄膜的特性

• 室山雅和，森山一郎
• 索尼株式会社 S.C.工艺开发部
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：30p-ZQ-14

14.氟化非晶碳膜的层间绝缘膜适配工艺

• 小関勝成，有賀美智雄
• 日本应用材料株式会社
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：30p-ZQ-19

15.氟化非晶碳膜在层间膜中的应用评估

• 松井孝幸，岸本光司，松原義久，井口学，堀内忠彦，遠藤和彦*,辰巳徹*,五味英樹
• 日本电气株式会社 ULSI器件开发研究所，*硅系统研究所
• 第46届应用物理学联合会议论文集（1999年春季）：30p-ZQ-20

16.SiO₂/Si体系中氢的行为分析

• 劉紫園，川島義也，川野英男，浜田耕治*，浜嶋智宏*
• NEC 设备评估研究所，NEC UL 设备开发研究所*
• 第46届应用物理学联合学术会议论文集（1999年春季）：29p-ZS-14

17.基于升温脱附法对非对称二烷基二硫化物自组装单分子膜吸附状态的研究

• 荒木暢*，亀井宏二**，藤田克彦*，原正彦*,**，W. Knoll*
• 理研前沿研究所*，东京工业大学综合理工学院**
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：30p-X-17

18.关于利用非对称二烷基二硫化物生长自组装单分子膜的研究

• 亀井宏二*，藤田克彦**，荒木暢**，原正彦*,**，雀部博之**，W. Knoll**
• 东京工业大学综合理工学院*，理化学研究所前沿科学中心**
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：30p-X-18

19.Destructive Adsorption and Phase Separation of Asymmetric Disulfide SAMs on AU(111) Studied by Scanning Tunneling Microscopy

• J.NOH，M.HARA，H.SASABE and W.KNOLL
• FRP, RIKEN
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：第30页-X-19

20.关于氢离子注入基板剥离法中晶圆直接接合工艺的研究

• 山内庄一，松井正樹，大島久純
• 电装基础研究所
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：31a-ZP-2

21.氢终止Si表面在湿法处理过程中的终止氢化学反应行为

• 永田陽一，藤原新也，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
• 广岛大学·工学部
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：28a-ZT-4

22.Si(100)表面上P的升温脱附光谱测量

• 広瀬文彦，坂本仁志
• 三菱重工基础研究所
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：28p-ZT-11

23.采用ECR等离子体CVD法制备的硬质碳膜的热分解行为

• 丸山一則，曽谷朋子，佐藤英樹
• 长冈技术科学大学 工
• 第46届应用物理学相关联合研讨会论文集（1999年春季）：29a-M-2

24.真空表面中氢的行为　引言

• 塚原園子
• 日本真空技术 筑波超材料研究所
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：29a-ZH-1

25.钢中氢的存在状态与晶格缺陷

• 南雲道彦
• 早稻田大学 理工学部 物质开发工学科
• 第46届应用物理学相关联合研讨会论文集（1999年春季）：29a-ZH-2

26.氢在钻石表面的行为

• 川原田洋
• 早稻田大学 理工学部，CREST
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：29a-ZH-6

27.利用APIMS-TDS分析硅片表面吸附水分（III）)

• 森本俊弘，上村賢一
• 新日本制铁株式会社 尖端技术研究所
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：29a-ZT-4

28.利用8英寸晶圆升温脱附测量装置对SiO₂薄膜进行评估

• 稲吉さかえ，塚原園子，斎藤一也，星野洋一*,原康博*
• 日本真空技术株式会社 筑波超材研，*日本真空技术株式会社 超高（事）
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：29a-ZT-5

29.NO激光光刺激脱附作用在金刚石C(111)晶面上

• 山田太郎*,関元**,荘東榮***
• *早稻田大学材料研究所，**IBM阿尔马登研究所，***台湾中央研究院原子分子科学研究所
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：30a-L-3

30.钛材料平滑加工对表面氧化层及气体释放特性的影响

• 石川一政，水野善之，岡田隆弘，本間禎一
• 千叶工业大学
• 第46届应用物理学相关联合研讨会论文集（1999年春季）：30p-R-2

31.具有Shirazane键的低介电常数SOG薄膜的特性

• 田代裕治，櫻井貴昭，清水泰雄
• 东燃株式会社
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：30p-ZQ-6

32.含乙烯基的二氧化硅膜的XeF₂退火

• 佐野泰之*,菅原聡，宇佐美浩一，服部健雄*,松村正清
• 东京工业大学 工学部，*武藏工业大学 工学部
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：30p-ZQ-7

33.Ni/a-Si:H多层膜中的界面反应与硅化过程（II）)

• 吉田陽子，曽江久美，本橋光也，本間和明
• 东京电机大学工学院
• 第46届应用物理学联合研讨会论文集（1999年春季）：31a-ZQ-6

34.利用SIMS和TDS测定a-Si:H中氢浓度

• 三上朗，鈴木崇之
• 三洋电气株式会社新材料研究所
• Journal of Surface Analysis, Vol6(No3), A-20(1999)

35.DRY ETCHING OF PZT FILMS WITH CF 4 /Ar HIGH DENSITY PLASMA

• Chanro Park, Jun Hee Cho, Chang Ju Choi, Yeo Song Seol, and II Hyun Choi
• Semiconductor Advanced Research Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
• Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.541, p113, 1999 Materials Research Society

1998：论文、期刊、书籍

1.利用TG-MS解析陶瓷薄膜及粉末的形成过程

• 澤田豊, 西出利一*, 松下純一**
• 东京工艺大学工学部, *日本大学工学部, **东海大学工学部
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,289(1998)

2.TPD-MS在材料研究中的应用(Temperature Programmed Desorption or Decomposition Mass-Spectrumetry)的应用

• 朝比奈均, 谷口金二
• 三菱化学株式会社筑波研究所
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,357(1998)

3.Structure-Dependent Change of Desorption Species from n-alkanethiol Monolayers Adsorbed on Au(111): Desorption of Thiolate Radicals from Low-Density Structures

• H.Kondoh, C.Kodama, and H.Nozoye
• J.Phys.Chem.B,102,2310(1998)

4.Kinetic Analysis of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films by In Situ Observation

• H.Tanaka, N.Hirashita, and R.Sinclair
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,37,4284(1998)

5.Controlling the Amount of Si-OH Bonds for the Formation of High-Quality Low-Temperature Gate Oxides for Poly-Si TFTs

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, Kenji Sera*, and fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation and *Electronic Component Development Division, NEC Corporation
• Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,508,167(1998)

6.采用升温脱附法评估冷拉加工后的纯铁及共析钢的氢吸附特性

• 高井健一*1, 山内五郎*1, 中村真理子*2, 南雲道彦*2
• *1)日本电信电话株式会社技术合作中心 *2)早稻田大学理工学部
• 日本金属学会杂志，62，3，267-275(1998)

1998：会议摘要

1.铜离子在介孔铝硅酸盐中的交换及其特性

• 寺岡靖剛, 高橋基信, 瀬戸口由加子, 朝長成之*, 安武昭典*, 泉順*, 森口勇, 鹿川修一
• 长崎大学, *三菱重工
• 第81届催化剂研讨会 研讨会A论文集,113(1998.3)：第55页

2.NO在二氧化钛粉末表面的吸附与升温脱附

• Wang Yang, 柳沢保徳
• 奈良教育大学
• 第81届催化剂研讨会 研讨会A论文集,115(1998.3)：第57页

3.基于NH3-TPD光谱获得的吸附焓与脱附活化能分布的比较

• 増田隆夫, 藤方恒博, 橋本健治
• 京都大学工学研究科
• 第81届催化剂研讨会 研讨会A预印本集，24(1998.3)：第24页

4.二氧化硅上光引发烯烃异构化反应的活性物种

• 田中庸裕, 松尾繁展, 竹中壮, 吉田寿雄*, 船引卓三, 吉田郷弘
• 京都大学工学研究科, *名古屋大学工学研究科
• 第81届催化剂研讨会 研讨会A预印本集,34(1998.3)：1P34

5.锶钛酸盐类钙钛矿型氧化物的NO直接分解活性

• 横井泰治, 内田洋
• 东京燃气基础研究所
• 第81届催化剂研讨会 研讨会A论文集,40(1998.3)：1P40

6.Pt/HZSM-5催化下的噻吩加氢脱硫反应

• 黒坂忠弘, 杉岡正敏
• 室兰工业大学
• 第81届催化剂研讨会 研讨会A论文集,51(1998.3)：1P51

7.利用钛酸盐载体的沸石催化剂还原NOx

• 岩戸弘, 古南博, 橋本圭司*, 計良善也
• 近畿大学理工学院、*大阪市工业研究所
• 第81届催化剂研讨会 研讨会A论文集，53(1998.3)：第53页

8.铜离子交换沸石上NOx型吸附物的分解机制

• 小野博信, 奥村耕平, 下川部雅英, 竹澤暢恒
• 北海道大学工学研究科
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集,131(1998.9)：3D425

9.CH4-SCR中活性钯沸石中钯种的研究

• 小倉賢, 鹿毛晋, 菊地英一
• 早稻田大学理工学院
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集,132(1998.9)：3D426

10.钛处理对银-氧化铝催化剂上NOx选择性还原反应的影响

• 後藤一郎, 山口真, 王正明, 熊谷幹郎
• (财)产业创造研
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集,134(1998.9)：3D428

11.采用脉冲法在载有Ph的催化剂上进行的N2O分解反应

• 青柳健司, 湯崎浩一, 上塚洋, 伊藤伸一, 国森公夫
• 筑波大学物质工程系
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集，147(1998.9)：4D414

12.固溶体Co-MgO催化剂上N2O分解反应中的O2脱附机理

• 押原健三, 秋鹿研一*
• 山口东京理科大学基础工程系，*东京工业大学综合理工学院
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集，148(1998.9)：4D415

13.NO和CO在锶钛酸盐粉末上的吸附及升温脱附

• 江戸暢子, 稲生加奈子, 徳留志穂, 柳澤保徳
• 奈良教育大学
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集,2(1998.9)：第202页

14.吸附在Ni(110)表面的羧酸的分解反应

• 山片啓, 久保田純, 野村淳子, 広瀬千秋, 堂面一成, 若林文高*
• 东京工业大学资源研究所，*国立科学博物馆
• 第82届催化剂研讨会 A 演讲预稿集，207(1998.9)：3D601

15.金云母催化剂在醇类脱氢反应中的应用

• 橋本圭司, 東海直治
• 阪市工研
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集，21(1998.9)：第222页

16.以添加了Al、Zn、Cd盐的FSM-16为催化剂的气相贝克曼重排反应——催化剂的酸碱性、活性及产物选择性－

• 正路大輔, 中島剛
• 信州大工
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集,22(1998.9)：第223页

17.各种金属氧化物上单层氧化钨催化剂的表面结构与酸性质

• 内藤宣博, 片田直伸, 丹羽幹
• 鸟取大学
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集,233(1998.9)：4D603

18.基于Co2(CO)8的Co/Al2O3固定化催化剂表面复合设计及其催化性能研究

• 高村公啓, 紫藤貴文, 朝倉清高, 岩澤康裕
• 东京大学理学院
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集，237(1998.9)：4D607

19.Ga-MCM-41的结构与酸性质

• 奥村和, 西垣亨一, 丹羽幹
• 鸟取大学
• 第82届催化剂研讨会 A 演讲预稿集,254(1998.9)：3D702

20.不同填料含量的氧化铝交联云母的调制及其酸性质

• 北林茂明, 鎌田有希子, 進藤隆世志, 小沢泉太郎
• 秋田大工报
• 第82届催化剂研讨会 A组演讲预稿集,262(1998.9)：3D710

21.SO4(2-)-ZrO2 catalysts for isomerization of n-butane. Study of deactivation process and characterization of coke deposits

• C.R.Vera, C.L.Pieck*, K.Shimizu, C.A.Querini*, J.M.Parera*
• National Institute for Resources and Environment (Japan), *INCAPE (Argentina)
• 第82回触媒討論会 A講演予稿集,273(1998.9)：3D721

22.利用水蒸气处理-氨升温脱附法测定硅铁酸盐的酸性

• 宮本哲夫, 片田直伸, 丹羽幹, 松本明彦*, 堤和男*
• 鸟取大学, *丰桥技术科学大学
• 第82回触媒討論会 A講演予稿集,298(1998.9)：4D721

23.钙钛矿型氧化物催化剂的NO直接分解活性与电子态之间的关系

• 横井泰治, 安田勇, 内田洋, *岡田治, **中村泰久, ***川崎春次
• 东京燃气, *大阪燃气, **东邦燃气, ***西部燃气
• 第82回触媒討論会 A講演予稿集,323(1998.9)：3D824

24.氧化锆载硫酸根单分子层固体超强酸催化剂对弗里德尔-克拉夫茨反应的活性

• 安信直子, 遠藤純一, 片田直伸, 丹羽幹
• 鸟取木匠
• 第82回触媒討論会 A講演予稿集,343(1998.9)：4D819

25.CFC分解用磷酸铝系催化剂的开发(5)

• 二宮麻衣子, 若松広憲, 西口宏泰, 石原達己, 滝田祐作
• 大分木匠
• 第82回触媒討論会 A講演予稿集,35(1998.9)：2P205

26.V、W取代型12-钼磷酸催化剂的还原

• 森田トヨ子, 上田渉*, 秋鹿研一
• 东京工业大学综合理工学院，*山口东理大学基础工程学院
• 第82回触媒討論会 A講演予稿集,5(1998.9)：1P205

27.吸附在金属氧化物上的丙烯部分氧化反应

• 上田厚, 小林哲彦
• 大工研
• 第82回触媒討論会 A講演予稿集,71(1998.9)：3D317

28.基于Pd复合蒸镀薄膜的甲醇分解反应研究

• 佐々木基, 伊藤建彦, 浜田秀昭
• 工技院物资研究所
• 第82回触媒討論会 A講演予稿集,9(1998.9)：1P209

29.固定化Co(II)/Al₂O₃催化剂上NO-CO反应的新机理

• 山口有朋, 紫藤貴文, 朝倉清高, 岩澤康裕
• 东京大学研究生院理学系
• 第82届催化剂研讨会 B组演讲预稿集,360(1998.9)：1D105

30.氧化钼负载氧化锡薄层上生成的固体酸点在甲醇氧化反应中的催化作用

• 丹羽幹, 五十嵐淳也, 片田直伸
• 鸟取大学工学院
• 第82届催化剂研讨会 B组演讲预稿集,442(1998.9)：1D206

31.二氧化碳与甲烷反应生成乙烷和乙烯

• 王野, 高橋喜元, 大塚康夫
• 东北大学反应化学研究所
• 第82届催化剂研讨会 B组演讲预稿集,458(1998.9)：1D211

32.利用单质氧化物载体的钯催化剂进行低温甲烷燃烧

• Widjaja Hardiyanto, 関澤好史, 江口浩一
• 九州大学研究生院综合理工学研究科
• 第82届催化剂研讨会 B组演讲预稿集,466(1998.9)：1D213

33.FSM-16作为固体酸的催化特性

• 山本孝, 田中庸裕, 船引卓三, 吉田郷弘
• 京都大学研究生院工学研究科
• 第82届催化剂研讨会 B组演讲预稿集,494(1998.9)：2D207

34.微晶硅中晶界缺陷的各向异性

• 近藤道雄, 府川真, 郭里輝, 松田彰久
• 电气综合研究所·薄膜硅基太阳能电池超级实验室
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：15a-ZC-10

35.CH₂F₂在氧化膜刻蚀中的添加效果

• 新村忠, 大宮可容子, 金田直也*, 松下貴哉*
• 东芝株式会社 生产技术研究所，*东芝株式会社 半导体生产技术推进中心
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：15a-C-5

36.大气中及真空加热对荧光膜吸附气体特性的影响

• 山根未有希, 平沢重実*, 小関悦弘**
• 日立制作所株式会社 机械研究所, *日立制作所株式会社 家电与信息媒体事业本部, **日立设备工程株式会社
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：15p-M-5

37.Ni/a-Si:H多层膜中的界面反应与硅化过程（I）

• 吉田陽子, 茂木梓, 曽江久美, 本橋光也, 本間和明
• 东京电机大学工学院
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：15p-ZL-16

38.三-n-丁基膦在金刚石C(001)表面的表面反应机理

• 西森年彦, 坂本仁志, 高桑雄二*,**
• 三菱重工·基础研究所，*东北大学·科研，**科技团“先驱”项目
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：16p-N-6

39.氢处理锗掺杂二氧化硅玻璃中氢释放的温度依赖性

• 笠原敏明, 藤巻真, 大木義路, 加藤真基重*, 森下裕一*
• 早稻田大学, *昭和电线
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：16p-P13-7

40.用于半导体层间膜工艺开发的吸湿特性评估方法的开发

• 大嶽敦, 小林金也, 伊藤文俊*, 高松朗*
• 日立制作所株式会社 日立研究所, *日立制作所株式会社 半导体事业部
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：17a-ZG-1

41.制备低介电常数、低吸湿性的有机SOG薄膜

• 山田紀子, 高橋徹
• 新日铁株式会社 尖端技术研究所
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：17p-ZG-3

42.低介电常数多孔SOG膜的特性

• 荒尾弘樹, 藤内篤, 江上美紀, 村口良, 井上一昭, 中島昭, 小松通郎
• 触媒化成工业株式会社
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：17p-ZG-4

43.高浓度苯基硅膜的评价

• 佐野泰之*, 宇佐美浩一, 菅原聡, 服部建雄*, 松村正清
• 东京工业大学 工学部, *武藏工业大学 工学部
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：17p-ZG-9

44.氩离子注入硅的升温脱附信号与非晶硅中氩分布变化之间的关系

• 中田穣治, 薮本周邦*
• NTT 基础研究所, *NTT-AT
• 第59届应用物理学会学术研讨会论文集(1998秋)：18a-ZL-4

45.微孔内的表面反应

• 金森順, 池上尚克, 平下紀夫
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：29a-ZR-2

46.全芳香族聚醚类高分子层间绝缘膜

• 北孝平
• 旭化成工业 基础研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：30p-M-4

47.硅片表面有机物的吸附与脱附行为

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼株式会社 半导体公司 超LSi研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：28p-PB-6

48.利用APIMS-TDS分析晶圆表面吸附水分

• 森本敏弘, 上村賢一
• 新日本制铁株式会社 尖端技术研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：28p-PB-7

49.晶圆表面吸附有机物的吸附与脱附行为

• 白水好美, 田中傑, 北島洋, 名取巌*
• 日本电气株式会社，日立东京电子
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：28p-PB-8

50.退火对MOCVD-BST的影响

• 上田路人, 大塚隆, 森田清之
• 松下电器产业株式会社 中央研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：28p-ZF-9

51.乙炔吸附在Si(100)表面时的氢脱附

• 中澤日出樹, 末光眞希
• 东北大学 电气通信研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：29a-YG-11

52.Si表面上硅氢化物的吸附与脱氢过程

• 末光眞希
• 东北大学 电气通信研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：29a-ZR-5

53.将精密化学抛光应用于超高真空材料的表面处理

• 稲吉さかえ, 斉藤一也, 佐藤幸恵, 塚原園子, 石澤克修*, 野村健*, 嶋田晃久*, 金澤実**
• 日本真空技术株式会社, *三爱石油株式会社, **三爱设备工业株式会社
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：29p-X-10

54.不锈钢表面水升温脱附特性

• 田中智成, 竹内協子, 辻泰
• 阿尔巴克股份有限公司·企业中心
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：29p-X-5

55.Si薄膜涂层不锈钢的低气体释放特性

• 稲吉さかえ, 佐藤幸恵, 塚原園子, 金原粲*
• 日本真空技术株式会社，*金泽工业大学
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：29p-X-7

56.LPD低介电常数有机二氧化硅膜（II）——含各种有机基团的耐热性－

• 小林光男*, 住村和仁, 菅原聡, 服部健雄*, 松村正清
• 东京工业大学 工学部，*武藏工业大学 工学部
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：30a-M-10

57.CO/a-Si：H体系中的硅化物形成(Ｉ)

• 古林治, 土屋正彦, 曽江久美, 本橋光也, 本間和明
• 东京电机大学 工学部
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：30a-N-5

58.N₂和NH₃中CO硅化物的形成过程——残留氧的影响－

• 堤紀久子, 杉山龍男*, 江藤竜二*, 神前隆**, 小川真一*
• 松下电子工业株式会社 微控制器事业部, *松下电子工业株式会社 专业开发中心, **松下技术研究株式会社
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：30a-N-6

59.关于利用H₂O等离子体抑制HSQ膜退化的灰化处理研究

• 玉岡英二, 青井信雄, 上田哲也, 山本明広, 真弓周一
• 松下电器产业株式会社 工艺开发中心
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：30p-M-10

60.低介电常数有机层间绝缘膜的高温特性

• 高相純, 富沢友博, 猪留健, 原徹
• 法政大学 工学院
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：30p-M-7

61.低介电常数离子注入有机SOG薄膜的热脱附特性

• 松原直輝, 水原秀樹, 渡辺裕之, 実沢佳居, 井上恭典, 花房寛, 吉年慶一
• 三洋电机株式会社 微电子研究所
• 第45届应用物理学联合研讨会论文集（1998年春季）：30p-M-9

1997：论文、期刊、书籍

1.Roles of Surface Functional Groups on TiN and SiN Substrates in Resist Pattern Deformations

• Ryoko Yamanaka, Toshiyuki Mine, Toshihiko Tanaka and Tsuneo Terasawa
• Central Research Laboratory, HItachi Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,7620(1997)

2.Formation and Exchange Processes of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111) Studied by Thermal Desorption Spectroscopy and Scanning Tunneling Microscopy

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,2379(1997)

3.Evidence that carbide precipitation produces hydrogen traps in Ni17Cr8Fe alloys

• G.A. Young and J.R. Scully
• Center for Electrochemical Science & Engineering, Department of Materials Science and Engineering, The University of Virginia
• Scripta Meterialia,No6,713(1997)

4.Improvement of structural and electrical properties in low-temperature gate oxides for poly-Si TFTs by controlling O2/SiH4 ratios

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, and Fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation
• Digest of Technical Papers AMLCD '97, (1997)pp.87-90

5.A method for calculation the activation energy distribution for desorption of ammonia using a TPD spectrum obtained under desorption control conditions

• Takao Masuda, Yoshihiro Fujikata, Hideo Ikeda, Shun-ichi Matsushita, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,162,29(1997)

6.A method of calculating adsorption enthalpy distribution using ammonia temperature-programmed desorption spectrum under adsorption equilibrium conditions

• Takao Matsuda, Yoshihiro Fujikawa, Shin R. Mukai, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,165,57(1997)

7.电路板表面污染物分析法：升温脱附分析

• 薮本周邦
• NTT先进技术
• 半导体工艺环境中的化学污染及其对策，Realize公司,p291

1997：会议摘要

1.利用TDS和FT-IR对Si氧化膜进行膜质评估

• 寺田久美, 梅村園子, 寺本章伸*, 小林清輝*, 黒川博志, 馬場文明
• 三菱电机株式会社 尖端综合研究所，*UL研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：2a-D-10

2.降低PECVD-SiO₂栅极绝缘层中的结构水含量

• 湯田克久, 田辺浩, 世良賢二, 奥村藤男
• NEC 功能电子研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：3p-K-3

3.氦-氢两级注入硅片中的气泡形成行为

• 中嶋健, 高田涼子, 須藤充, 貝沼光浩*, 中井哲弥, 冨澤憲治
• 三菱材料硅业株式会社 技术本部 开发中心, *三菱材料株式会社 综合研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：3p-PB-2

4.利用TDS直接观察Smart-Cut的行为(２)

• 高田涼子, 高石和成, 冨澤憲治
• 三菱材料硅业株式会社 技术本部 开发中心
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：3p-PB-3

5.利用TDS对C49/C54 TiSi₂相变的原位观测

• 田中宏幸, 平下紀夫, 北明夫
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：4a-D-10

6.ECR-CVD SiOF膜中氟脱附的影响

• 宇佐見達矢, 五味秀樹
• NEC ULSI器件开发研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：4a-K-5

7.关于通过氟改性降低氢硅双环氧烷介电常数的探讨

• 中田義弘, 福山俊一, 片山倫子, 山口城
• 富士通研究所股份有限公司
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：4p-K-15

8.甲基硅烷-H₂O₂型自平坦化CVD工艺

• 松浦正純, 井内敬彰*, 増田員拓*, 益子洋治
• 三菱电机株式会社 ULSI开发研究所，*菱电半导体株式会社
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：4p-K-2

9.无机多孔膜SOG材料（HPS）的物理性能评估

• 村口良, 中島昭, 小松通郎, 大倉嘉之*, 宮嶋基守*, 原田秀樹**, 福山俊一**
• 触媒化成工业株式会社 精细研究所, *富士通株式会社, **富士通研究所株式会社
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：4p-K-7

10.荧光粉与水玻璃的气体释放特性

• 山根美有希, 高橋主人*, 平沢重実**, 小関悦弘***
• 日立制作所株式会社 机械研究所, *笠户工厂, **电子器件事业部, ***日立器件工程株式会社
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：4p-ZT-8

11.离子注入硅片表面有机物吸附的评估

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼株式会社 半导体公司 超大规模集成电路研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：3p-D-2

12.晶圆盒储存过程中抗氧化剂（BHT）在硅晶圆上的吸附形态

• 今井利彦, 水野亨彦, 波多野徹
• 信越半导体株式会社 半导体白河研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：3p-D-4

13.各种清洗后，洁净室对硅表面造成的有机物污染及其通过再次清洗的去除

• 中森雅治, 青砥なほみ
• NEC ULSI器件开发研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：3p-D-5

14.利用APIMS-TDS分析硅片表面吸附的异丙醇

• 森本敏弘, 上村賢一
• 新日本制铁株式会社 尖端技术研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：3p-D-7

15.通过H+注入制备的空穴截断型SOI(4))

• 柿崎恵男, 原徹, 井上森雄*, 梶山健二*
• 法政大学 工学部, *离子工程研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：3p-PB-4

16.通过1 MeV H+注入形成单晶硅薄膜

• 中田穣治, 西岡孝*
• NTT 基础研究所, *NTT 光电子研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：3p-ZK-12

17.低介电常数氟碳膜的高温特性

• 高相純, 富沢友博, 猪留健, 原徹, Yang*, D.Evans*, 柿崎恵三**
• 法政大学 工学部, *SMT, **夏普ULSI研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：4a-K-8

18.基于苯的α-C：H膜特性研究

• 鄭 他
• 三星电子株式会社 半导体研究所
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：4p-YA-3

19.采用纯电解阳极水冲洗微孔内部残留的硫酸成分

• 山崎進也, 青木秀充, 青砥なほみ, 二ツ木高志*, 山下幸福*, 山中弘次*
• NEC ULSI器件开发研究所、*奥尔加诺株式会社
• 第58届应用物理学会学术研讨会论文集（1997年秋季）：5a-D-8

20.多金属布线（VIII）——WNX膜中氮的脱附过程～

• 中嶋一明, 赤坂泰志, 宮野清孝, 高橋護*, 末廣信太郎*, 須黒恭一
• 东芝株式会社 微电子技术研究所，*东芝株式会社 环境技术研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：28a-PB-14

21.SiH4-H2O2系CVD氧化膜工艺中NMOS热载流子可靠性评估

• 久保誠, 八尋和之, 冨田健一
• 东芝株式会社 半导体生产技术推进中心
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：28p-F-18

22.利用三乙氧基硅烷（TRIES）制备的SiO₂薄膜(II)

• 服部覚, 原田勝可
• 东亚合成株式会社 新材料研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：29p-F-13

23.利用TDS直接观察Smart-Cut的行为

• 高田涼子, 高石和成, 冨沢憲治
• 三菱材料硅业株式会社 技术本部 开发中心
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：29p-G-11

24.对干燥后晶圆表面残留吸附性IPA的评估

• 嵯峨幸一郎, 岡本彰, 国安仁, 服部毅
• 索尼株式会社 半导体公司 超大规模集成电路研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：30p-D-11

25.甲基硅烷-H₂O₂型自平坦化CVD工艺(１)

• 松浦正純, 増田員拓*, 井内敬彰*, 益子洋治
• 三菱电机株式会社 ULSI开发研究所，*菱电半导体株式会社
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：30p-F-14

26.SiH4/H2O2 CVD氧化膜的成膜特性

• 吉江徹, 下川公明, 吉丸正樹
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：30p-F-15

27.利用氢自由基形成高可靠性SiOF膜

• 福田琢也, 佐々木英二*, 細川隆, 小林伸好
• 日立制作所株式会社 半导体技术开发中心，*日立超LSI工程
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：30p-F-20

28.半导体层间绝缘层中水分子受热脱附光谱分析

• 大嶽敦, 小林金也, 加藤聖隆*, 福田琢也*
• 日立制作所株式会社 日立研究所，*日立制作所株式会社 半导体事业部
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：30p-F-21

29.非E.B.聚硅氮烷SOG的成膜特性

• 斎藤政良, 平沢賢斎, 坂井健志, 堀田勝彦*, 加藤聖隆, 高松朗, 小林伸好
• 日立制作所株式会社 半导体事业部, *日立微控制器
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：30p-F-5

30.低介电常数HSQ薄膜特性的结构依赖性

• 後藤欣哉, 北沢良幸*, 松浦正純, 益子洋治
• 三菱电机株式会社 ULSI开发研究所，*三菱电机株式会社 尖端技术综合研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：30p-F-8

31.通过掺入H+形成Si薄膜层

• 柿崎恵男, 木花岳郎, 大島創太郎, 原徹, 井上森雄*, 梶山健二*
• 法政大学工学部，*离子工程研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：29p-G-12

32.PH3在Si(100)表面的室温吸附过程

• 築舘厳和, 末光眞希
• 东北大学 电气通信研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：29p-ZN-10

33.SiH₄和Si₂H₆在P包覆Si(100)表面的室温吸附

• 築舘厳和, 末光眞希
• 东北大学 电气通信研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：29p-ZN-11

34.Si(100)表面上碲的吸附结构

• 田宮健一, 大谷卓也, 武田康, 浦野俊夫, 福原隆宏, 金子秀一, 本郷昭三
• 东北大学 电气通信研究所）
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：29p-ZN-2

35.利用MDS和TDS研究Si(100)表面上Cs与D的共吸附结构

• 長谷部弘之, 清水将之, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 东北大学 电气通信研究所）
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：29p-ZN-4

36.Li, D. 基于MDS和TDS对Si(100)表面共吸附现象的观测

• 福原隆宏, 金子秀一, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 东北大学 电气通信研究所）
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：29p-ZN-5

37.Ba、D共吸附于Si(100)表面时的氘脱附机理

• 小嶋薫, 藤内重良, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 东北大学 电气通信研究所）
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：29p-ZN-6

38.微孔内部残留的硫酸成分

• 山崎進也, 青木秀充, 西山岩男*, 青砥なほみ
• NEC ULSI器件开发研究所，*NEC 微电子研究所
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：30p-D-8

39.SiOF膜中水分对介电常数的影响

• 上田聡, 菅原岳, 上田哲也, 玉岡英二, 真弓周一
• 松下电器产业株式会社 半导体研究中心
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：30p-F-18

40.利用电子束辐照改善氢化硅双环氧烷无机SOG的膜质

• 楊京俊, 崔東圭, 王時慶, L. Forster, 中野正
• Allied Signal AMM
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：30p-F-2

41.基于TOF-ESD和FTIR原位观测的金属表面CO吸附研究

• 上田一之, 伊達正和, 芳村雅満, 白輪地菊雄*, 西沢誠治*
• 丰田工业大学（研究生院），日本分光
• 第44届应用物理学联合研讨会论文集（1997年春季）：31a-ZN-7

42.New Low Dielectric Constant Siloxane Polymers

• Nigel P. Hacker
• Allied Signal Inc., Advanced Microelectronic Materials
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

43.HSQ膜特性的结构依赖性

• 松浦正純
• 三菱电机株式会社 ULSI开发研究所
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

1996：论文、期刊、书籍

1.Dimerization Process in Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,L799(1997)

2.Thermal Desorption Spectroscopy of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,5866(1997)

3.平下紀夫の学位論文

• 平下紀夫
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路开发中心
• 电气通信大学(1996)

4.Si基板表面吸附物的热脱附行为

• 神保智子, 石川勝彦*, 伊藤雅樹*, 津金賢, 田辺義和, 斎藤由雄, 富岡秀起
• 日立制作所 器件开发中心, *日立制作所 半导体事业部
• IEICE技术报告, ED96-11, SDM96-11, 75(1996)

5.Extreme Trace Analysis for Clean Process of LSI Fabrication

• Norikuni Yabumoto
• NTT Advanced Technology Corporation
• NTT REVIEW,8,70(1996)

6.Thermal Desorption Spectroscopy of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition

• Mikio Yamamuka, Takaaki Kawahara, Tetsuro Makita, Akimasa Yuuki and Kouichi Ono
• Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp. 729-735

1996：会议摘要

1.Evidence for Asymmetrical Hydrogen Profile in Thin D2O Oxidized SiO2 by SIMS and Modified TDS

• Kouichi MURAOKA, Shin-ichi TAKAGI and Akira TORIUMI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.500-502

2.Significant Effect of OH inside Silicon Chemical Oxides on AHF(Anhydrous Hydrofluoric Acid) Etching

• Kouichi MURAOKA, Iwao KUNISHIMA, Nobuo HAYASAKA and Shin-ichi TAKAGI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.521-523

3.基于TDS升温脱附分析的热氧化膜中氢含量评估

• 寺田久美, 黒川博志, 小林清輝*, 川崎洋司*
• 三菱电机株式会社 尖端综合研究所，*UL研究所
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：7a-H-3

4.残留氟加速有机物在晶圆表面的吸附

• 嵯峨幸一郎, 服部毅
• 索尼株式会社 半导体公司 超大规模集成电路研究所
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：8a-L-7

5.晶圆表面吸附物对粘接界面的影响

• 高田涼子, 大嶋昇, 高石一成, 冨沢憲治, 新行内隆之*
• 三菱材料硅业株式会社 技术本部 开发中心, *三菱材料硅业株式会社 技术本部 工艺技术部
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：8p-L-6

6.LPCVD-SiN薄膜中由氢引起的热载流子寿命劣化现象(２)

• 内田英次, 時藤俊一, 渋沢勝彦*, 村上則夫*, 中村隆治*, 青木浩*, 山本祐広*, 平下紀夫
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心，*冲电气工业株式会社 工艺技术中心
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：8p-R-18

7.基于分子轨道法的SiOF薄膜成膜用气体分子解离反应分析

• 大嶽敦, 小林金也, 田子一農, 福田琢也*, 細川隆*, 加藤聖隆*
• 日立制作所株式会社 日立研究所，*日立制作所株式会社 半导体事业部
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：9a-H-1

8.不同碳含量有机SOG的平整特性

• 平沢賢斎, 斎藤政良, 加藤聖隆
• 日立制作所株式会社 半导体事业部
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：9a-H-20

9.采用(C2H5O)3SiF／(C2H5O)3SiH的PECVD法制备SiOF薄膜的成膜特性

• 鬼頭英至, 室山雅和, 佐々木正義
• 索尼株式会社 半导体公司 第一LSI部门
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：9a-H-5

10.氟添加SiO膜吸湿机理的研究

• 室山雅和, 芳賀豊, 佐々木正義
• 索尼株式会社 S.C.第一LSI事业部
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：9a-H-9

11.Si晶圆表面附着有机物的观察

• 松尾千鶴子, 高石一成, 冨沢憲治, 新行内隆之*
• 三菱材料硅业株式会社 技术本部 开发中心, *三菱材料硅业株式会社 技术本部 工艺技术部
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：9a-L-8

12.Pd/a-Si：H/c-Si叠层膜中的硅化过程(１)

• 安藤伸一, 古林治, 安達久美, 本橋光也, 本間和明
• 东京电机大学 工学部
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：7p-N-18

13.Si(100)表面上的高阶氢脱附过程

• 中澤日出樹, 末光眞希, 宮本信雄*
• 东北大学 电信研究所, *东北学院大学 工学部
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：8p-W-12

14.利用MDS观测Cs、D共吸附在Si(100)表面

• 長谷部弘之, 福原隆宏, 小嶋薫, 清水将之, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神户大学 工学院
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：8p-W-13

15.利用HREELS研究塔沙丁基膦在Si(001)表面上的分解过程

• 金田源太, 眞田則明, 福田安生
• 静冈大学 电子研究所
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：8p-W-17

16.经电子束固化的有机SOG薄膜表征

• 崔東圭, J. Kennedy, L. Forster, 中野正
• Allied Signal AMM
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：9p-H-17

17.利用TD-APIMS观察离子注入缺陷中的氢捕获

• 薮本周邦, 佐藤芳之*, 斎藤和之**
• NTT 边界研究所, *NTT LSI研究所, **会津大学
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：9p-L-1

18.通过H+注入实现空穴阻断的SOI（2）

• 柿崎恵男, 木花岳郎, 大島創太郎, 北村平, 原徹
• 法政大学 工学院
• 第57届应用物理学会学术研讨会论文集（1996年秋季）：9p-P-2

19.利用SiH4/CF4气体制备的偏压ECR-CVD SiOF薄膜的特性

• 宇佐美達矢, 石川拓, 本間哲哉
• NEC ULSI器件开发研究所
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：26a-N-10

20.低介电常数PTFE薄膜的评估

• 長谷川利昭, 松澤伸行*, 門村新吾, 青山純一
• 索尼株式会社 超大规模集成电路研究所、*中央研究所
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：26a-N-2

21.Hydrogen Silsesquioxane(HSQ)介电常数评估

• 宮永隆史, 佐々木直人, 亀岡克也, 森山一郎, 佐々木正義
• 索尼株式会社 半导体公司 第一LSI部门
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：26a-N-6

22.利用离子注入法改性有机SOG薄膜(V)

• 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行, 豆野和延
• 三洋电机株式会社 微电子研究所
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：26a-N-7

23.LPCVD-SiN薄膜中由氢引起的热载流子寿命劣化现象

• 時藤俊一, 渋沢勝彦, 村上則夫*, 内田英次, 中村隆治*, 青木浩*, 山本祐広*, 平下紀夫
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心、工艺技术中心
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：27p-E-4

24.塑料盒中释放的有机添加剂在晶圆表面上的吸附机制

• 嵯峨幸一郎, 古谷田作夫, 服部毅
• 索尼株式会社 半导体公司 超大规模集成电路研究所
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：27p-F-12

25.无水HF气体原位自然氧化膜蚀刻机理

• 村岡浩一, 國島巌, 早坂伸夫, 高木信一, 鳥海明
• 东芝株式会社 ULSI研究所
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：28a-K-3

26.偏压ECR CVD SiO膜释放的气体对W插头工艺的影响

• 芳賀豊, 室山雅和, 佐々木正義
• 索尼株式会社 半导体公司 第一LSI部门
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：29p-N-8

27.通过四甲基四烷/氧自由基反应形成低介电常数绝缘膜

• 奈良明子, 伊藤仁
• 东芝株式会社 ULSI研究所
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：26a-N-1

28.吸附在石墨表面上的氧气在升温时的脱附

• 吉田巌, 杉田利男*, 野口峰男*
• 东京理科大学 基础工程系, *工学部
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：26a-PA-12

29.基于a-Si：H膜结构微结晶化过程的评估(III)

• 中島郷子, 大嶋孝文, 本橋光也, 本間和明
• 东京电机大学 工学部
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：26a-TC-10

30.SiOF膜吸湿性的研究

• 篠原理華, 工藤寛, 武石俊作, 山田雅雄
• 富士通株式会社 工艺开发部
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：26p-N-12

31.氧离子注入硅基板中SiO的脱附

• 石川由加里, 柴田典義
• 精细陶瓷中心
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：27p-P-9

32.基于升温脱附法的纯钛真空特性评估

• 穐谷修二, 本間禎一
• 千叶工业大学
• 第43届应用物理学联合研讨会论文集（1996年春季）：28p-ZL-3

1995：论文、期刊、书籍

1.The distribution of activation energy for hydrogen desorption over silica-supported nickel catalysts determined from temperature-programmed desorption spectra

• Masahiko Arai, Yoshiyuki Nishiyama, ＊Takao Masuda, ＊Kenji Hashimoto
• Institute for Chemical Reaction Science, Tohoku University, ＊Depertment of Chemical Engineering, Kyoto University
• Appl.Surf.Sci.,89,11(1995)

2.升温脱附分析在硅表面评估中的应用

• 薮本周邦
• NTT先进技术
• 表面技术，46，47（1995）

3.X-Ray Photoelectron Spectroscopic Studies on Pyrolysis of Plasma-Polymerized Fluorocarbon Films on Si

• Ken FUJITA, Yasuhiro MIYAKAWA and Norio HIRASHITA
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,304(1995)

4.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya*, N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd., *Process Technology Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,1021(1995)

5.Reaction Studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• N.Hirashita, Y.Miyakawa, K.Fujita and J.Kanamori
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,2137(1995)

6.Direct analysis of contamination in submicron contact holes by thermal desorption spectroscopy

• Hidemitsu Aoki, Yuden Teraoka*, Eiji Ikawa, Takamaro Kikkawa and Iwao Nishiyama*
• ULSI Device Development Labs. NEC Corporation, *Microelectronics Research Labs. NEC Corporation
• J.Vac.Sci.Technol.A,13,42(1995)

7.硅片表面分析评估技术：硅片上吸附分子的分析评估技术

• 薮本周邦
• NTT Advanced Technology
• 硅片表面清洁技术 别册，Realize社，第101页

1995年：会议摘要

1.基于HELICON波等离子体CVD的SiOF薄膜质量评估

• 芳賀豊, 室山雅和, 佐々木正義
• 索尼株式会社 半导体公司 第一LSI部门
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：26a-ZB-3

2.吸湿对低介电常数表面保护膜的影响

• 足立悦志, 足達廣士, 武藤浩隆, 藤井治久
• 三菱电机株式会社 中央研究所
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：26a-ZB-6

3.关于等离子体氧化膜抑制水分渗透机制的研究

• 内田博章, 時藤俊一*, 酒谷義広, 平下紀夫*
• 冲电气工业株式会社 工艺技术中心、*超大规模集成电路研发中心
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：26a-ZB-9

4.电极界面附近CVD-BST薄膜的特性

• 山向幹雄, 川原孝昭, 中畑匠, 結城昭正, 斧高一
• 三菱电机株式会社 半导体基础研究所
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：26a-ZG-7

5.高介电常数材料(Ba, Sr)TiO₃薄膜的形成与界面调控

• 結城昭正
• 三菱电机株式会社 半导体基础研究所
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：26p-W-6

6.利用TiCl₄制备的CVD TiN薄膜的氯含量与膜质

• 川島淳志, 宮本孝章, 門村新吾, 青山純一
• 索尼株式会社 半导体公司 超大规模集成电路研究所
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：27a-PB-8

7.高温成膜O3-TEOS NSG薄膜的评估

• 味沢治彦, 斉藤正樹, 森山一郎, 佐々木正義
• 索尼株式会社 半导体公司 第一LSI部门
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：28a-PC-11

8.氢化硅双环氧烷（SOG）作为层间绝缘膜的特性

• 小柳賢一, 岸本光司, 本間哲哉
• 日本电气株式会社 ULSI器件开发研究所
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：28a-PC-2

9.利用离子注入法改性有机SOG薄膜(IV)

• 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行
• 三洋电机株式会社 微电子研究所
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：28a-PC-4

10.采用H₂O溅射法制备的非晶ITO薄膜经热处理后的结构变化

• 西村悦子, 安藤正彦, 鬼沢賢一, 峯村哲郎, 高畠勝*
• 日立制作所株式会社 日立研究所，*电子器件事业部
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：28a-ZH-8

11.通过密度控制降低SiOF薄膜的吸湿性

• 工藤寛, 淡路直樹*, 篠原理華, 武石俊作, 星野雅孝, 山田雅雄
• 富士通株式会社 工艺开发部、*ULSI研究部
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：26a-ZB-10

12.高介电常数电极材料的TDS评估

• 芦田裕, 中林正明, 記村隆章, 森治久
• 富士通株式会社
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：26a-ZG-1

13.基于TDS法的氘（注）离子注入缺陷分析

• 斉藤和之, 佐藤芳之*, 本間芳和**, 薮本周邦**
• 会津大学, *NTT LSI研究所, **NTT 边界研究所
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：26p-ZP-9

14.钝化膜中氢对硅悬空键的影响

• 寺田久美, 黒川博志, 小林淳二, 河野博明*, 小林和雄**, 子蒲哲夫
• 三菱电机株式会社 材料研究所, *北伊丹制作所, **熊本制作所
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：26p-ZV-15

15.表面氢脱附诱导的硅基上铝选择性CVD反应

• 勝田義彦, 小永田忍, 坂上弘之, 新宮原正三, 高萩隆行
• 广岛大学 工学部
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：26p-ZV-8

16.利用TDS和SIMS对SiO₂薄膜中氩气进行定量分析

• 塚本和芳, 松永利之, 渡辺啓一, 森田弘洋, 山西斉*, 吉岡芳明
• 松下技术研究株式会社 技术部 半导体分析组，*松下电器产业株式会社 生产技术本部 薄膜加工研究所
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：27a-C-3

17.采用Ar+－IBARD法制备的TiOX薄膜的氩气升温脱附特性

• 笹瀬雅人, 山木孝博*, 三宅潔**, 鷹野一朗, 磯部昭二
• 工学院大学 工学部, *日立制作所 日立研究所, **日立制作所 电气开发本部
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：27p-ZH-9

18.氢终止的Si(100)2×1表面上钠的吸附与脱附及其电子态(I)

• 藤本訓弘, 小嶋薫, 本郷昭三, 浦野俊夫
• 神户大学 工学部
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：27p-ZL-2

19.酒精对TEOS/O₃常压CVD反应的影响（IV）——添加至四甲氧基硅烷原料中－

• 池田浩一, 前田正彦
• NTT LSI研究所
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：28a-PC-9

20.氧自由基退火对Ta₂O₅薄膜漏电流的降低作用

• 松井裕一, 鳥居和功, 糸賀敏彦, 飯島晋平*, 大路譲*
• 日立中研, *日立半导体
• 第56届应用物理学会学术研讨会论文集（1995年秋季）：28p-PC-3

21.基于TDS的贴合晶圆评估——晶圆背面的影响－

• 高田涼子, 岡田千鶴子, 近藤英之, 龍田次郎, 降屋久, 新行内隆之
• 三菱材料硅业株式会社 中央研究所
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：28a-X-2

22.基于TDS的贴合晶圆评估 II ——来自贴合界面的影响－

• 岡田千鶴子, 高田涼子, 近藤英之, 龍田次郎, 降屋久, 新行内隆之
• 三菱材料硅业株式会社 中央研究所
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：28a-X-3

23.DCS-WSiX膜中氟、氯含量及TDS分析

• 山崎治, 大南信之, 谷川真, 井口勝次, 崎山恵三
• 夏普株式会社 超大规模集成电路开发研究所
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：29a-K-8

24.利用离子注入法改性有机SOG薄膜(II)

• 渡辺裕之, 平瀬征基, 実沢佳居, 水原秀樹, 青江弘行
• 三洋电机株式会社 微电子研究所
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：30a-C-1

25.TEOS-O3沉积膜的应力及其结构与组成的热变化

• 梅澤華織, 土屋憲彦, 矢吹宗, 藤井修*, 大森廣文*, 松本明治*
• 东芝株式会社 半导体事业本部，*东芝株式会社 研发中心
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：30a-C-10

26.基于SiH4-H2O2系CVD氧化膜的层间绝缘层形成工艺(２)

• 松浦正純, 西村恒幸*, 林出吉生, 平山誠, 井内敬彰*
• 三菱电机株式会社 ULSI开发研究所，*菱电半导体株式会社
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：30a-C-4

27.Polycarbosilane采用平滑化

• 小林倫子, 福山俊一, 中田義弘
• 富士通研究所股份有限公司
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：30a-C-6

28.酚类化合物对过氢硅烷氧化的促进作用

• 中田義弘, 福山俊一, 小林倫子, 原田秀樹*, 大倉嘉之*
• 富士通研究所股份有限公司, *富士通株式会社
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：30a-C-7

29.基于TDS的氢注入硅基板中氢脱附行为的分析

• 奥村治樹, 長谷川剛啓, 添田房美
• 东丽研究中心
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：30a-H-1

30.等离子体CVD-SiO膜特性的射频频率依赖性

• 河野浩幸, 岩崎賢也
• 宫崎冲电气株式会社
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：30p-C-13

31.利用TDS检测离子注入杂质（B、P、As）

• 薮本周邦, 本間芳和, 佐藤芳之*, 斎藤和之**
• NTT 边界研究所, *NTT LSI研究所, **会津大学
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：28a-X-1

32.利用升温脱附法评估玻璃基板上有机分子的行为

• 高橋善和, 稲吉さかえ, 斎藤一也, 塚原園子, 飯島正行
• 日本真空技术株式会社 筑波超材料研究所
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：28a-ZS-4

33.Si晶圆表面有机污染物的化学组成

• 高萩隆行, 小島章弘, 坂上弘之, 新宮原正三, 八嶋博*
• 广岛大学 工学部，东丽研究
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：29a-PA-14

34.磷酸处理后GaAs表面的评估

• 林栄治, 永井直人, 中川善嗣, 中山陽一, 添田房美
• 东丽研究中心
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：29a-ZN-2

35.CVD-TiN薄膜氯气脱气特性的评估

• 鈴木寿哉, 坂井拓哉*, 大場隆之, 八木春良
• 富士通株式会社，*富士通VLSI株式会社
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：29p-K-3

36.IPA在经HF处理的Si表面上的吸附 II

• 宮田典幸, 小尻英博*, 山下良美, 岡村茂, 久継徳重
• 富士通研究所股份有限公司, *富士通股份有限公司
• 第42届应用物理学联合研讨会论文集（1995年春季）：29p-PA-20

1994：论文、期刊、书籍

1.Thermal Desorption Spectroscopy and X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of CFx Layer Deposited on Si and SiO₂

• Yasuhiro Miyakawa, Ken Fujita, Norio Hirashita, Naokatsu Ikegami, Jun Hashimoto, Takayuki Matsui and Jun Kanamori
• VLSI R&D Center, Oki Electric Industry CO., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,65,7047(1994)

2.In situ infrared study of chemical state of Si surface in etching solution

• Michio Niwano, Yasuo Kimura and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• Appl.Phys.Lett.,65(13),1692(1994)

3.利用升温脱附气体分析法对半导体集成电路材料释放气体的定量分析

• 平下紀夫, 内山泰三*
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心, *電子科学(株)
• 分析化学,43,757(1994)

4.Reaction studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• Norio HIRASHITA, Yasuhiro MIYAKAWA, Ken FUJITA and Jun KANAMORI
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• DRY PROCESSS SYMPOSIUM,181(1994)

5.The impact of intermetal dielectric layer and high temperature bake test on the reliability of nonvolatile memory devices

• E.Sakagami, N.Arai*, H.Tsunoda**, H.Egawa**, Y.Yamaguchi, E.Kamiya, M.Takebuchi***, K.Yamada***, K.Yoshikawa and S.Mori
• Semiconductor Device Engineering Laborattory, TOSHIBA Corp., *TOSHIBA Microelectronics Corp., **Integrated Circuit Advanced Prosess Department, TOSHIBA Corp., ***Logic Device Engineering Department, TOSHIBA Corp.
• IEEE/IRPS(1994)

6.Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air

• Michio Niwano, Jun-ichi Kageyama, Kazunari Kurita, Koji Kinashi, Isao Takahashi and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Appl.Phys.,76,2157(1994)

7.Ultraviolet-Induced Deposition of SiO₂ Film from Tetraethoxysilane Spin-Coated on Si

• Michio Niwano, Koji Kinashi, Kazuhiko Saito and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Electrochem.Soc.,141,1556(1994)

8.有机物引起的表面污染

• 高萩隆行
• 东丽研究中心股份有限公司
• Journal of Japan Air Cleaning Association,7,32(1994)

9.Fine Contact Hole Etching in Magneto-Microwave Plasma

• Y.Miyakawa, J.Hashimoto, N.Ikegami, T.Matsui and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,33,2145(1994)

10.Determination of Hydrogen Concentration in Austenitic Stainless Steels by Thermal Desorption Spectroscopy

• Masako Mizuno, Hideya Anzai, Takashi Aoyama and Takaya Suzuki
• Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
• Materials Transactions JIM,35,703(1994)

11.基于TDS的脱附气体分析——以电子材料为中心——

• 奥村治樹, 高萩隆行
• 东丽研究中心股份有限公司 表面科学研究部
• THE TRC NEWS,30,49(1994)

1994：会议摘要

1.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno*, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya* and N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, *Process Technology Center
• Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1994, pp.925-927

2.基于TDS法的CVD沉积(Ba, St)TiO₃薄膜的特性评估

• 山向幹雄, 川原孝昭, 蒔田哲郎, 結城昭正, 斧高一, 上原康*
• 三菱电机株式会社 半导体基础研究所、*材料器件研究所
• 第55届应用物理学会学术研讨会论文集（1994年秋季）：19p-M-5

3.PECVD SiOF薄膜的吸湿特性(II)

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心
• 第55届应用物理学会学术研讨会论文集（1994年秋季）：20p-ZC-14

4.Perhydrosilazane的成膜机制 II

• 大倉嘉之, 原田秀樹, 清水敦男, 渡部潔, 福山俊一*, 中島昭**, 高橋美紀**, 小松通郎**
• 富士通株式会社 工艺开发部, *富士通研究所株式会社, **触媒化成工业株式会社 精细化学研究所
• 第55届应用物理学会学术研讨会论文集（1994年秋季）：20p-ZC-7

5.利用升温脱附光谱法（TDS）分析光刻胶的热反应行为

• 佐久間徹夫, 池田章彦, 吉信達夫*, 岩崎裕*
• 旭化成工业株式会社，*大阪大学产业科学研究所
• 第55届应用物理学会学术研讨会论文集（1994年秋季）：22a-ZB-8

6.基于氢升温脱附光谱的Si(100)表面原子平坦度评估

• 中澤日出樹, 末光眞希, 金基俊, 宮本信雄
• 东北大学 电气通信研究所
• 第55届应用物理学会学术研讨会论文集（1994年秋季）：20a-ZB-5

7.硅表面上的氟脱附与氢吸附

• 久保田徹, 白石修司, 斎藤洋司
• 成蹊大学 工学部
• 第55届应用物理学会学术研讨会论文集（1994年秋季）：20p-ZB-10

8.酒精对TEOS/O₃常压CVD反应的影响（三）——氘代醇的添加－

• 池田浩一, 中山諭, 前田正彦
• NTT LSI研究所
• 第55届应用物理学会学术研讨会论文集（1994年秋季）：20p-ZC-1

9.等离子体CVD法成膜条件对寄生MOS晶体管的影响

• 大田裕之, 浅田仁志, 佐藤幸博, 清水敦男, 渡部潔
• 富士通株式会社
• 第55届应用物理学会学术研讨会论文集（1994年秋季）：20p-ZC-9

10.热氧化膜的吸湿性

• 奥野昌樹, 片岡祐治, 小尻英博*, 杉田義博, 渡辺悟, 高崎金剛
• 富士通研究所股份有限公司，富士通股份有限公司
• 第55届应用物理学会学术研讨会论文集（1994年秋季）：21p-ZB-15

11.Si(111)表面氧化膜的TDS观察

• 渡部宏治, 伊藤文則, 平山博之
• NEC 微电子研究所
• 第55届应用物理学会学术研讨会论文集（1994年秋季）：21p-ZB-16

12.利用TDS分析硅表面有机物污染

• 奥村治樹, 高萩隆行
• 东丽研究中心
• 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春)：29a-ZK-11

13.有机SOG的无机化烘烤处理

• 小針英也, 岡野進, 大橋直史*, 根津広樹*
• 东京应化工业株式会社 开发本部，*日立制作所株式会社 器件开发中心
• 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春)：30p-ZW-13

14.聚梯形有机硅氧烷作为SOG的应用研究

• 足立悦志, 足達弘士, 西村浩之, 南伸太朗, 松浦正純*
• 三菱电机株式会社 中央研究所、*ULSI开发研究所
• 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春)：30p-ZW-14

15.多层布线过孔中NH3的逸出

• 時藤俊一, 内田英次*, 奥野泰幸*, 伏見公久*, 酒谷義広*, 平下紀夫
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心、*工艺技术中心
• 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春)：30p-ZW-15

16.O3-TEOS绝缘膜的膜质改性

• 谷川真, 土居司, 石濱晃, 崎山恵三
• 夏普株式会社 超大规模集成电路开发研究所
• 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春)：30p-ZW-2

17.O3-TEOS绝缘膜的膜质改善

• 小針英也, 岡野進, 湊光朗
• 東京応化工業(株) 開発本部
• 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春)：30p-ZW-3

18.PECVD SiOF薄膜的吸湿特性

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心
• 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春)：30p-ZW-8

19.通过控制底层膜中残留物的化学组分来提高TEOS/O3 SiO₂膜的嵌入性

• 久保享, 廣瀬和之, 本間哲哉, 村尾幸信
• NEC ULSI器件开发研究所
• 第41回応用物理学関係連合講演会予稿集(1994春)：30p-ZW-4

20.底层对无电解铜电镀中针状晶体形成的影响

• 藤波知之, 横井池加子, 本間英夫*
• 荏原优吉莱特株式会社，*关东学院大学工学部
• 表面技術協会 第90回講演大会要旨集,168,(1994)：5C-19

1993：论文、期刊、书籍

1.Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O3 Oxide and Water Blocking with ECR-SiO2 Film

• N.Shimoyama, K.Machida, J.Takahashi, K.Murase, K.Minegishi and T.Tsuchiya
• NTT LSI Laboratories
• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,40,1682(1993)

2.Thermal Desorption Studies of Silicon Dioxide Deposited by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and Ozone

• Katsumi Murase, Norikuni Yabumoto*, Yukio Komine
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1722(1993)

3.The Effect of Plasma Cure Temperature on Spin-On Glass

• Hideo Namatsu and Kazushige Minegishi
• NTT LSI Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1121(1993)

4.Growth of Native Oxide and Accumulation of Organic Matter on Bare Si Wafer in Air

• Chizuko Okada, Hiroyuki Kobayashi, Isao Takahashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1031(1993)

5.Measurement of Organic Matter on Si Wafer by Thermal Desorption Spectroscopy

• Chizuko Okada, Isao Takahashi, Hiroyuki Kobayashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1186(1993)

6.Thermal Desorption and Infrared Studies of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited SiO Films with Tetraethylorthosilicate

• N.Hirashita, S.Tokitoh and H.Uchida
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1787(1993)

7.Direct numerical method to analyze thermal desorption spectra

• H.Froitzheim, P.Schenk and G.Wedler
• Institute fur Physikalische und Theoretische Chemie, Universitat Erlangen-Nurnberg
• J.Vac.Sci.Technol.A,11,345(1993)

8.CVD氧化膜的吸湿过程与脱水机制

• 時藤俊一, 内田英次, 平下紀夫
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心
• 信学技术报告 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-9,59(1993)

9.Improvement of Water-Induced Hot-Carrier Immunity Degradation Using ECR Plasma-SiO2 with Si-H Bonds

• K.Machida, N.Shimoyama, J.Takahashi, Y.Takahashi, N.Yabumoto and E.Arai*
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• 信学技术报告 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-39,47(1993)

10.等离子体CVD-SiO₂薄膜的吸湿特性

• 下川公明
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

11.关于绝缘膜吸湿性的相关问题——评估方法与对策

• 小谷秀夫, 松浦正純, 林出吉生
• 三菱电机株式会社 LSI研究所
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

12.低温退火对TEOS-O3常压CVD NSG膜吸湿性的影响

• 細田幸男, 原田秀樹, 清水敦男, 渡部潔, 芦田裕
• 富士通 基础工艺开发部，开发推进本部
• 月刊 Semiconductor World (1993.2)

1993：会议摘要

1.利用升温热脱附分析仪对硅片表面有机物进行评估

• 岡田千鶴子
• 三菱材料株式会社 中研
• 第54届分析化学研讨会论文集（1993年6月）

2.基于升温脱附法的不锈钢中氢分析方法研究

• 水野昌子, 三沢豊, 国谷治郎, 木田利孝
• 日立制作所株式会社 日立研究所
• 第54届分析化学研讨会论文集（1993年6月）

3.Single Step Gap Filling Technology for Subhalf Micron Metal Spacings on Plasma Enhanced TEOS/O2 Chemical Vapor Deposition System

• Katsuyuki MUSAKA, Shinsuke MIZUNO, Kiyoaki HARA
• Applied Materials Japan Inc. Technology Center
• Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, Makuhari, 1993, pp.510-512

4.Si(100)及(111)面上的SC1氧化膜升温分解脱附光谱法

• 岩崎裕, 中尾基, 吉信達夫, 内山泰三*
• 大阪大学 产业科学研究所, *電子科学(株)
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)

5.氢终止Si(111)表面氢的热脱附行为

• 高萩隆行, 名古屋浩貴, 中川善嗣, 永井直人, 石谷炯
• 东丽研究中心
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)

6.基于TDS（升温脱附气体分析）的Al膜评估

• 針生武徳, 大野秀樹, 井上実
• 富士通株式会社
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：16a-ZR-11

7.高浓度BPSG薄膜的缺陷析出及其抑制方法（3）——硅烷化处理的效果－

• 矢野航作, 寺井由佳, 杉山龍男, 遠藤正孝, 上田哲也, 野村登
• 松下电器 半研中心
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：16p-ZQ-16

8.经热处理的等离子体化学气相沉积（Plasma-CVD）SiO膜的升温脱附气体分析（TDS）)

• 時藤俊一, 内田英次, 平下紀夫
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：16p-ZQ-5

9.TEOS-O3 NSG底层的P-SiO依赖性

• 宇佐美隆志, 下川公明, 吉丸正樹
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：16p-ZQ-7

10.绝缘层的高温应力

• 星野和弘, 菅野幸保
• 索尼株式会社 超大规模集成电路开发本部
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：17p-ZQ-16

11.基于升温脱气分析法的脱气定量分析方法研究

• 平下紀夫, 時藤俊一, 内山泰三*, 日永康*
• 冲电气工业株式会社 超大规模集成电路研发中心, *電子科学(株)
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：27a-ZL-8

12.基于TDS法对硅表面氢的研究

• 高萩隆行, 名古屋浩貴, 長沢佳克, 石谷炯
• 东丽研究中心
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：28a-ZD-7

13.TiN/Ti膜涂层通孔的气体释放特性

• 松浦正純, 山口澄夫, 林出吉生, 古谷秀夫
• 三菱电机株式会社 LSI研究所
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：29a-X-1

14.Perhydrosilazaneの成膜メカニズム

• 長嶋隆, 原田秀樹
• 富士通株式会社
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：29a-X-10

15.基于升温热脱附分析对偏角(111)硅片表面的评估

• 龍田次郎, 小林弘之, 高橋功, 新行内隆之, 岡田千鶴子*
• 三菱材料 中研, *三菱材料硅
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：29a-ZD-10

16.利用升温热脱附分析仪对硅片表面有机物进行评估

• 岡田千鶴子, 森田悦郎, 井上文雄, 龍田次郎*, 新行内隆之*
• 三菱材料硅业, *三菱材料中研
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：29a-ZD-11

17.对接触孔底Si表面自然氧化膜的TDS观测

• 中森雅治, 寺岡有殿*, 青砥なほみ, 青木秀充, 西山岩男*, 井川英治, 吉川公麿
• 日本电气株式会社 微电子研究所、*光电子研究所
• 第54回応用物理学会学術講演会予稿集(1993秋)：17p-ZP-8

1992：论文、期刊、书籍

1.Thermal Desorption Studies of Phosphorus-Doped Spin-on-Glass Films

• Norio Hirashita, Masayuki Kobayakawa, Akira Arimatsu, Fumitaka Yokoyama, and Tsuneo Ajioka
• Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• J.Electrochem.Soc.,139,794(1992)

2.Mechanisms of Surface Reaction in Fluorocarbon Dry Etching of Silicon Dioxide - An Effect of Thermal Excitation

• N.Ikegami, N.Ozawa, Y.Miyakawa, N.Hirashita and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Electronic Devices Group, OKI Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,31,2020(1992)

3.Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(100)

• Y.K.Sun, D.J.Bonser and Thomas Engel
• Department of Chemistry BG-10. University of Washington
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,2314(1992)

4.Preoxidation Si cleaning and its impact on metal oxide semiconductor characteristics

• S.R.Kasi and M.Liehr
• IBM Research Division, Thomas J.Watson Research Center
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,795(1992)

5.硅酸盐玻璃中气体的分析方法

• 森本幸裕
• 牛尾电机株式会社 技术研究所
• 新陶瓷,9,65(1992)

6.TEOS/O3氧化膜中水分导致的热载流子耐受性劣化及利用ECR-SiO2膜的劣化抑制方法

• 下山展弘, 高橋淳一, 町田克之, 村瀬克実, 峰岸一茂*, 土屋敏章
• NTT LSI研究所, *NTT电子技术
• IEICE技术报告, SDM92-33, 51(1992)

7.利用等离子体化学气相沉积（Plasma CVD）SiO膜抑制MOSFET可靠性劣化

• 下川公明, 宇佐美隆志, 時藤俊一, 平下紀夫, 吉丸正樹
• 冲电气工业株式会社 VLSI研发中心
• IEICE技术报告TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM92-133,89(1992)

8.表面吸附分子的分析技术——升温脱附光谱法在ULSI中的应用－

• 岩崎裕
• 大阪大学 产业科学研究所
• Realize公司 突破性研讨会资料第2号，构建用于ULSI制造的分析评估技术——将最尖端分析评估技术应用于生产线——（1992年11月）